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报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关. 相似文献
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报道了用高电荷态离子129Xe30+(150keV) 轰击金属Ni表面,激发的200—1000nm NiⅠ和NiⅡ的特征光谱线的实验结果.实验结果表明:用电荷态足够高的离子作光谱 激发源,无需很强的束流强度(nA量级),便可有效地产生原子和离子的复杂组态间跃迁所 形成的可见光波段的特征谱线,特别是NiⅠ和NiⅡ偶极禁戒的电四极跃迁E2和磁偶极跃迁M1 的特征光谱线.通过分析发现,在禁戒跃迁的谱线中,有些是电子组态相同而原子态不同的 偶极禁戒跃迁光谱线而且NiⅡ的684.84nm谱线较强.
关键词:
光谱
禁戒跃迁
电子组态
高电荷态离子 相似文献
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运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法,计算了水分子H2O在速度为12.5a0/fs的重离子C^+和C^2+作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率,平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化,计算结果表明,在重离子势最大时,电偶极矩的变化最大;重离子远离分子时,重离子的电荷态越高,产生高电荷态分子的几率反而越小。 相似文献
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测量了27,28P和相应同中子异位素在28Si靶上的中能反应截面.测得N=12和13同中子异位素的反应截面在Z=15处突然增大.对Z≤14同中子异位素和28P的实验数据结果可以用改进的光学极限近似的Glauber理论很好地描述.28P的反应截面能够用扩大核芯以改进的Glauber理论来解释.但是,用改进光学极限和少体近似的Glauber理论却低估了27P的实验数据.理论分析表明,扩大的核芯加质子晕可能是响应27P+28Si反应截面增强的机制. The reaction cross sections of~(27,28)P and the corresponding isotones on Si target were measured at intermediate energies. The measured reaction cross sections of the N=12 and 13 isotones show an abrupt increase at Z=15. The experimental results for the isotones with Z≤14 and~(28)P can be described well by the modified Glauber theory of the optical limit approach. The enhancement of the reaction cross section for~(28)P could be explained by the modified Glauber theory with an enlarged core. Theoretical ana... 相似文献
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We study the average property of the isospin effects of reaction mechanism induced by neutron-halo nuclei within the isospin-dependent quantum molecular dynamics model. We find that the extended neutron density distribution for the neutron-halo projectile brings an important isospin effect into the reaction mechanism, which induces the decrease of nuclear stopping R; however, it induces the obvious increases of the neutron-proton ratio of nucleon emissions (n/p)nucl for all of the beam energies in this work, compared to the same mass stable colliding system. 相似文献
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报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上,用高电荷态40Arq+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中,通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能,系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明,作为引起表面电子发射的两个主要因素,单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系. 相似文献
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CsI(Tl)晶体探测器APD读出的温度效应 总被引:1,自引:0,他引:1
对中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活碘化铯闪烁晶体CsI(Tl)光输出及Hamamtsu公司生产的S8664-1010型雪崩光二极管(APD)增益对温度的依赖关系做了系统研究. 结果表明, CsI(Tl)晶体光产额在室温范围内随着温度的增加而增加, 在-2℃—8℃温度范围内的平均温度系数为0.67%/℃, 在8℃—25℃温度范围内的平均温度系数为0.33%/℃. 而对所使用的APD, 其增益在室温范围内的温度系数为-3.68%℃(工作电压400V). APD结合CsI(Tl)晶体在室温下对137Cs的662keV γ射线的能量分辨可达5.1%. 相似文献