聚氨酯泡沫模板法低温制备SiC泡沫陶瓷

利用聚氨酯泡沫浸渍聚碳硅烷(PCS)与SiC微粉制成的有机溶剂浆料,挂浆素坯经热氧化处理后于1000℃下惰性气体中烧结制备SiC泡沫陶瓷。运用X衍射分析、扫描电镜、线收缩率测定和三点弯折强度测试等手段,研究了PCS含量、SiC颗粒粒径对泡沫陶瓷线收缩率、微观形貌、抗弯强度的影响。结果表明:PCS经1000℃热解产物为无定形结构,无定形SiC将SiC颗粒粘结起来,形成泡沫陶瓷的骨架筋结构,泡沫陶瓷孔径介于0.3～0.6mm之间;SiC泡沫陶瓷线收缩率随SiC颗粒尺寸与PCS含量的增大而增加,抗弯强度随颗粒尺寸的增加而减小;在颗粒尺寸为0.3μm时,PCS含量为10%时,抗弯强度最大为2.8MPa,当SiC颗粒尺寸为1μm、5μm、10μm和20μm时,PCS含量为15%时,其抗弯强度最大值分别为2.2 MPa、2.1MPa、1.8 MPa和1.4MPa。     

水泥窑用耐火材料的发展与展望

1前言随着水泥工业的快速发展,水泥窑用耐火材料也取得了长足的进步,耐火材料技术水平有了显著的变化和提升,各种新产品新技术都得到了应用,并取得了良好的使用效果。据不完全统计,我国新型干法水泥窑吨熟料耐火材料消耗从过去的0.8kg降到目前的0.4kg以下,耐火材料的使     

水热温度对SiC–C/C复合材料表面水热电泳沉积SiCn–MoSi2复合抗氧化涂层的影响

采用水热电泳沉积法在SiC–C/C复合材料表面制备了纳米碳化硅和二硅化钼的复相(SiCn–MoSi2)抗氧化涂层。采用X射线衍射和扫描电子显微镜等对制备涂层的晶相组成、表面及断面微观结构进行了表征。研究了水热温度对制备涂层的结构及高温抗氧化性能的影响,分析了涂层在1 600℃静态氧化行为及失效机理。结果表明:外涂层主要由MoSi2和β-SiC晶相组成。复相外涂层的致密程度、厚度及抗氧化性能随着水热温度的升高而提高。SiCn–MoSi2/SiC复合涂层具有较好的抗氧化和抗热震能力,在1 600℃氧化80 h后氧化质量损失为3.6×10–3 g/cm2。复合涂层在1 600℃的氧化失效主要是由于经过长时间氧化后SiO2玻璃膜层不能及时有效填补涂层中的缺陷,涂层中出现贯穿性的裂纹和孔洞导致的。     

热压烧结制备原位复合（TiB2+TiC）/Ti3SiC2复相陶瓷

采用热压烧结法制备了原位复合(TiB2+TiC)/Ti3SiC2复相陶瓷。采用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜对材料的物相组成和显微结构进行了表征,研究了烧结温度对材料物相组成、烧结性能、显微结构与力学性能的影响。结果表明:烧结温度在1 350～1 500℃范围内,随着烧结温度的升高,合成反应进行逐渐完全,材料的密度、抗弯强度和断裂韧性显著提高。1 500℃烧结可得到致密的原位复合(TiB2+TiC)/Ti3SiC2复相陶瓷,材料晶粒发育较完善,层片状Ti3SiC2、柱状TiB2与等轴状TiC晶粒清晰可见,增强相晶粒细小,晶界干净,材料的抗弯强度、断裂韧性和Vickers硬度分别达到741 MPa,10.12 MPa.m1/2和9.65 GPa。烧结温度达到1 550℃时Ti3SiC2开始发生分解,材料的密度和力学性能又显著下降。     

SiC改性C/C复合材料的制备及其烧蚀性能

采用超声波震荡法将SiC微粉添加到二维针刺碳毡预制体中,利用热梯度化学气相浸渗工艺沉积热解碳制备了SiC改性碳纤维增强碳基(carbon fiber reinforced catbon,C/C)复合材料.借助x射线衍射与扫描电子显微镜检测和观察材料的微观结构,利用氧-乙炔烧蚀实验测试材料的抗烧蚀性能.结果表明:SiC微...     

温度和环境对2维C/(SiC-BxC) n断裂韧性的影响

采用单边切口梁法研究了二维碳纤维增强碳化硼–碳化硅复合材料(2D C/(SiC–BxC)n)在空气和真空两种环境下断裂韧性与温度的关系,用扫描电镜观察断口微观形貌。结果表明:真空中2D C/(SiC–BxC)n复合材料的断裂韧性随温度升高而降低,室温下界面结合弱,残余热应力大,易发生纤维桥接裂纹,断裂韧性高;高温下相反。在空气中随温度升高断裂韧性增加,700℃达到最大值,尔后随温度升高而降低,这与生成的B2O3和SiO2.B2O3固溶体会封填裂纹以及碳相的氧化有关。     

高炉用新型自结合碳化硅砖性能研究

借助XRD、SEM等技术,对新型自结合碳化硅砖的抗碱性、抗渣性和抗热震性等高炉耐火材料的关键使用性能进行了研究,并与Si3N4结合碳化硅高炉砖进行了对比。结果表明:这种新型自结合碳化硅砖热导率高,力学性能好,抗碱性、抗渣性和抗热震性优良,预计用作高炉内衬具有良好的应用前景。     

科锐1200 V碳化硅肖特基二极管开关损耗锐减50%

科锐公司(CREE)日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec碳化硅(SiC)肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。     

IBM即将发布2 GHz石墨烯集成电路未来有可能取代CMOS电路

据美国科技媒体报道,IBM计划在今年12月份在美国华盛顿举办的国际电子器件会议上,介绍其采用CMOS兼容工艺制造的2 GHz石墨烯实验型射频集成电路。乔治亚大学纳米研究中心的教授James D.Meindl称CMOS工艺线宽在到达7 nm时将无以为继,而石墨烯工艺将是下一代集成电路制造方法的首     

ZrB2-SiC超高温陶瓷氧化过程中ZrSiO4相形成机制研究

研究了ZrB2-20vol%SiC超高温陶瓷在空气气氛中的氧化行为,分析了氧化温度、氧分压和氧化时间等对硅酸锆形成和晶体生长过程的影响,提出了ZrB2-SiC超高温陶瓷氧化过程中硅酸锆相的形成机制.热力学计算结果表明,硅酸锆相的形成与高温下SiC的活性氧化有关.实验结果表明,常压氧化过程中,硅酸锆的形成可分为两个阶段,(I)形核,这一过程与SiC的活性氧化有关;(II)晶体生长,随着氧化时间的延长,氧化后形成的富硅玻璃相与氧化锆在硅酸锆晶核处反应,晶粒进一步长大.研究表明,在1500℃氧化90min后,硅酸锆的晶粒尺寸达到100μm左右.