F同位素的反应总截面测量和17F可能的质子皮结构

应用透射法对中能区F同位素与C靶的反应总截面进行了测量。发现^17F的反应总截面比其邻近同位素的反应总截面稍有增强。用Glauber模型和BUU模型对F同位素进行了差异因子d的分析。^17F的差异因子d比共附近同位素稍有增强。分析结果表明^17F可能存在质子皮结构。     

质子滴线核17Ne在Si靶上反应总截面的测量

描述了在兰州放射性次级束流线上用80MeV/u的2?0?Ne轰击Be靶产生出理论上预言有奇异结构的17Ne的次级束流,并用它轰击Si靶,测量它的反应总截面并与其相邻的核相比较,发现截面值没有增大的现象.利用微观的Glauber模型进行了计算,理论计算和实验结果符合很好,确认其没有奇异结构.     

放射性核束引起反应中轻带电粒子发射的同位旋效应

研究了69MeV/u³⁶Ar轰击Be靶的碎裂产物与Si靶反应引起的前角区轻带电粒子的发射产额与原子核同位旋、原子核序数的关系.发现前角区轻带电粒子发射产额对于丰质子核的结构非常敏感,与同位旋存在一种指数关系.因此可以把前角区轻带电粒子发射产额作为探测丰质子核结构的一种手段,也是一种新的验证一个核是否具有质子晕结构的实验证据.     

不同工作气体对PPAC性能的影响

描述了为RIBLL研制的一种双维位置灵敏PPAC在不同工作气体下的性能测试.位置读出采用电荷分除法.在7mb气压和C₃F₈工作气体时阳极在+595V,对于3组分α粒子,位置分辨为0.64mm.使用异丁烷气体,阳极在+500V,位置分辨为0.76mm.PPAC在两种气体中探测效率均为99.1%.C₃F₈气体质量厚度和能量损失较大,信号幅度较高,适合探测较高能量较轻粒子.异丁烷气体能损较小,适合探测较重粒子.     

YVO4∶Eu纳米悬浮液显现潜在手印的研究

将荧光纳米粉末显现技术与悬浮液显现技术相结合,配制出YVO₄∶Eu荧光纳米悬浮液,并对该试剂的显现条件(体系pH、显现时间、表面活性剂的浓度、清洗方式)进行了优化。在最优条件下,将荧光纳米悬浮液应用到玻璃客体表面潜在手印的显现中,并详细考察了手印显现效果。结果表明,在254 nm紫外光激发下,手印发射明亮的红色荧光,乳突纹线清晰连贯、细节特征反映明显。综上,本研究基于YVO₄∶Eu荧光纳米悬浮液在手印显现中具有较高的显现效率和优良的显现效果。     

环氧液晶弹性体材料的制备与力学性能研究

传统的液晶弹性体材料多采用丙烯酸酯类或聚硅氧烷类分子,通过自由基聚合制备.然而由于自由基聚合易被氧气阻聚,固化过程收缩率高且内应力大,传统液晶弹性体材料的力学性能并不是很优异.为解决这一问题,本文合成了带有环氧基团的液晶单体和交联剂,使用碘鎓盐作为引发剂,通过光引发阳离子反应,用原位聚合交联法制备了环氧液晶弹性体材料.光引发阳离子聚合和传统自由基聚合相比,不受氧气影响且弹性体固化时体积收缩率小.对制备出的液晶弹性体材料的晶相和力学等性能进行探究和表征,发现其比传统的丙烯酸酯类或者聚硅氧烷类液晶弹性体材料具有更优异的力学性能,在清亮点以上,其弹性模量达到了0.92 MPa.     

蔬菜粉末荧光光谱测定及其在手印显现中的应用

对遗留在客体表面的手印进行提取和鉴定是侦破案件的重要依据。对在犯罪现场发现的手印进行固定提取时,首先应该使用没有破坏性的光学无损检验技术。实践表明光学无损检验技术对于绝大部分光滑客体上的手印都能取得很大的反差和较好的纹线细节,而对于光滑度较差的客体上的手印则需要使用有损的物理法和化学法对指印进行固定提取。其中粉末法和熏显法在手印显现中得到了广泛的应用,但是常用的绝大部分粉末和熏显物质对长期从事手印显现的工作人员身体有较大的毒副作用。而且绝大部分常用的荧光粉末需要在紫外线的激发下产生荧光,紫外线激发手印产生荧光的同时也常会激发承痕客体产生很强的背景荧光,进而降低了手印与背景的反差。因此寻找一种成本低廉、无毒无害、操作简单和应用性广泛的手印显现方法是当务之急。研究了三种无毒无害、成本低廉的蔬菜粉末的荧光性能,并且将其应用于手印显现中。首先通过荧光分光光度计测定西蓝花粉末、菠菜粉末和紫菜粉末的荧光激发光谱和荧光发射光谱。通过荧光测定发现,西蓝花粉末的荧光比菠菜粉末和紫菜粉末的荧光强很多,所以选择西蓝花粉末显现犯罪现场常见的疑难客体表面汗潜手印。实验结果表明：（1）西蓝花粉末、菠菜粉末和紫菜粉末都能发出荧光,荧光激发光谱峰值都在417 nm,荧光发射光谱峰值都在678 nm,其中西蓝花粉末发出的荧光最强。（2）将西蓝花粉末用于多色图案干扰的非渗透性和渗透性客体上的汗潜手印的显现中,在415 nm的紫光的照射下能够发出明亮的红色荧光。拍照荧光指印时在镜头前加上透过中心波长为680 nm左右的窄带通干涉滤光镜,结果显示手印纹线与背景反差强烈,纹线清晰连贯,消除背景的干扰。（3）与传统的荧光粉末显现法相比,该显现方法具有较高的显现灵敏度。（4）有些客体背景图案在415 nm的紫光的照射下也有发光,但与西蓝花粉末的非常强的荧光相比,背景的荧光弱得多,所以使得手印与背景之间形成了较大的反差并且纹线的细节特征清晰。（5）粗糙客体上手印的显现也获得了很大的反差,粗糙的背景没有对纹线形成干扰而形成了清晰连贯的纹线。（6）实验中使用的市售的西蓝花粉末具有颗粒细小、吸附能力强等特点,能够促进手印物质与西蓝花粉末之间的选择性吸附,进而进一步提高手印显现的灵敏度。     

Superconductivity in CuIr2-xAlxTe4 telluride chalcogenides

The relationship between charge-density-wave (CDW) and superconductivity (SC), two vital physical phases in condensed matter physics, has always been the focus of scientists' research over the past decades. Motivated by this research hotspot, we systematically studied the physical properties of the layered telluride chalcogenide superconductors CuIr$_{2-x}$Al$_{x}$Te$_{4}$ ($0 \leqslant x \leqslant 0.2$). Through the resistance and magnetization measurements, we found that the CDW order was destroyed by a small amount of Al doping. Meanwhile, the superconducting transition temperature ($T_{\rm c}$) kept changing with the change of doping amount and rose towards the maximum value of 2.75 K when $x=0.075$. The value of normalized specific heat jump ($\Delta C/\gamma T_{\rm c}$) for the highest $T_{\rm c}$ sample CuIr$_{1.925}$Al$_{0.075}$Te$_{4}$ was 1.53, which was larger than the BCS value of 1.43 and showed the bulk superconducting nature. In order to clearly show the relationship between SC and CDW states, we propose a phase diagram of $T_{\rm c}$ vs. doping content.     

液相对流对定向凝固胞/枝晶间距的影响

采用类金属透明模型合金丁二腈-1.8 wt%丙酮(SCN-1.8 wt%Ace)合金, 研究了平行于生长界面前沿的液相对流对定向凝固胞/枝晶生长行为及胞/枝晶间距的影响. 对于胞晶生长, 在液相对流作用下, 其尖端将会出现分岔, 使得胞晶间距减小, 并且液相对流流速越大, 胞晶尖端分岔越明显, 胞晶组织越细小, 胞晶间距越小. 至于枝晶生长, 其生长行为与胞晶不同. 当抽拉速度较小时, 液相对流作用下枝晶两侧三次臂的生长速度将会超过枝晶尖端生长速度, 形成新的枝晶列, 使得枝晶一次间距减小, 并且液相对流流速越大枝晶一次间距越小; 当抽拉速度较大时, 液相对流作用下迎流侧二次臂生长发达,且会抑制上游枝晶生长, 使得枝晶一次间距增大, 并且液相对流越强枝晶一次间距越大. 关键词： 定向凝固 胞晶间距 枝晶间距 液相对流     

基于MeshTV界面重构算法的二元合金自由枝晶生长元胞自动机模型

本文基于MeshTV界面重构算法, 发展了二元合金凝固自由枝晶生长的元胞自动机 (cellular automaton, CA) 模型. 通过采用MeshTV界面重构算法, 在细化的界面元胞内重构出了固液界面的位置. 在此基础上, 发展了一种同时适合描述纯物质与合金凝固界面生长的动力学模型. 与非界面重构的CA模型相比, 本文所发展的模型可以在较大的网格尺寸下实现模型的收敛, 同时网格各向异性不明显, 且能够反映界面能各向异性参数ε 对自由枝晶生长的影响. 在ε =0.02时, 通过与描述自由枝晶生长的LGK理论模型相比较, 发现计算的枝晶尖端速度与LGK理论模型的预测符合较好, 而计算的枝晶尖端半径比LGK理论预测值大于约20%.