| 不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析 |
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| 引用本文： | 董升旭,白云,杨成樾,汤益丹,陈宏,田晓丽,刘新宇.不同退火温度下Mo/4H-SiC肖特基接触界面特性分析[J].半导体技术,2018,43(7):523-528. |
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| 作者姓名： | 董升旭 白云 杨成樾 汤益丹 陈宏 田晓丽 刘新宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京 100029;中国科学院大学,北京 100049;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2016YFB0100601) |
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| 摘 要： | 为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性.根据金属-绝缘层-半导体(MIS)结构二极管模型理论,认为在金属与半导体间存在薄介质层,通过估算介质层电容值,得到了肖特基接触界面态密度(N88)的能级分布情况,N8s约为1012 eV-1·cm-2量级.退火温度升高,N8s的能级分布靠近导带底;测试温度升高,Ns8增加且其能级分布远离导带底.利用X射线光电子能谱(XPS)分析表征肖特基接触界面态化学组分,分析结果证实接触界面存在SiO.SiO组分随退火温度的升高而减少,在退火温度为500℃及以上时检测到Mo-C成分,说明Mo与4H-SiC发生反应.
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| 关 键 词： | 4H-SiC 肖特基接触 X射线光电子能谱(XPS) 退火温度 测试温度 界面态密度 |
Analysis of Interface Properities of Mo/4H-SiC Schottky Contacts at Different Annealing Temperatures |
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| Dong Shengxu,Bai Yun,Yang Chengyue,Tang Yidan,Chen Hong,Tian Xiaoli,Liu Xinyu.Analysis of Interface Properities of Mo/4H-SiC Schottky Contacts at Different Annealing Temperatures[J].Semiconductor Technology,2018,43(7):523-528. |
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| Authors: | Dong Shengxu Bai Yun Yang Chengyue Tang Yidan Chen Hong Tian Xiaoli Liu Xinyu |
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