钨破片侵彻舰艇装甲薄弱部位毁伤效能评估

模拟了末端制导反舰导弹在侵彻舰艇装甲时末制导弹爆炸模型,得出破片飞行的初速度,再通过 ANSYS/LS-DYNA进行不同速度和质量及形状的钨合金破片侵彻装甲薄弱部位的数值模拟,得出高速自锻破片能够对装甲毁坏,但会使装甲出现反弹,侵彻深度不及中等速度破片;尖头破片出现较大应力集中,未到侵彻深度会使破片破坏;得到毁坏薄装甲的最小破片质量,为薄弱装甲防护提供了参考。     

雪崩击穿条件下4.5kV IGBT器件的背面优化研究

The static avalanche breakdown behavior of 4.5 kV high-voltage IGBT is studied by theory analysis and experiment. The avalanche breakdown behaviors of the 4.5 kV IGBTs with different backside structures are investigated and compared by using the curve tracer. The results show that the snap back behavior of the breakdown waveform is related to the bipolar PNP gain, which leads to the deterioration of the breakdown voltage. There are two ways to optimize the backside structure, one is increasing the implant dose of the N C buffer layer, the other is decreasing the implant dose of the P C collector layer. It is found that the optimized structure is effective in suppressing the snap back behavior and improving the breakdown characteristic of high voltage IGBT.     

4500V SPT IGBT 动静态损耗优化

本文关注高压IGBT动静态性能的优化。对4500V增强型平面IGBT进行研究,该结构在阴极一侧具有载流子存储层。其中垂直结构采用软穿通(SPT)结构,顶部结构采用增强型平面结构,该结构被称为SPT IGBT,仿真结果显示4500V SPT 具有软关断波形,与SPT结构相比提升了导通压降和关断损耗之间的折衷关系。同时,对不同载流子存储层掺杂浓度对动静态性能的影响也进行了研究,以此来优化SPT IGBT的动静态损耗。     

基于CCAE的药筒抽壳性能的影响因素分析研究

为了解决大口径火炮药筒在射击时存在卡壳或者抽壳困难的问题,采用药筒划分不同区域的办法,对不同钢材、不同温度以及同一钢材不同材料参数这3种工况进行有限元仿真计算。结果表明药筒口部和药筒斜肩部抽壳力的占比较多;不同钢材对药筒抽壳力有一定的影响,其中30#钢相比20#钢、45#钢而言更容易抽壳;依据实验要求更换钢材材料参数,计算得出的抽壳力相比修改参数之前下降约50%左右,效果十分显著;温度升高对应的抽壳力也就越大,温度对抽壳的影响不可忽视。因此,在设计中应合理地在不同分区采用不同材料,确保更换材料参数可以降低药筒口部和药筒斜肩部的抽壳力,同时降低药筒温度,从而顺利抽壳。     

MgO-CaO耐火材料性能研究进展

介绍了MgO-CaO耐火材料的特性,总结了提高MgO-CaO耐火材料的抗水化性、烧结性、抗渣性、抗剥落性等的技术措施。提出了MgO-CaO耐火材料的发展方向,即:开发高CaO含量的MgO-CaO耐火材料;进一步开发不烧MgO-CaO耐火材料;开发水泥回转窑用MgO-CaO耐火材料。     

一种适用于速率陀螺的捷联航姿算法

为了能将新型固态速率陀螺应用在常规弹箭上,必须研究超高精度的捷联航姿算法,以适应此特殊的应用环境．应用速率陀螺在当前迭代周期和前次迭代周期内输出的信息提出一种修正算法,推导了该方法在典型圆锥运动下的算法误差．结果表明：在速率输入情况下,与传统算法比较,新算法具有较高的精度和适中的计算复杂度．     

碱液吸收法制取食用CO2节能降耗的技术分析

纯度99%以上的二氧化碳(CO2),在饮料、焊接、铸造、灭火、化肥及制取水杨酸等方面有着广泛的用途.CO2产品已列入国家产品目录,已有国家标准.美国和日本的CO2产量都很大,与各自国家的纯碱产量相当,我国的CO2产量还很低,与小苏打的产量相当.     

不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析

为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性.根据金属-绝缘层-半导体(MIS)结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得到了肖特基接触界面态密度(N88)的能级分布情况,N8s约为1012 eV-1·cm-2量级.退火温度升高,N8s的能级分布靠近导带底;测试温度升高,Ns8增加且其能级分布远离导带底.利用X射线光电子能谱(XPS)分析表征肖特基接触界面态化学组分,分析结果证实接触界面存在SiO.SiO组分随退火温度的升高而减少,在退火温度为500℃及以上时检测到Mo-C成分,说明Mo与4H-SiC发生反应.     

不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀及XRD分析北大核心

为探究退火温度对Mo/4H-SiC肖特基接触势垒不均匀程度的影响,对在不同退火温度下形成的Mo/4H-SiC肖特基接触进行了不同测试温度下的电流-电压（I-V）及电容-电压（CV）测试,运用Tung理论模型和＂T0反常＂中的T0值评价势垒不均匀程度,X射线衍射（XRD）分析肖特基接触的物相组成。分析结果表明,测试温度升高时I-V测试提取的势垒高度接近于C-V测试提取的势垒高度,退火温度500℃及以上时Mo与4H-SiC发生反应,且导致较低的势垒高度。退火温度为600℃时,肖特基接触具有最低的势垒不均匀程度,且此退火温度下势垒高度相对500℃及700℃时较高,物相组成为Mo2C及Mo4.8Si3C0.6。     

列车错车时的空气流场分析

目的：分析由于列车提速引起的列车错 车时玻璃破碎等问题，并寻求解决问题的途径，从而保障旅客运输的安全，方法：建立列车错车时流体动力学模型，利用有限元软件－ANSYS，对列车错车的流场进行数值分析。结果：根据流场分析，得到了车厢外侧的空气压力分布，结论：通过与实验结果的对比，证明了有限元分析的正确性，有限元分析的结果为解决玻璃破碎问题提供了可靠的依据。