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31.
依据脉冲调制器高压电源的需要,研制基于平面绝缘芯变压器结构的高压充电电源。高压充电电源输出结构由多组输出线圈串联,所以电源输出整流二极管数量多,而二极管的功率损耗对电源密封输出结构的温升有直接的影响,所以分别对普通二极管、快恢复二极管和碳化硅肖特基二极管的工作特性进行仿真分析,分析了二极管的关断电流斜率和反向恢复峰值电流的关系,比较了三种二极管在电路中的功率损耗,并依此确定了应用于高压低电流电源上选择二极管的原则。选择C4D05120E(1200V9A)作为高压电源的整流二极管,设计了高压整流电路,并在实验中验证了二极管功率损耗,整体的功率损耗符合二极管功率特性的分析。 相似文献
32.
《武汉理工大学学报》2021,(1):23-27
为改善再造烟叶的感官质量,采用碳化硅陶瓷膜系统对造纸法再造烟叶生产过程中的烟梗提取液进行膜过滤深度净化,研究了不同孔径(0.04μm、0.1μm、0.5μm)的碳化硅膜对烟梗提取液分离效果、粘度、成分和感官质量的影响。研究结果表明:经0.04μm的碳化硅陶瓷膜处理,烟梗提取液的粘度从6.9mPa·s下降到4.0mPa·s,提取液的总糖从8.75%下降到5.41%、总氮从0.47%下降到0.34%、硝酸根从0.28%下降到0.18%,且制备的烟草薄片烟气口感刺激更小、余味更干净,但香气稍淡。表明用于烟草提取液澄清分离的碳化硅陶瓷膜分离技术对于卷烟行业发展具有重要的意义。 相似文献
33.
34.
本文报道了采用PVT法,通过单晶横向延展技术,成功制备出了4英寸碳化硅单晶,结合计算机模拟计算,重点分析了籽晶石墨托几何结构对单晶尺寸延展的影响,结果表明圆台结构的籽晶石墨托更有利于单晶生长初期的迅速横向延展,进而实现大尺寸碳化硅单晶的生长,该理论分析结果与试验结果完全吻合。 相似文献
35.
36.
Martin Domeij 《世界电子元器件》2012,(6):40-41
由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接的能源节省。降低的低功率损耗同样是有益的,可以减小系统体积,并增加像在混合动力及电动汽车领域的市场渗透。 相似文献
37.
泡沫碳化硅波纹规整填料的流体力学及传质性能 总被引:1,自引:0,他引:1
将碳化硅陶瓷材料用于精馏过程,将该材料与波纹板类填料形状相结合开发出泡沫碳化硅波纹规整填料和光滑碳化硅波纹规整填料.对2种填料进行了流体力学性能与传质性能的测试,研究了泡沫结构对规整填料性能的影响.在直径100mm的有机玻璃塔中使用空气-水体系对填料进行干填料压降、湿填料压降、泛点气速、持液量等流体力学性能测试;在直径100mm的常压玻璃塔中,使用环己烷-正庚烷标准物系进行全回流操作,对填料进行传质性能测试.实验结果表明,在填料外形相同的情况下,与光滑填料相比,泡沫填料的干、湿填料压降较高,泛点气速相当,持液量增大,传质效率显著提高. 相似文献
38.
基于宏观有序多孔SiC陶瓷板的制备和对其进行金属铸造的复合技术制备了一种具有三明治互穿结构的新型金属封装SiC陶瓷复合装甲.采用SEM和EDS手段对3种复合装甲中金属(钢和钛合金)/陶瓷界面的显微结构和元素组成或分布进行了分析.相对优良的界面结合的获得与界面相互作用和铸造冷却过程中陶瓷主要受压应力的状态密切相关.界面结构取决于采用的金属材料(包括主体金属元素及其存在状态)和铸造工艺. 相似文献
39.
CVD金刚石薄膜涂层整体式刀具的制备与应用 总被引:2,自引:0,他引:2
化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)金刚石薄膜具有硬度高、摩擦系数低、耐磨性强以及表面化学性能稳定等优异的机械及摩擦学性能,这使其在硬质合金工模具领域具有广阔的应用前景.本文采用热丝化学气相沉积法(hot filament chemical vapor deposition,HFC... 相似文献
40.