厚膜电阻制造技术研究

针对传统厚膜混合集成电路在厚膜电阻制造过程中存在厚膜电阻阻值离散性大、印刷效率低及产生大量试阻片浪费等问题,特对厚膜制造技术进行了研究。通过对厚膜电阻设计和制造原理进行分析,发现厚膜电阻印刷膜厚对其阻值至关重要,因此,决定采用厚膜电阻印刷膜厚监测以达到控制厚膜电阻阻值的方式,先对厚膜电阻印刷时膜厚控制范围进行确定,同时根据所使用的厚膜电阻浆料方阻的不同,对厚膜电阻印刷膜厚控制范围进行调整,然后依据调整后的膜厚控制范围直接进行厚膜电阻印刷。经过实际验证,采用这种加工方式使厚膜电阻加工效率和成品率得到了大大提高,同时厚膜电阻阻值一致性也得到了很大改善。     

电阻式厚膜敏感元件的研究与发展

一、前言厚膜混合集成电路中的电阻、电容、电感及导带是应用厚膜技术制作的在电路基片上的膜式元件。它们与传统的分列元件相比精度及可靠性高,体积小,重量轻,在设计上变通性强、周期短、成本低,便于批量生产。     

MEMS兼容PZT压电厚膜的性能测试

丝网印刷法制备PZT厚膜工艺与MEMS技术兼容.通过调整PZT印刷浆料粘度,并采取多次套印、多次退火及合理的烧结工艺,在硅膜片上获得了较致密的PZT厚膜.采用悬臂梁方法对制备的Ag/PZT/SiO2/n+Si结构复合压电厚膜进行了直接测试,结果表明PZT压电厚膜的压电常数d31可达70×10-12m/V,以此方法制备的压电厚膜适合作为MEMS执行器的微驱动元件.     

集成电路技术在生物传感器中的应用

综述了集成电路技术在生物传感器微型化、集成化方面的应用。用光刻技术可以制造微电极、超微电极和微电极阵列、微型电化学流动池、固定化酶柱／电化学流动池集成元件和酶反应器／化学荧光检测器集成元件；用各种厚薄膜技术可以制造以丝网印刷电极、离子敏场效应晶体管、压敏和光敏元件为基础的生物传感器。     

厚膜半导体工艺在气敏元件生产中的应用

文中讲述了将厚膜半导体工艺应用于气敏元件的生产制作,综合运用精密丝网印刷、激光分割、激光调阻、平面绑定等先进技术,达到了高质量、高效率生产气敏元件的效果.应用半导体工艺制作的气敏元件相比传统工艺制作的产品具有体积小、功耗低、机械性能好、批次一致性好等优点.     

磨损量的传感器测量

磨损是的在线测量,是摩擦学工作者一地致力解决的问题。本文提供的是一种基于厚膜电阻技术,采用丝网印刷制造的厚膜磨损传感器。实验结果表明,厚膜的厚度决定着磨损传感器的性能。增大电阻率,减小宽度,可改善传感器的灵敏度。磨损量与电阻间的关系为双曲线,与理论推导基本一致。     

硅基PZT压电功能结构研究

PZT压电薄（厚）膜是制备MEMS传感元件和执行元件重要的功能材料,对近年PZT薄（厚）膜在MEMS领域的研究现状进行了分析,提出了一种新型的双杯PZT/Si膜片式功能结构;采用有限元方法对双杯PZT/Si膜片进行了结构优化,得到PZT和上、下硅杯的结构优化值为DPZT: D1:D2 =0.75:1.1:1;一阶模态谐振频率为13.2KHz;以氧化、双面光刻、各向异性刻蚀,以及PZT厚膜丝网印刷等工艺技术制作了双杯硅基PZT压电厚膜膜片,该膜片具有压电驱动功能。双杯PZT/Si膜片式功能结构的MEMS技术兼容性好,对芯片内其它元件或电路的影响小,适合作为MEMS片内执行元件的驱动机构。     

基于PI隔离介质的厚膜金属互连工艺

基于PI隔离介质的厚膜金属互连工艺,是一种使用新型低K值材料作为隔离介质,并采用电化学沉积作为主要金属生长方式的金属厚膜互联技术,这种技术将有效解决丝网印刷工艺中的导电层图形分辨率低、导电层厚度不易控制、不易制备高熔点金属厚膜导电层等问题,并且利用新型隔离材料将有效减小工艺中产生的寄生电容。     

硅基PZT压电功能结构

为获得适合单片集成的硅基PZT压电功能结构,对近年PZT薄(厚)膜在MEMS领域的研究现状进行了综述分析,提出了一种新型的双杯PZT/Si膜片式功能结构.采用有限元方法对双杯PZT/Si膜片进行了结构优化,得到PZT和上下硅杯的结构优化值为DPZT∶D1∶D2 =0.75∶1.1∶1,一阶模态谐振频率为13.2 kHz.以氧化、双面光刻、各向异性刻蚀以及精密丝网印刷等工艺技术制作了双杯硅基PZT压电厚膜膜片,膜片具有压电驱动功能,PZT压电膜厚达80 μm.实验表明,双杯PZT/Si膜片式功能结构的MEMS技术兼容性好,对芯片内其它元件或电路的影响小,适合作为MEMS片内执行元件的驱动机构.     

表面安装的电子组件设计与研制

表面安装技术是实现高密度电子组装的卓有成效的途径之一。本文介绍了采用这一技术研制的并已应用于某卫星地面站及机载电子设备的几种电子组件的设计和制造过程。组件几种结构是:以印制板为基板的混合表面安装组件、单层陶瓷基板混合电路组件、集成电路芯片直接安装在多层厚膜陶瓷基板上采用线焊法的混合电路组件。各种组件采用新型元件和新的制造工艺,分析了各种组件的结构特点及实际应用效果。     

集成电路电源设计

目前,生产的集成电路稳压器有半导体集成电路稳压器和混合集成电路稳压器两种型式。半导体集成电路稳压器虽有基准电压电路和误差放大器电路等复杂的电路,但比较容易制造,与此相反,如控制电路功率放大器一定要加散热装置,而在分压器上制造必要的精密电阻是比较困难的。目前使用的半导体集成电路稳压器里,一般都附加有控制用的三极管和分压电阻等元件,在性能方面,多数情况下不仅可以应用到稳压电流,而且可以应用到稳流源的各种型式上。     

硅集成霍尔开关传感可靠性设计与制造技术

我公司原系南京半导体器件总厂技术开发研究所,专门从事半导体集成电路的研制和开发。自1979年起,利用其先进的半导体技术,研制和生产出以霍尔效应器件为主的各种磁敏传感器,包括InSb霍尔效应元件、硅霍尔效应集成电路和以霍尔元器件为核心,利用厚膜混合集成及表面安装等技术二次集成的各种霍尔传感器,如霍尔接近开关、翼片开关、角度传感器、电流、电压传感器、钳形电流表等等。这些传感器已大量用于机械、电子、航空、航天、     

纸基包装设计中的丝网印刷技术的应用

传统的印刷技术印刷效率较差,并且印刷成品中部分成分存在一定的安全问题。针对上述问题,研究了纸基包装设计中的丝网印刷技术,介绍了纸基包装设计中的丝网印刷技术的工作原理,丝网印刷技术主要由印版、刮板等工具来完成,利用回弹力作用实现印刷。同时使用手工印刷、机械印刷和活面丝网印刷来提高印刷速率,采用直接制版法、间接制版法、直间混合制版法进行印版制作。丝网印刷技术每小时的平均印刷量约是传统技术每小时平均印刷量的1.5倍。通过与传统技术进行对比可知,研究的纸基包装设计中的丝网印刷技术具有很高的安全性,且印刷效率好,适用于印刷工业。     

采用互补金属氧化物半导体(CMOS)的手表

近几年来,被誉为高精度的水晶手表十分引人注目。这种水晶表与原来的机械式表不同,它是采用集成电路驱动的。这种表的精度较高,误差小于±0.2秒。世界上最早出售水晶手表是在1969年末,最初这种表的电路为双极性晶体管,厚膜电阻和电容组合的混合集成电路。1970年美国因泰西尔公司发明了1.5V工作电压的CMOS集成     

基于厚膜混合集成的硅微机械加速度传感器

采用厚膜混合集成技术实现了硅微机械加速度传感器工程样机。介绍了厚膜混合集成电路工艺的原理和特点、传感器的结构和工作原理，研究了信号提取和处理方法，优化了反馈控制校正电路网络，利用电容转换专用集成电路，通过厚膜技术组装了工程样机。实验结果表明：该单片加速度传感器具有较高的精度和零偏稳定性。     

印刷电路板制作过程中拼版工作的改进

有些仪器仪表例如表头继电器乃至厚膜电路中有时要用尺寸比较小的印刷电路板。当然这种尺寸比较小的印刷电路板的制作也和集成电路一样不能单独一块一块的去作,而是很多个一起来做。因此它的制做工序与大块印刷电路板的制作就稍有不同。它要首先制一块具有很多同样图形的电路底版。而这个具有很多图形的底版对于没有重复照像机的单位来说必须借助于拼版来完成。     

基于陶瓷基底厚膜印刷电阻的液压油远程监控系统设计

对液压系统中液压油容易掺杂各种微小的金属颗粒造成各类电磁阀易损的问题,提出了一种基于陶瓷基底厚膜印刷电阻的液压油远程监控技术,为企业液压油污染监测系统的研制提供参考。     

锂离子电池铜集流体表面集电结构加工及性能研究

铜集流体的导电性能对锂离子电池的容量和循环性能有着较大的影响。采用电火花线切割加工出三种微柱状结构表面的铜片,并在铜片表面涂布五组不同黏度的浆料制作成极板,再用五组不同的烘干温度烘干,烘干后将极板组装成测试体,通过测试电路测试其电阻。研究发现,在浆料成分和配比固定不变的情况下,具有微柱状表面结构的铜集流体的导电性能比光滑表面结构的铜集流体的导电性能提高了约8%,而浆料黏度为2900 MPa·s、3500 MPa·s,干燥温度为70℃制得的负极板的导电性能最好。     

铂厚膜传感器及SWK系列温控仪

采用对温度灵敏、且性能相当稳定的高纯铂粉为主要原料,以厚膜微电子技术在高纯氧化铝基片上制成厚膜电阻温测敏感元件,不仅在我国尚无先例,即在当今国际上也只有少数几个发达国家初出成果。航天部北京遥测技术研究所的科研人员,经过几年的调研和设计试验,终于研制成功我国自己的铂厚膜电阻温测元件和传感器,并与江苏宝应自动化仪表厂合作,首创     

偶联剂对导电陶瓷粉过电流保护元件的性能影响

研究了偶联剂对以陶瓷粉作为导电粒子的过电流保护元件的室温电阻、R-T特性、耐电流冲击的影响,结果表明:随着偶联剂含量的增加,过电流保护元件的室温电阻呈现先降低后升高;过电流保护元件的R-T特性中电阻突变起始温度升高且转变温区变宽;过电流保护元件耐电流冲击后电阻升幅降低。在以陶瓷粉作为导电粒子的过电流保护元件中添加偶联剂,提高了过电流保护元件的电阻稳定性。