基于电容法的油水界面测量电路设计

本文以电容介质变化为感测元件,实时检测油罐内油水界面的位置,利用单片机控制电容充放电,通过斜率精确测得电容,准确确定油水界面位置;实验表明本测试系统具有较好的稳定性和可靠性,达到了良好的测试效果。     

自动跟踪式泥水界面测量装置研制

在废水处理工艺中,泥浆沉降罐是密封的,工艺操作人员无法知道内部液面及化学泥浆和上清液的界面位置,而这2个参数在工艺运行中是非常重要的。采用浊度测量的方法结合自动跟踪装置,设计出了测量传感器及控制方案,实现了密封泥浆沉降罐中泥浆界面高度的实时检测,为指导工艺运行,降低二次放射性废物的数量提供了技术保障。     

基于电容传感器的油水界面监控装置

介绍了基于电容传感器的油水界面监控装置的设计思想,阐述了电容传感器的工作原理和该装置的监测原理。装置单机工作时,单片机处理数据,通过显示装置显示油水界面的信息,并控制外设实现储油罐的自动放水及动态液位的显示。设计了串行通信接口,以便进行系统的扩展,实现PC的集中控制。     

MOS结构的软X射线辐射损伤

本文报道了MOS结构受软X射线辐照的辐射损伤的研究结果.指出,软X射线辐照将引起了 SiO_2层中正电荷及SiO_2-Si界面界面态密度的增加,而且在SiO_2体内形成电子陷阱和中性陷阱.文中还报道了辐射损伤的退火结果.     

软X射线多层膜反射镜界面粗糙度的一种估算方法

介绍了描述单个非理想粗糙界面散射的D .G .Stearns法 ,它适用于软X射线短波段区域。将这种方法应用到多层膜结构 ,并采用它的数学模型来描述软X射线短波段区域 (1～ 10nm)多层膜界面粗糙度。在此理论下 ,对波长为 4.77nm的Co/C多层膜反射镜界面粗糙度进行了分析 ,估算出该多层镜界面间均方根粗糙度为 0 7nm。     

软X射线多层膜反射镜界面粗糙度的一种估算方法

介绍了D.G.Sterns的散射方法,用它来描述单个非理想粗糙界面的散射,它适用于软X射线短波段区域.将这种方法应用到多层膜结构,并采用D.G.Sterns方法的数学模型来描述软X射线短波段区域(1～10 nm)多层膜界面粗糙度.在这个理论的框架下,对我们所研制的波长为4.77 nm的Co/C多层膜反射镜界面粗糙度进行分析,估算出该多层镜界面间均方根粗糙度为0.7 nm.粗糙度估算结果与小角X射线衍射的测定结果相一致.(PE13)     

激光全息干涉法研究表面活性剂对液-液传质的影响

针对液-液传质过程,建立了实时激光全息干涉及传质模拟系统;根据不同表面活性剂浓度时,溶质通过油水界面传质的全息干涉图,得到了水相侧近界面浓度随表面活性剂浓度变化的关系曲线,建立了水相侧近界面浓度与油相侧近界面浓度和表面活性剂浓度的关联方程,并对模型参数进行了拟合。     

一种基于射频导纳式的油水面物位仪的设计选取与应用

随着数字微电子技术和计算机技术的不断发展,物位测量技术发展迅速,利用时间行程原理非接触式测量的超声、雷达等物位测量技术,还有应用较为成熟的电容及各种电子型物位测量技术,都已慢慢成为物位测量方法中的重要手段,与原来机械式的物位测量仪表在各种应用领域优缺点互补。本文介绍了一种基于射频导纳式油水界面物位仪的设计原理分析及选取,并应用于油田项目的油水界面测量。     

Si/Si直接键合界面的FTIR和XPS研究

通过新颖的键合方法实现了Si/Si直接键合.采用傅里叶红外透射谱(FTIR)对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组分为Si和O,无OH和H网络存在.X射线光电子谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为单质Si和SiOx混合网络,且随着退火温度的升高,界面层Si-Si直接成键的密度也越高.     

基于射线检测的焊缝缺陷自动识别技术研究

本文介绍了射线检测的基本原理,分析了射线检测技术实现自动化的难点所在,分析焊缝检测图像的预处理过程和焊缝缺陷的特征提取方法,通过人工智能的方法实现了射线检测的焊缝缺陷自动识别,取得了良好的效果.本文的研究可以为无损检测技术的应用提供借鉴,具有一定的现实意义.     

一种新的辐射试验技术--低能X射线辐照

首先分析了辐照条件下MOSFET氧化层及Si／SiO2界面陷阱电荷和界面态电荷产生的机理,随后介绍了一种低能X射线辐射系统,最后讨论了X射线辐照后nMOSFET阈值电压的变化。结果表明采用X射线辐照对nMOSFET的阈值电压的影响与^60Co辐照影响的规律一致。     

GaAs／GaP界面的X射线掠入射衍射分析

本文用掠入射全反射Ｘ射线衍射，结合常规Ｘ射线衍射，对ＧａＡｓ／ＧａＰ应变层界面进行了研究，给出了界面关配度、薄膜晶胞的畸变和界面弛豫等结构参数．结果表明掠入射衍射（ＧＩＤ）是测定半导体薄外延膜界面结构的有效工具．     

用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成

利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的SiO2/4H-SiC界面的化学组成.获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1～1.5 nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析.结果表明,高温氧化SiO2/4H-SiC界面,类石墨碳较多,除Si1 成分外,还存在Si2 和Si3 两种低值氧化物.三种工艺处理后界面成分含量的对比,指出界面成分可通过合理工艺有效控制,以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善.     

层状多界面的超声相控阵换能器声场研究

针对层状多界面粘接检测存在的难点,采用相控阵超声检测技术进行研究.建立了矩形换能器的辐射声场模型与声束聚焦偏转的时间延迟计算方法,实现了对声束的聚焦偏转控制.采用7 MHz的超声相控阵换能器仿真研究了多层介质中声场的特性,从仿真结果得出相控阵超声技术可用来检测层状多界面结构的多界面脱粘情况.     

不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析

为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性.根据金属-绝缘层-半导体(MIS)结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得到了肖特基接触界面态密度(N88)的能级分布情况,N8s约为1012 eV-1·cm-2量级.退火温度升高,N8s的能级分布靠近导带底;测试温度升高,Ns8增加且其能级分布远离导带底.利用X射线光电子能谱(XPS)分析表征肖特基接触界面态化学组分,分析结果证实接触界面存在SiO.SiO组分随退火温度的升高而减少,在退火温度为500℃及以上时检测到Mo-C成分,说明Mo与4H-SiC发生反应.     

“水窗”波段3.1～4.4nm用X射线多层膜反射镜的结构与光学性能

软X射线多层膜技术从八十年代起发展至今,对于10nm以上波段制备技术已趋成熟.但是,开发制备高性能水窗波段(2.4～4.4nm)用正入射多层膜反射元件对于现代技术仍然是一大挑战.周期极小(1.2～2.2nm)的X射线多层膜反射镜对界面粗糙度和层间扩散渗透有极其苛刻的要求.即使是一个原子尺度的界面粗糙度都对多层膜     

HX型分段电容式物位计在油水界面测量中的应用

油田油水界面的测试，目前采用以浮球和射频导纳为原理的界面计较普遍。我们在实际应用中发现，浮球式界面计要求两种不同介质密度应有一定的差异，如果密度差异小，例如原油中含硫、含腊较高和油水密度相接近，浮球界面计就很难使用。此外，浮球式界面计因为有机械运动，浮子往往易卡死，造成虚假液位。射频导纳液位计其基本测量原理仍是电容式，但其测量的前题是介质介电常数ε应保持不变，否则测量不准确，然而油田的原油成份并不十分确定，所以介电常数也是在一定范围内变化，同时由于水中含各种杂质，探极使用一段时间后，在其外壁上将…     

反应溅射生长的a-Si:H/a-Ge:H超晶格光学性质研究

本文报道了反应溅射法制备的a-Si:H/a-Ge:H超晶格结构特性.小角度X射线衍射测量和透射电子显微镜观察表明:超晶格层厚均匀、层间平行、界面处组分突变、周期性良好;喇曼散射、光吸收和红外透射表明:在超晶格中并不存在由于超晶格结构引起的界面结构无序,界面无H富集现象.     

集成电路封装级失效及其定位

失效分析中有许多类型的封装级失效.由于封装材料限制或者无损检测要求,无法从外观直接观察到失效点,需要借助于设备进行失效定位才能快速、准确地进行分析.总结了集成电路封装级失效的几种常见失效机理和失效原因,提出三种有效的分析手段和分析方法进行失效定位:X射线检测、超声扫描声学显微镜以及热激光激发光致电阻变化(OBIRCH)技术,分别用于元器件结构观察、不同材料界面特性分析和键合损伤位置定位.从倒装芯片封装、陶瓷封装、塑料封装和金铝键合短路四个失效分析的实际案例出发,阐明三种封装级失效定位手段应用的领域、特点和局限性.结果表明在封装级失效中,通孔断裂开路、焊料桥连短路、键合损伤和界面分层等缺陷能够准确地被定位进而分析.     

电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究

采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因.基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.