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1.
以Fe(NO3)3.9H2O和KOH为原料,以乙二醇为溶剂,溶剂热制备了单分散Fe3O4纳米粉体。利用XRD和TEM对溶剂热合成的Fe3O4纳米粉体进行了物相和形貌表征,利用物理性质测量体系PPMS-9T对合成的Fe3O4纳米粉体的磁性能进行了测定。结果表明,低于220℃时溶剂热合成的Fe3O4纳米粉体颗粒较小,约10 nm,具有超顺磁性质;而250℃时溶剂热合成的Fe3O4纳米粉体颗粒粒径较大,约50 nm,具有典型的铁磁性能,其室温饱和磁化强度为68.8 emμ.g-1,剩余磁化率为12.9 emμ.g-1,矫顽力达138.5 Oe,磁性能优于水热合成的Fe3O4纳米粉体。基于实验结果,探讨了乙二醇溶剂热过程中Fe3O4的形成机理,以及合成的Fe3O4纳米粉体具有良好单分散性的原因。 相似文献
2.
掺Tb3+钛酸铅粉末的制备和结晶行为 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶喂胶法制备了Tb^3 掺杂钛酸铅(PbTiO3,PT)超细粉末,分别用差热分析、透射电子显微镜、X射线衍射仪对其相结构、形貌特性以及晶粒粒径等进行了分析测试。结果表明:这种粉末在约600℃热处理温度下,由非晶基体转变形成钙钛矿相的过程已逐步完成,其晶粒平均尺寸约为18nm,比未掺Tb抖的PT粉末中的钙钛矿晶粒尺寸略小。形成的钙钛矿结构中,Tb^3 取代Pb^2 进入晶格位置,产生阳离子空位,诱发晶格畸变,使钙钛矿相的析晶能力比相同热处理条件下未掺杂Tb^3 的PT低。另外,掺Tb^2 的PT中钙钛矿相的晶轴比c/a比未掺Tb^3 的PT中的低,这类似于产生了赝立方结构,降低了从立方相向这种四方相转化的势垒,有效地抑制了较高温下焦绿石相的产生,使掺Tb^3 的PT中焦绿石相稳定存在的温度比未掺Tb^3 的PT中低约100℃。 相似文献
3.
共沉淀法制备Bi3.25La0.75Ti3O12纳米粉体 总被引:1,自引:1,他引:1
用硝酸铋、硝酸镧和钛酸四丁酯为原料,硝酸、无水乙醇和去离子水为溶剂,氨水为沉淀剂,采用共沉淀法合成了单相铋层状钙钛矿结构Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)纳米粉体。用DTA/TG和XRD研究了BLT前驱体的热行为和晶相转化过程,用场致发射扫描电子显微镜观察了BLT粉体的颗粒形貌和大小的变化。结果表明:共沉淀前驱体溶液的配制过程中,硝酸铋水解生成的硝酸氧铋不利于层状钙钛矿结构BLT相的合成。利用浓度较高的硝酸作溶剂,可以防止硝酸铋的水解,采用氨基共沉淀法直接合成出了单一相的BLT纳米粉体,在煅烧过程中,未出现Bi2Ti2O3焦绿石相。700℃煅烧2h合成的BLT粉体颗粒不大于100nm,颗粒间结合疏松,具有良好的分散性。 相似文献
4.
特种化学气相沉积法制备大面积纳米硅薄膜的微结构和电学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用可与Si平面工艺兼容的特殊设计的化学气相沉积系统在玻璃衬底上制备了大面积的纳米Si薄膜.高分辨率电子显微镜和选区电子衍射分析表明,成膜温度对薄膜微结构有关键影响,衬底温度的升高促进了薄膜晶态率的提高和Si晶粒的长大.660℃成膜时非晶Si薄膜基体中镶嵌了尺寸为8~12nm,晶态率为50%的纳米Si晶粒,具有明显的纳米Si薄膜微结构特征.用变温薄膜暗电导率测试系统研究表明,随成膜温度的升高,薄膜的晶态率提高、室温暗电导率提高而相应的电导激活能降低,用热激活隧道击穿机制解释了纳米Si薄膜微结构与特殊电学性能的关系.研究了原位后续热处理对薄膜微结构和电学性能的影响,发现延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法能有效提高纳米Si薄膜的晶态率,进而提高其室温暗电导率. 相似文献
5.
6.
7.
研究了添加CaO对Cao.5Zr2(PO4)3(CZP)晶格热膨胀特性及宏观热膨胀的影响。Ca^2+离子进入CZP晶格造成热膨胀各向异性低温下增大高温下减小,宏观热膨胀系数近似呈线性影响。 相似文献
8.
有机-无机纳米复合材料的制备与界面特性 总被引:5,自引:0,他引:5
有机-无机纳米复合材料是一种新型功能材料,本文综述了有机-无机纳米复合材料的界面特性、与界面效应相关的制备,并对有机-无机纳米复合材料的研究前景进行了展望。 相似文献
9.
本文综述了近四、五年间发展起来的非晶硅(a-Si:H)液晶光阀(LCLV)的研究及进展情况。讨论了以a-Si:H制成光导层或PIN结光二极管形式作光阀的电荷产生层及利用向列型或近晶型液晶作为光调制器(SLM)所组成的液晶光阀的工作原理。分析了a-Si:H本身的性能,光阀上所施加的电压和电压的频率以及采用不同的液晶,组成不同的结构形式等对光阀器件性能的影响。 相似文献
10.