YBa2Cu3O7—x／La2／3Ca1／3MnO3异质结构薄膜的微结构

本通过高分辨X射线衍射及掠入射(GID)的实验方法对生长在SrTiO3衬底上的LLa2/3Ca1/3MnO3和YBaCu3O7单层膜及YBa2Cu3O7-x/La2／3Ca1／3MnO3异质结构双层薄膜的微结构进行了研究。结果发现,所有薄膜都呈c向生长。由于热膨胀系数的不同而引起的热应力使得LCMO膜的晶格参数与靶材的相差较大。La2/3Ca1/3MnO3在单层腹及双层膜中都由靶材的立方结构变成了薄膜状态的四方结构。YBa2Cu3O7在单层膜及双层膜中都由靶材的正交结构变成了薄膜状态的四方结构。La2/3Ca1/3MnO3膜与YBa2Cu3O7膜在不同的样品中处于不同的应力状态。     

氮化镓纳米线的制备及表征

ＧａＮ属直接带隙跃迁型半导体 ,在用于发光器件 (ＬＥＤ)及激光器件 (ＬＤ)中具有很高的转换效率 ,器件使用寿命可达 1 0 4 ｈ ,是普通发光器件的几十倍。ＧａＮ是性能优异的蓝 绿光光源材料 ,基于ＧａＮ体系的发光器件处于主导地位。用气相法成功地合成了ＧａＮ纳米线。该纳米线的制备是在一个两端连接有进、出气口的石英管中进行的 ,石英管平放在一管式炉中。ＧａＮ纳米线沉积在ＬａＡｌＯ3晶体基片上。分别用Ｘ射线粉末衍射、场发射扫描电镜和能量色散谱仪等来对其成分、形貌及其结构进行了表征。Ｘ射线粉末衍射分析是在ＲｉｇａｋｕＤ …     

GaAs／GaP界面的X射线掠入射衍射分析

本文用掠入射全反射Ｘ射线衍射，结合常规Ｘ射线衍射，对ＧａＡｓ／ＧａＰ应变层界面进行了研究，给出了界面关配度、薄膜晶胞的畸变和界面弛豫等结构参数．结果表明掠入射衍射（ＧＩＤ）是测定半导体薄外延膜界面结构的有效工具．     

畸变Al-Li-Cu准晶单晶对称性的研究

本文给出了畸变Al-Li-Cu准晶的x射线旋进衍射图;构造了一个线性相位子场用来解释衍射图与二十面对称性的偏离;用计算机对衍射图进行了模拟,理论结果与实验结果符合得很好;最后指出近准晶结构是处于理想准晶与晶体之间的一种结构,对它的研究将有助于对理想准晶结构的理解。     

La_2Ti_2O_7晶体缺陷的阴极射线致发光形貌术的研究

应用在国产DX-3A扫描电镜上自己研制的阴极射线致发光装置,研究了La_2Ti_2O_7,晶体生长缺陷。观察到包裹物、生长条纹、带状缺陷等。配合能量色散谱,吸收光谱、X射线荧光光谱和偏光显微术等方法,探讨了所观察到的缺陷发光机制,并对生长缺陷的形成机理作了简单的分析。     

同步辐射X射线衍射研究短链DNA/磷脂多层膜的结构

应用同步辐射低角X射线衍射研究由短链DNA/磷脂在固体表面形成的复合多层膜结构.将DNA/磷脂混合溶液(DOTAP/DOPC混合磷脂,其中Φ_(DOTAP)定义为DOTAP在混合磷脂中的质量百分比)浇铸在经过亲水处理的表面上,在溶剂蒸发过程中自组装形成高度有序的多层膜结构.按DNA骨架上所带负电荷的数目与DOTAP所带正电荷数目相等的比例制备一系列具有不同Φ_(DOTAP)值的样品.实验结果表明,随着DNA含量的增加,多层膜先后出现DNA贫瘠相和DNA富集相.在DNA贫瘠相中,DNA分子被包埋在磷脂分子的亲水头中;而在DNA富集相中,DNA分子紧密排列在磷脂的亲水头层间.并且详细分析了DNA/磷脂多层膜出现DNA贫瘠相和DNA富集相以及产生相变的原因.     

μc-Si∶H/a-Si∶H多层膜的周期性结构和量子尺寸效应

利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸收边随着 a- Si∶ H层的减薄而蓝移 ,低温下的电导激活能 Ea 随着 a- Si∶ H层的减薄而减小 .     

GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征

研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化。对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2 O3/GaAs薄膜 ,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征。结果表明 ,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中 ,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层110 的均匀过渡层。AlAs层分成厚度为 4 0 和 10 5 0 的两层 ,而 4 0 厚的AlAs层的平均原子密度比 10 5 0 厚的减小。利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al2 O3,而且与氧化前相比 ,其过渡层的厚度与粗糙度均减小。     

双吸除技术在CCD制造中的应用及其具有增强吸除功能的研究

本文介绍了双吸除技术在CCD制造中的应用结果,证明了双吸除技术的通用性;通过对缺陷蚀象形貌的实验观察及电镜微观研究,证明磷比缺陷的吸杂能力强;利用离子对模型所做的估算也证明了这一点,因此相对仅是缺陷吸杂而言,双吸除技术是一种具有增强吸除功能的吸除技术.     

FeMn／Co多层膜界面插入Bi前后的微结构分析

研究了FeMn／Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜，利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征，得到结果如下：插入Bi之前，在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在，插入Bi之后，FeMnCo的成分中掺入了Bi。而且，在FeMn/Co界面处Fe，Mn，和Co的元素分布不相同。