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利用工作在亚阈值区的MOS管代替传统电流基准中的三极管或电阻器件,实现了一款全CMOS器件的电流基准.利用PMOS管的体效应实现进一步的温度补偿;利用共源共栅和反馈结构有效地增加了基准电流源德电源抑制比;并利用当工艺发生偏差时CMOS管阈值电压、电子(空穴)迁移率和亚阈值区MOS管漏源电流之间的关系,降低了工艺涨落对基准电流的影响.本设计采用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC公司的0.5 μm CMOS混合信号模型进行仿真设计,设计的基准电流中心值为1.62 μA.综合考虑温度、电压和工艺涨落对电流基准的影响,温度系数为1.58×10-4%/℃,电源抑制比为90.5 dB,工艺涨落仅造成基准电流±3.5%的变化. 相似文献
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一种低流速气体流量传感器的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
提出一种基于温差测量原理测量低流速气体流量的方法并进行了实验验证.传感器由一对集成温度传感器芯片与片状铂电阻热源构成,专门设计的片上恒流供电电路保证了热源加热功率的稳定.对该流量传感器样品进行测试,结果表明它能够提供与方根流速近似成线性关系的输出.在低于0.5 cm/s的低流速下,该传感器具有数十至数百毫伏的输出信号幅度,其测量下限可低至0.5 cm/s.这与理论分析结果基本相符.该流量传感器在低流速条件下具有高灵敏度和较高的稳定性. 相似文献
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提出一个VLSI多层区域详细布线算法,算法使用模拟进化技术进行拆线重布线,对单个线网则使用改进型多层迷宫算法进行布线。 相似文献
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为提高 JPEG2000 小波变换的数据吞吐能力,提出了一个新的基于用行列模式二维小波正/反变换 VLSI 体系。在此体系中,块存储器以对角存储的方式被划分为八块双口 SRAM,一维离散小波运算单元采用流水线技术设计。此体系可支持 JPEG2000 5/3 和 9/7 两种小波,并且可以节省熵编码所需的码块存储器。设计的一维离散小波运算单元,可以在一个周期内处理四个像素的数据。经测试,此设计工作在 20MHZ 频率下,外加数据缓存时,完成一张 512×512×8 比特的灰白图像“lenna”的三级小波分解需要 13.31ms,不加数据缓存,需要 16.6ms。 相似文献
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集成电路制造技术的不断进步,给缺陷定位带来巨大的挑战。传统的测试芯片和现有的可寻址的方法都无法满足当前缺陷快速准确定位的要求。本文提出了一种改进的可寻址测试芯片的设计方法:每个测试结构采用四端法连接以及单一的NMOS晶体管作为开关电路,以保证电性测量结果精确、电路设计的简洁以及面积利用率的进一步优化;并利用开关电路增加少量测试引脚,以方便物理缺陷定位的进行。该方法在110nm的CMOS工艺中得到应用。经过实际生产验证,实现了金属层断路等缺陷的定位,有效发现了该工艺中失效缺陷的成因,从而帮助实际的成品率实现快速提升。 相似文献
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