半导体器件在辐射作用下的电学输出性能研究

半导体结型器件是决定辐射伏特效应同位素电池能量转换效率的核心部件。采用加速器产生的不同能量电子束和63Ni源的β射线对硅基PIN结型器件进行辐照,在线测量了其电学输出性能。当电子束能量为18 keV,可得到大于4%的能量转换效率;电子束能量为6 keV,能量转换效率在0.16%～0.33%之间; 活度2.96×108 Bq的63Ni源片辐照的能量转换效率为0.1%左右。     

153Sm-DTPA-PNIPAAm的制备及其在荷瘤鼠体内的分布

合成了带双功能偶联剂二乙三胺五醋酸(DTPA)的热敏高分子DTPA-PNIPAAm,它保持了聚(N-异丙基丙烯酰胺)(PNIPAAm)的热敏性.探讨了153Sm-DTPA-PNIPAAm的制备条件和体外稳定性,经皮下瘤内注入后标记物在荷瘤鼠体内的分布.结果表明,室温下153Sm-DTPA-PNIPAAm的最佳标记条件为,pH=7～9,配体质量为20～25 mg,反应时间大于20 min;最高标记率为93.4%;标记物的体外稳定性较高,76 h内标记物的放化纯度保持在96.5%以上;皮下瘤内注入后,标记物主要滞留在注入点肿瘤组织内,3 d时其滞留率为(83.2±9.7)%.     

掺杂聚苯胺导电膜的制备及对核设施表面铀的去污

制备了掺杂导电聚苯胺可剥离膜，首次采用涂膜、电解联用去污方法，进行涂膜电解去除渗透到核设施金属材料内部形成氧化物的铀。在膜中，聚苯胺、盐酸、EDTA-2Na含量各为4％、0．5％～1%、1％；电解电压2．3V、电解时间25min～30min时，其去污率可达99％，优于其它的方法。     

153Sm标记二膦酸配体及其在羟基磷灰石上的吸附

制备了新的伯胺二膦酸类配体ABDP(4-氨基-1-羟丁基-1，1-二膦酸)和2-AEDP(2-氨基-亚乙基-1，1-二膦酸)的^153Sm标记物，研究其标记条件及体外性质。实验表明，使用^153Sm标记两个配体，其标记率均可以达到95％以上，增加配体量可以提高标记率和稳定性，通过研究标记物在羟基磷灰石(HA)上的吸附可以看出，^153Sm—ABDP在HA上的吸附率较高，提示它可能有较好的骨吸附。     

氮吸附法表征多孔材料的孔结构

采用低温氮吸附法表征了具有不同孔结构的碳纳米管、碳分子筛、活性炭、分子筛和石墨化炭黑等多孔材料的孔径分布。氮吸附一脱附等温线利用康塔公司NOVA3000在相对压力0．001-1范围内测定。五种材料的比表面积在100-1000m2／g之间。低压下的吸附等温线和高压下的脱附等温线分别用HK方法和BJH方法解析,结果表明:五种多孔材料既含有发达的微孔,又含有一定数量的中孔。孔径大小及其分布的细微信息在色谱采样中能够预测吸附剂的吸附性能,也是新型多孔材料开发的关键。     

低浓缩铀靶辐照后裂变核素产量的理论研究

用低浓缩铀靶代替高浓缩铀靶辐照进行⁹⁹Mo、¹³¹I等医用放射性核素生产是一个必然的趋势。本文利用输运计算程序DRAGON研究了靶件²³⁵U富集度、中子注量率、辐照时间对⁹⁹Mo、¹³¹I、⁹⁰Sr、⁹⁵Zr、²³⁹Pu等核素比活度变化的影响,以及不同²³⁵U富集度下裂变体系组成和总比活度的变化规律。计算结果表明,本文考察的10余种核素比活度的变化随辐照时间的不同而有所不同,其中⁹⁹Mo、¹³¹I、¹⁴⁷Nd和¹³³Xe等核素的比活度可快速达到饱和,⁸⁹Sr、¹⁰³Ru、⁹⁵Zr和¹⁴¹Ce等缓慢达到饱和,而⁹⁹Tc、⁸⁵Kr和⁹⁰Sr、²³⁹Pu在计算时间内达不到饱和,但所有核素的比活度随时间的变化趋势与靶件²³⁵U富集度无关;⁹⁹Mo、¹³¹I、⁹⁰Sr、⁹⁵Zr等核素的比活度均随靶件²³⁵U富集度提高而增加,而²³⁹Pu比活度则随着靶件富集度的减少而显著增加,提示改用低浓缩铀靶进行⁹⁹Mo、¹³¹I等医用放射性核素生产时应特别关注²³⁹Pu带来的影响;核素比活度随中子注量率的增加而线性增加,且斜率基本相同;靶件辐照时间的改变不会明显影响裂变体系的组成,在低浓缩铀（²³⁵U含量≤20%）区域,靶件²³⁵U富集度对裂变体系的组成影响很小。     

188Re-HEDTMP在羟基磷灰石上的吸附效应

在制备^168Re-HEDTMP的基础上，研究了吸附时间、反应温度、配体羟乙基乙二胺三亚甲基膦酸（HEDTMP）用量、pH等因素对配合物在羟基磷灰石（HA）上吸附的影响。结果表明，吸附时间t=10min,n(HEDTMP):n(Re)=50:1，pH=1.5时，可以得到最佳吸附结果，温度对吸附几乎没有影响；吸附产物体外稳定性较好。     

PREPARATION OF BONE TUMOR THERAPEUTIC RADIOPHARMACEUTICALS ^153 Sm—EDTMP

ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ　ＯＦ　ＢＯＮＥ　ＴＵＭＯＲ　ＴＨＥＲＡＰＥＵＴＩＣ　ＲＡＤＩＯＰＨＡＲＭＡＣＥＵＴＩＣＡＬＳ　~（１５３）Ｓｍ－ＥＤＴＭＰＬｕｏＳｈｕｎｚｈｏｎｇ（罗顺忠）；ＰｕＭａｎｆｅｉ（蒲满飞）；ＱｉａｏＪｉａｎ（谯健）；ＬｉｕＺｈｏｎ?..     

ZrV2合金的吸、放氘性能研究

测定了ZrV2合金的吸、放氘P－C－T曲线、吸附（或离解）平衡压与温度的关系曲线、初始吸附速率曲线，确定了ZrV2合金的吸、放氘热力学参数，给出了ZrV2合金的吸附容量、室温吸附（或离解）平衡压，为该材料的应用提供了依据。     

金属镱低压吸氘研究

在真空系统中的氘压低于0．1MPa条件下研究了金属镱的吸氘性能，并对不同原子比的氘化物的物相进行了分析。在常压、300℃下，金属镱吸氘不明显；400℃时，金属镱经较长时间活化后吸附一定量的氘；500℃时，镱升华。400℃时的吸氘实验结果表明：从活化至开始吸氘直至吸附平衡需很长时间；氘／镱原子比的高低与吸氘时间有关，饱和吸时的原子比最大为2．00；金属镱为面心立方（fcc）结构，a0=0.5492nm。具有不同原子比的氘化镱的X射线衍射（XRD）分析结果显示：氘化镱有2种结构，即面心立方结构（a0=0.524nm）和正交结构（a0=0.588nm、b0=0.358nm、c0=0.678nm）；金属镱吸氘后，立方结构氘化镱晶格常数及晶胞体积均发生收缩现象，收缩率分别约为4％和11％。正交结构氘化镱晶本积收缩约14％。