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1998年 | 1篇 |
1996年 | 2篇 |
1995年 | 3篇 |
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1993年 | 2篇 |
1991年 | 3篇 |
1989年 | 1篇 |
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1.
用低浓缩铀靶代替高浓缩铀靶辐照进行99Mo、131I等医用放射性核素生产是一个必然的趋势。本文利用输运计算程序DRAGON研究了靶件235U富集度、中子注量率、辐照时间对99Mo、131I、90Sr、95Zr、239Pu等核素比活度变化的影响,以及不同235U富集度下裂变体系组成和总比活度的变化规律。计算结果表明,本文考察的10余种核素比活度的变化随辐照时间的不同而有所不同,其中99Mo、131I、147Nd和133Xe等核素的比活度可快速达到饱和,89Sr、103Ru、95Zr和141Ce等缓慢达到饱和,而99Tc、85Kr和90Sr、239Pu在计算时间内达不到饱和,但所有核素的比活度随时间的变化趋势与靶件235U富集度无关;99Mo、131I、90Sr、95Zr等核素的比活度均随靶件235U富集度提高而增加,而239Pu比活度则随着靶件富集度的减少而显著增加,提示改用低浓缩铀靶进行99Mo、131I等医用放射性核素生产时应特别关注239Pu带来的影响;核素比活度随中子注量率的增加而线性增加,且斜率基本相同;靶件辐照时间的改变不会明显影响裂变体系的组成,在低浓缩铀(235U含量≤20%)区域,靶件235U富集度对裂变体系的组成影响很小。 相似文献
2.
采用恒容变压法研究了系列组分钛铪合金TiHfx(x=0.13、0.26、0.52)和Hf在相同初压、473K~873K温度下的吸氘动力学行为,获得了吸氘量与吸氘时间的关系,分析了影响动力学行为的因素。在473K~873K温度范围内,TiHfx合金吸氘曲线在高温和低温下具有两种不同的特征,揭示了不同的反应机制。在673K以上,TiHfx吸氘经历α→β相变过程,而673K以下的吸氘过程为α→δ相变。结果可见,TiHfx-D体系的共析相变温度在673K附近,随Hf含量增加,共析相变温度升高。 相似文献
3.
~(64)Cu,~(68)Ga,~(86)Y和~(89)Zr具备不同的半衰期和特殊生物体内性质,丰富了PET药物的多样性,为疾病的诊断和治疗提供了新的契机。近年来,金属正电子核素~(64)Cu,~(68)Ga,~(86)Y和~(89)Zr标记的药物在正电子发射计算机断层显像(PET)诊断中的应用越来越多,~(64)Cu在乏氧显像中发挥重要作用,~(68)Ga在靶向神经内分泌(NET)类肿瘤的诊断药物领域发展迅速,~(86)Y,~(89)Zr有望在免疫PET和放射免疫治疗领域发挥作用。本文主要综述金属正电子核素~(64)Cu,~(68)Ga,~(86)Y,~(89)Zr的生产与纯化,溶液配位化学以及应用方面的研究进展。 相似文献
4.
以加载有63Ni源片的GD3217Y型探测器为处理件,在完成对封装材料的配方选择、灌注工艺、流程的制定并得到具有较好工艺性的灌注条件的基础上,分别对原件、加载不锈钢圆片器件、加载电镀814×107Bq63Ni不锈钢圆片器件进行非放、放射灌注封装。在对灌件可靠性进行检测的基础上,着重考察了原件、无/加载不锈钢圆片灌件、加载电镀814×107Bq63Ni不锈钢圆片灌件封装前后、自然老化及人工加速老化后电学输出特性,即考察在63Ni源持续辐照下,灌料、63Ni源、不锈钢片、芯片以及其他部件构成的体系内部之间相互作用关系,即封装件特殊要求——屏蔽性、时效性。研究结果表明,对以上结构的GD3217Y型探测器组件采用该种封装方式后除改善探测器组件的环境适应性,特别是在保证放射源使用安全性的基础上具有较为稳定的电学输出性能,这为辐伏效应同位素电池封装提供了参考。 相似文献
5.
6.
辐射伏特效应同位素电池换能单元的初步设计 总被引:2,自引:0,他引:2
初步设计制作3种辐射伏特效应同位素电池换能单元,测试其在固态63Ni源和3H源辐照下的输出电特性,对输出电特性进行数学解析模型分析并提出进一步改进设计的思路。结果表明,设计的换能单元在发射高能α同位素作用下,性能快速急剧退化;在2.96×108Bq的63Ni源辐照下,获得最大短路电流为28.4nA,最大开路电压为0.267V;在约5.09×109Bq的3H源辐照下,获得最大短路电流为62.8nA,最大开路电压为0.260V。当前换能单元参数还需进一步优化。 相似文献
7.
8.
9.
10.
以(CH_3)_3SiOH羟基模拟Li_4SiO_4陶瓷表面羟基,研究了H_2O与(CH_3)_3SiOH羟基H的氢交换反应机理.采用HF, MP2方法,在3-21G和6-311G++H~(**)水平上优化了(CH_3)_3SiOH, H_2O, (CH_3)_3SiOH-H_2O复合物及氢交换反应过渡态的结构.计算了生成(CH_3)_3SiOH-H_2O复合物的反应热,探讨了氢交换反应的路径.结果表明,可以形成2种形式的(CH_3)_3SiOH-H_2O复合物,一种是H_2O的O原子与(CH_3)_3SiOH羟基的H原子作用形成的复合物,另一种是H_2O的H原子与(CH_3)_3SiOH羟基的O原子作用形成的复合物.MP2/6-311G++~(**)水平上,对基组重叠能(BSSE)进行校正后,上述2种复合物的反应热分别为20.046 5 kJ/mol和21.630 7 kJ/mol.有利的氢交换反应路径为:H_2O的H原子与(CH_3)_3SiOH羟基的O原子作用形成的复合物,然后H2O提供1个H原子、1个O原子,(CH_3)_3SiOH提供1个O原子、1个Si原子形成由O, H, O, Si 4个原子构成的四元环过渡态,最后H_2O的O原子与(CH_3)_3SiOH 的Si原子成键形成新的(CH_3)_3SiOH,而(CH_3)_3SiOH的Si-O键断裂,由(CH_3)_3SiOH的羟基和H_2O的1个H原子形成新的H_2O分子,MP2/6-311G++~(**)水平上,BSSE校正后,此路径的反应活化能为186.898 4 kJ/mol. 相似文献