非晶碳化硅薄膜的结构及其光学特性研究

采用等离子体增强化学气相沉积系统制备非晶碳化硅薄膜,通过控制反应气体中甲烷和硅烷的流量比R来调节薄膜中的碳/硅比,获得具有不同碳/硅比的薄膜结构.采用Raman、XPS以及FT-IR等技术手段对样品的结构进行表征.通过对样品吸收谱的测量,对样品的光学特性进行了研究.研究结果表明,薄膜中C-H键以及Si-C键含量的增加引...     

碳化硅金刚线切割表面粗糙度的研究

碳化硅是新兴的第三代半导体材料。用固定磨料金刚线切割机对其进行切割加工,分析了加工过程的各项参数对晶片表面粗糙度的影响,为优化碳化硅金刚线切割过程提出依据。     

IBM即将发布2 GHz石墨烯集成电路未来有可能取代CMOS电路

据美国科技媒体报道,IBM计划在今年12月份在美国华盛顿举办的国际电子器件会议上,介绍其采用CMOS兼容工艺制造的2 GHz石墨烯实验型射频集成电路。乔治亚大学纳米研究中心的教授James D.Meindl称CMOS工艺线宽在到达7 nm时将无以为继,而石墨烯工艺将是下一代集成电路制造方法的首     

科锐1200 V碳化硅肖特基二极管开关损耗锐减50%

科锐公司(CREE)日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec碳化硅(SiC)肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。     

信息荟萃

旭硝子用浮法工艺制成0.1 mm的超薄玻璃板日本旭硝子日前成功研发出一款通过浮法进行生产厚度达世界最薄0.1mm的超薄玻璃板。由于此玻璃是可用于液晶显示面板基板的无碱玻璃,因此未来前景十分看好,并预计可应用在下一代显示器、照明、触控面板以及医疗产品等方面。旭硝子于5年前就开始生产0.4mm厚度的TFT(薄膜晶体管)     

高频感应-红外吸收法测定碳化硅中的SiC含量

文章采用碳化硅和基准碳酸钙混合配耐成不同含量的标准样品,对高频红外碳硫分析仪进行多点校正,通过测定碳化硅中的碳含量,换算得到碳化硅含量.该方法简便、快速,可适用于测定50%～90%范围的碳化硅含量.     

磷肥副产硅胶生产碳化硅的实验研究

磷肥副产硅胶产量可观,其主要成分是二氧化硅,是加工硅系列产品很好的原料.碳化硅属第三代半导体材料,经济价值高,应用前景好.概述了以二氧化硅为硅源制备碳化硅粉体的主要方法,并介绍利用磷肥副产硅胶碳热还原法生产碳化硅的实验研究.     

ICP—MS法测定高纯碳化硅粉表面的痕量杂质

本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd 12种痕量杂质进行测定,用氢氟酸溶液浸提试样表面杂质,用钆做内标补偿基体效应和仪器的漂移,用碰撞反应技术消除多原子离子干扰,通过实验确定最佳优化测定条件。方法检出限为0.005-0.036μg/L;加标回收率为80.0%-120.3%之间;RSD为1.78%-8.95%。方法操作简便、快速、准确。     

CVD金刚石薄膜涂层整体式刀具的制备与应用

化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)金刚石薄膜具有硬度高、摩擦系数低、耐磨性强以及表面化学性能稳定等优异的机械及摩擦学性能,这使其在硬质合金工模具领域具有广阔的应用前景.本文采用热丝化学气相沉积法(hot filament chemical vapor deposition,HFC...     

聚碳硅烷低温烧结碳化硅泡沫陶瓷的制备

采用聚碳硅烷(Polycarbosilane,PCS)陶瓷先驱体作为粘结剂,SiC微粉作骨料,在惰性气氛中1 000℃下低温烧结制备出碳化硅泡沫陶瓷。运用扫描电镜研究了固相含量、聚碳硅烷含量对碳化硅泡沫陶瓷的微观形貌的影响。