GaAs MMIC用无源元件的模型

制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16.1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.     

Hg_（1－x）Cd_xTeTHM法晶体生长的数值模拟

Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅＴＨＭ法晶体生长的数值模拟严北平，王朝东，刘家璐，罗宏伟，张延庆（西安电子科技大学电子所西安７１００７１）郎维和，张宝峰（华北光电技术研究所北京１０００１５）Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ是目前长波红外探测器的最好材料，而大...     

α—Fe2O3薄膜的制备,结构和气敏特性

采用等离子增强化学气相淀积工艺（ＰＥＣＶＤ）制备出了Ｆｅ２Ｏ３薄膜，用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）分析了薄膜的结构、表面形貌和粒度，研究了薄膜对乙醇、液化石油气、煤倔和氢气的敏感特性。结果表明所研制的薄膜对乙醇有较高灵敏度，共检测下限可达１ｐｐｍ，而对液化石油气、煤气和氢气不太敏感，具有优良的选择性。     

等离子增强化学气相淀积硅化钛薄膜的特性

本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响。用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻，用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构。     

S波段0.3W AlGaAs/GaAsHBT功率管

采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了 S波段工作的非自对准 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 .对于总面积为 8× 2 μm× 10 μm的 HBT器件 ,测得其直流电流增益大于 10 ,电流增益截止频率 f T 大于 2 0 GHz,最高振荡频率fmax大于 30 GHz.连续波功率输出为 0 .3W,峰值功率附加效率 41%     

发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAsHBT电流增益的理论分析

建立了 PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型 .理论分析了发射极 -基极 -发射极布局的PNP型 HBT的电流增益 .讨论了不同基极电流成分 ,如外基区表面复合电流 ,基极接触处的界面复合电流 ,基区体内复合电流 ,以及刻蚀台面处的台面复合电流对电流增益的影响     

发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAs HBT电流增益的理论分析

建立了PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型。理论分析了发射极－基极－发射极布局的PNP型HBT的电流增益。讨论了不同基极电流成分,如外基区表面复合电流,基极接触处的界面复合电流,基区体内复合电流,以及刻蚀台面处的台面复合电流对电流增益的影响。     

PNP型HBT基极接触阻抗的理论估算

给出了非合金接触情况下 ,PNP型 HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律 ,并给出了集总元件电路模型     

高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频率 fmax大于 5 0 GHz,连续波功率测量表明 :在 1d B增益压缩时 ,单指 HBT可以提供 10 0 m W输出功率 ,对应的功率密度为 6 .6 7W/ m m,功率饱和时最大输出功率 112 m W,对应功率密度为 7.48W/ m m,功率附加效率为 6 7%     

S波段0.3W AlGaAs/GaAs HBT功率管

采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了S波段工作的非自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管．对于总面积为8×2μm×10μm的HBT器件,测得其直流电流增益大于10,电流增益截止频率fT大于20GHz,最高振荡频率fmax大于30GHz．连续波功率输出为0.3W,峰值功率附加效率41％．