碳化硅粉体湿法研磨中机械力化学效应研究

研究了碳化硅粉体在湿法研磨过程中的机械力化学效应。通过粒度分析仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对不同累积研磨时间下所获碳化硅粉体的特性进行分析。结果表明:随着研磨时间的延长,碳化硅粉体粒度逐渐减小,粉体颗粒均匀化、规则化,粉体晶粒尺寸不断减小,显微应变逐渐增加,晶体结构不断无定形化。研磨初期机械能致力于碳化硅颗粒的粉碎,后期则转为克服由机械力活化引起的粉体团聚。     

碳化硅陶瓷塑性域微切削有限元模拟研究

针对碳化硅材料在较高切削压力的微切削条件下具有脆塑性转变机制,利用专用切削仿真软件Advantedge V5.6,对金刚石刀具微切削碳化硅陶瓷材料的脆塑性转变机制进行了有限元模拟分析,研究了刀具前角、切削速度、切削深度和材料初始温度的变化对材料切削变形、刀-屑接触面最大切削压力、切削力、切削温度的影响变化规律,并与权威文献的实际实验的切削力数据进行了对比,验证了仿真的有效性,获得了较好的模拟结果。研究结果表明:-45°负前角刀具、较小的刀尖圆弧半径、较高的切削速度、较小的切削深度更利于有效的实现碳化硅陶瓷塑性域切削。     

CNH-M磁力泵碳化硅轴承的改进

简述了CNH M系列泵的碳化硅轴承在使用中存在的问题 ,提出了改进的方法及注意事项 ,介绍了改进后的使用情况。     

原位合成TiB2—SiC基复合材料

碳化硅材料具有许多优良的性能，通过原位合成碳化硅基复合材料已经成为当前研究的一大热点，本文对近年来通过原位合成ＴｉＢ２来增强增韧碳化硅基复合材料作了简单综述。     

预热片蔓延合成SiC粉末机理的研究

对预热ＳＨＳ法合成ＳｉＣ粉末所需的最低预热温度及产物粒度与反应物始粒度的关系等进行了研究。发现合成的ＳｉＣ粉末的粒度与Ｓｉ粉粒度无关，在此基础上对ＳｉＣ的形成机制进行了探讨。在通氮气情况下，预热ＳＨＳ－ＳｉＣ反应中有一个β－Ｓｉ３Ｎ４的生成过程，但生成的β－Ｓｉ３Ｎ４在反应的高温下又很快分解。     

气氛对γ射线辐照聚碳硅烷陶瓷先驱丝的化学结构和 …

将聚碳硅烷先驱丝分别在Ｎ２，Ｈｅ，ＮＨ３和限量空气条件下封装于石英管中，用γ射线辐照至特定剂量后，在高温条件下热解转化为ＳｉＣ陶瓷材料，结果表明：除在大气条件下因Ｓｉ－Ｈ的氧化，在波数为３４００ｃｍ＾－１处产生吸收峰以外，其它氛中辐照产物的红外吸收光谱并无明显差异。用热重－红外光谱（ＴＧＡ－ＦＴＩＲ）联用技术和气相色谱法检测到热解过程中有ＣＨ４和大量的Ｈ２析出。当吸收剂量达到１３．８ＭＧｙ时，辐照     

退火处理对Nano—SiC—Al2O3／TiC纳米陶瓷复合材料性能的影响

研究了退火工艺对纳米陶瓷复合材料力学性能的影响。研究表明，纳米陶瓷复合材料在适当退火工艺下，其抗弯强度和硬度可以提高４０％－５０％，但断裂韧度略有下降。     

添加高纯物质对SiC窑具性能的影响

对低温烧成ＳｉＣ窑具中添加高纯物质对基性能的影响进行了研究。结果表明，采用此法能制得热稳定性优良的ＳｉＣ窑具。