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| 分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究 | |
| 引用本文： | 沈大可,Sou.I.K,韩高荣,杜丕一,阙端林.分子束外延生长液晶光阀用ZnSxSe1-x薄膜的研究[J].真空科学与技术学报,2002,22(6):403-407. |
| 作者姓名： | 沈大可 Sou.I.K 韩高荣 杜丕一 阙端林 |
| 作者单位： | 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027;香港科技大学物理系,香港九龙清水湾 2. 香港科技大学物理系,香港九龙清水湾 3. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
| 基金项目： | 中国自然科学基金资助项目 (No .5 9910 161981)，香港RGC研究资助局联合资助项目 (HKUST3 5 ) |
| 摘 要： | 描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0～ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9～ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2～ 0 36之间。 |
| 关 键 词： | 分子束外延 紫外液晶光阀 ZnSxSe1-x光敏层 ITO导电玻璃 光电特性 |
| 文章编号： | 0253-9748(2002)06-0403-05 |
| 修稿时间： | 2002年2月6日 |
Studies of MBE-Grown ZnSxSe1- x Films for Liquid-Crystal-Light-Valve |
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| Sou.I.K.Studies of MBE-Grown ZnSxSe1- x Films for Liquid-Crystal-Light-Valve[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2002,22(6):403-407. | |
| Authors: | SouIK |
| Abstract: | |
| Keywords: | MBE UV LCLV ZnS x Se 1- x photosensor ITO coated glass Opto electronic properties |
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