基于6H-SiC衬底外延石墨烯的被动锁模掺镱光纤激光器

报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250mW时,得到稳定的重复频率为1.05MHz的自锁模脉冲,平均输出功率为6mW;当注入抽运功率增加到480mW时,最大平均输出功率为20mW,相应的最高单脉冲能量为19nJ,激光脉冲宽度约为520ps。     

TEOS LPCVD技术在SiC功率器件工艺中的应用

应用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技术实现二氧化硅在SiC晶片表面的淀积,在一定程度上弥补了SiC氧化层过薄和PECVD二氧化硅层过于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技术与高温氧化技术的合理运用,既保证了氧化层介质的致密性和与SiC晶片的粘附能力,又提高了器件的电性能和成品率,同时避免了为获得一定厚度氧化层长时间高温氧化的不足。采用此技术后,SiC芯片的直流成品率得到提高,微波功率器件的对比流片结果显示微波性能也得到了明显的提升,功率增益比原工艺提高了1.5 dB左右,功率附加效率提升了近10%。     

液相烧结SiC陶瓷性能的研究

以Al2O3、Y2O3(质量比为2:3)为烧结助剂,在氮气氛或氩气氛中、1900～1970℃、30 MPa下热压制备SiC陶瓷.根据Archimedes原理测量烧结体的体积密度和显气孔率;采用XRD、SEM(EDS)及瞬态热导率测试仪分别对材料的物相、显微结构和热导率进行表征.研究了烧结温度、烧结气氛和烧结助剂含量对材料烧结性能和热导率的影响.结果表明,当烧结助剂质量分数为10%,获得SiC致密体(气孔率＜0.30%),热导率高达182.50 W/(m·K);随着烧结助剂的质量分数降至6%,材料的致密度和热导率皆明显下降;在氩气氛中SiC与Al2O3、Y2O3具有更好的润湿性.     

国内LED衬底材料的应用现状及发展趋势

从材料特性出发,分析了氮化镓基LED用衬底材料的性能需求,主要分析了蓝宝石和碳化硅衬底在LED制作中的应用,并描述了当前的发展状态以及未来的发展趋势。     

C4DXX120E：碳化硅肖特基二极管

科锐公司推出1200VZ—Rec碳化硅肖特基二极管,产品均采用行业标准的TO-252D-Pak表面贴装封装,提供额定电流分别为2A,5A,8A和10A的表面贴装器件。如太阳能微型逆变器等系统设计人员现在能拥有更多的选择来研发出更小、更轻以及成本更低的电源转换电路。此款表面贴装器件以更小的PCB尺寸和面积,并具备与科锐TO-220肖特基二极管相同的性能。     

真空反应烧结大尺寸碳化硅反射镜

利用高温真空烧结炉对凝胶注模(Gel-casting)成型的SiC素坯进行反应烧结(RB-SiC),可制备得到光学级别的碳化硅反射镜镜体.测试结果表明,镜体内部结构均匀致密,机械性能优异,烧结线收缩率＜0.23%,直接抛光后的表面粗糙度RMS值优于3 nm,适用于空间大尺寸碳化硅反射镜的制备.     

具有硅衬底LED自主产权技术的晶能光电又获增资5550万美元

以国际金融公司(IFC)为首的投资机构日前在北京和晶能光电(晶能光电(江西)有限公司)进行增资的签约仪式,增资总额为5550万美元。从学校走出来晶能光电是以南昌大学发光材料与器件教育部工程研究中心为     

B~+注入隔离在宽禁带半导体中的应用

利用B~+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。     

UHF频段高功率SiC SIT

采用导通SiC衬底上的SiC多层外延材料,成功制作出了国内首个SiC SIT(静电感应晶体管).该器件研制中,采用了自对准工艺、高能离子注入及高温退火工艺、密集栅深凹槽干法刻蚀工艺、PECVD SiO:和SizNy介质钝化工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升.最终28 cm栅宽SiC ...     

GaN功率MMIC背面通孔工艺优化及可靠性分析

介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。