β－FeSi_2／SIMOX──一种新结构的光电子材料

本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性．     

Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi2薄膜

研究采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应的方法生长外延ＣｏＳｉ２薄膜。通过选择适当的热处理条件，采用步退火，在Ｓｉ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上均成功获得外延ＣｏＳｉ２薄膜。实验用ＸＲＤ．ＴＥＭ、ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ等测试技术分析ＣｏＳｉ２薄膜外延特性，得到的ＣｏＳｉ２／Ｓｉ薄膜的ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ最低产额Ｘｍｉｎ达到１０－１４％，实验时ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１１１）样品，分别沿Ｓｉ衬     

脉冲准分子激光PZT薄膜的制备

本实验采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）法，在１９３ｎｍ波长，５Ｈｚ频率，４Ｊ／ｃｍ２能量密度条件下，分别在Ｓｉ（１００）和ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上成功地沉积Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜，并在不同的条件下对ＰＺＴ薄膜进行退火处理。用ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＡＳＲ等方法分别测量了薄膜的结构、组份和厚度。     

Co／Ti／Si三元固相反应外延生长CoSi_2薄膜

研究采用Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应的方法生长外延ＣｏＳｉ２薄膜．通过选择适当的热处理条件，采用多步退火，在Ｓｉ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上均成功获得外延ＣｏＳｉ２薄膜．实验用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ等测试技术分析ＣｏＳｉ２薄膜外延特性，得到的ＣｏＳｉ２薄膜的ＲＢＳ／ｃｈｎｎｅｌｉｎｇ最低产额Ｘｍｉｎ达到１０－１４％．实验对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１１１）样品，分别沿Ｓｉ衬底的＜１１０＞和＜１１４＞晶向进行背散射沟道测量．结果发现，沿Ｓｉ＜１１０＞晶向得到的ＣｏＳｉ２背散射沟道产额显著高     

在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究

ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以得到：它们的晶格失配度为４．６６％，ＧａＳｂ是已采用生长ｃ－ＧａＮ衬底材料中较好的一种．     

α—Fe2O3薄膜的制备,结构和气敏特性

采用等离子增强化学气相淀积工艺（ＰＥＣＶＤ）制备出了Ｆｅ２Ｏ３薄膜，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度，研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤倔和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度，共检测下限可达１ｐｐｍ，而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感，具有优良的选择性。     

碲化物薄膜的附着牢固度与其显微结构的关系

用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和透射电镜术（ＴＥＭ）观察Ｓｉ和Ｇｅ基板上ＰｂＴｅ、ＣｄＴｅ及ＰｂＧｅＴｅ单层薄膜及其与ＺｎＳ组合的多层薄膜的显微结构,给出了薄膜附着牢固度与薄膜显微结构的关系     

金刚石薄膜-金属接触的SEM和XRD研究

用ＳＥＭ和ＸＲＤ研究了金刚石薄膜与双层金属之间的接触及界面性质，采用微波等离子体ＣＶＤ方法在Ｓｉ（１１１）基片上沉积了掺硼金刚石薄膜，然后蒸发上Ｔｉ／Ａｕ金属层，在氮保护气氛下７００℃热处理５０ｍｉｎ后获得一个线性的电流－电压特性，经ＳＥＭ和ＸＲＤ实验结果表明，Ｔｉ／Ａｕ金属与金刚石薄膜之间优良的接触性能的获得，显然是由于大金刚石膜－Ｔｉ／Ｔｕ界面处产生了ＴｉＣ新相以及ＴｉＣ的浸润性质的缘故。     

三元硅化物（CoxNi1—x）Si2薄膜的制备及特性

在Ｓｉ（１００）衬底上用离子束溅射方法淀积Ｎｉ,Ｃｏ,Ｔｉ薄膜,形成Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ,Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ等结构,通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２。用ＡＥＳ,ＸＲＤ,ＲＢＳ沟道谱,ＳＥＭ及四探针等方法（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２薄膜的物理特性和电学特性进行了测试,在Ｓｉ衬底上Ｃｏ,Ｎｉ多层膜经快速热退火可形成高电导的（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２薄膜,其电阻     

钛酸铋薄膜的室温脉冲激光沉积研究

在室温下,采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）技术在７．６２ｃｍＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）衬底上制备了钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的厚度和组分均匀性采用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和扩展电阻技术（ＳＲＰ）来分析、表征;采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术研究了薄膜的退火特性。研究发现单独用常规退火或快速退火热处理的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜中较容易出现Ｂｉ２Ｔｉ２Ｏ７杂相;而采用常规退火和快速退火相结合的方法,较好地解决了杂相出现的问题,得到相结构和结晶性完好的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜。透射电子显微镜实验和扩展电阻实验表明,室温下制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜具有良好的表面和界面特性。     

溅射法制备硫化锌薄膜的XPS剖析

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）技术，测量了射频磁控溅射法（ＲＦＭＳ）制备的硫化锌薄膜（ＺｎＳ：Ｅｒ＾３＋）的表面及内部构态，认为氧吸附形成的表面构态是产生薄膜界面态和界面陷阱能级的主要原因，对研究器件的激发过程有参考意义     

纳米硅薄膜结构特性研究

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为２～１０ｎｍ的纳米微晶相结构的硅薄膜，使用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ），Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和红外光谱（ＩＲ）等结构分析手段检测了其结构特征．结果表明，纳米硅薄膜的晶格结构为畸变的金刚石结构．Ｘ射线衍射谱表明除了Ｓｉ（１１１）的２θ＝２８．５°和Ｓｉ（２２０）的２θ＝４７．３°处的衍射峰外，在２θ＝３２．５°处存在着一个强的异常峰．ＨＲＥＭ结果表明存在新的Ｓｉ结晶学结构与ＸＲＤ异常峰相关联．     

PtSi薄膜超薄化及连续性研究

减薄膜厚有利于提高ＰｔＳｉ红外探测器的量子效率。本文研究了膜厚减薄工艺对薄膜连续性的影响。用ＸＲＤ观察物相,ＳＥＭ、ＴＥＭ研究薄膜连续性,并给出理论解释,实验表明用混合生长（Ｓ－Ｋ）模式能形成超薄连续薄膜。     

激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究

采用ＳｎＣｌ４和Ｏ２为反应源，ＡｒＦ准分子激光ＣＶＤ生长ＳｎＯ２薄膜，利用ＸＲＤ、ＵＶＴ、ＸＰＳ研究了薄膜的组成和结构，实验表明ＳｎＯ２薄膜属于四方晶系、金红石结构，薄膜的紫外可见光透射率大于９０％，吸收边波长为３５５ｎｍ，禁带宽度为３．４９ｅＶ。最后，对ＳｎＯ２薄膜的反应机理进行了讨论     

硅基GaN薄膜的外延生长

本文报道采用简便的真空反应法在Ｓｉ（１１１）衬底上生长出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜,并对ＧａＮ薄膜的表面形貌、结晶学性质和光学特性作了研究．ＳＥＭ表明外延层表面光亮平整,无裂纹出现,ＸＲＤ图谱上有一ＧａＮ（０００２）衍射峰,其半高宽为０．５°,室温下的光致发光谱在３７３ｎｍ处有一个很强的发光峰,其半高宽为８ｎｍ（３５．７ｍｅＶ）．     

Si基GaN外延生长

报道了在光辐射加热低压ＭＯＣＶＤ（ＲＴＰ／ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）系统上,用Ｓｉ衬底成功生长了ＧａＮ外延薄膜。利用ＸＲＤ、拉曼光谱、霍耳测量及室温光致发光谱对外延薄膜进行了表征,初步的肖特基结制作表明了外延薄膜具有一定的器件质量。     

图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究

本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴（Ｃｏ）离子,并生长硅化钴薄膜．扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）测量结果表明,只在纯硅区探测到了硅化钴;而氧化硅区始终未见有钴的迹象．很好地实现了在图形衬底上钴离子的选择淀积和硅化钴薄膜的选择生长．     

MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究

本文报道了采用含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步ＭＢＥ生长技术，在ＧａＡｓ（１００）衬底上异质外延生长的ＩｎＳｂ外延层材料特性及初步的器件性能。５μｍ厚的ｎ型本征ＩｎＳｂ外延层７７Ｋ时的电子浓度和迁移率分别为：ｎ～２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３），μ～５．１２×１０￣４ｃｍ￣２Ｖ￣９－１）ｓ￣（－１），高质量ＩｎＳｂ外延层的Ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）＜１５０″。ＩｎＳｂ表面的相衬显微形貌，ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ界面的ＴＥＭ形貌相和ＩｎＳｂ外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了ＭＢＥＩｎＳｂ外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用ＭＢＥ生长的ｎ型ＩｎＳｂ外延层薄膜首次制作了中波（３～５μｍ）多元光导线列器件，终测表明，器件的光导响应率较高Ｒ（Ｖ）～７８００Ｖ／Ｗ，均匀性很好ΔＲ（Ｖ）／Ｒ（Ｖ）＜７％，ＭＢＥＩｎＳｂ外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。     

La0.67Ca0.33MnO3—δ薄膜中的巨磁电阻效应

采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２（００１），ＳｒＴｉＯ３（００１），ＬａＡｌＯ３（００１）和ＮｄＧａＯ３（００１）等单昌衬底上成功地制备了Ｌａ０．０７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３－δ薄膜。Ｘ－射线衍射结果表明薄膜具有良好的外延性。低温、磁场下的电输过测量上加磁场后，电阻急剧下降，出现负巨磁阻现象，磁阻比ＭＲ＝在室温一为５０％，２２５Ｋ这高达２０００％以上。文中还对径向磁电阻和Ｈａｌｌ电阻的温度和磁场依赖关系作     

用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co—Si化合物薄膜的研究

本文通过离子束辅助淀积与真空淀积多层膜技术相结合，淀积合成Ｃｏ－Ｓｉ薄膜，ＲＢＳ和ＸＲＤ分析表明：在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Ｃｏ／Ｓｉ多层膜，得到的是由ａ－Ｃｏ与非晶Ｓｉ组成的薄膜，薄膜与Ｓｉ（１１１）基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散，而用复合方法镀制的薄膜与Ｓｉ基底以及各层之间都产生了混合和扩散，并已有Ｃｏ２Ｓｉ，ＣｏＳｉ相生成，７５０℃退火３０分钟后，无轰击样品只在硅基底与薄膜界