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针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。 相似文献
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电动汽车充电时,且电池电量低于80%时,为了保证充电效率一般采用恒功率充电.在动态无线电能传输系统中,电动汽车的不断移动会导致发射线圈和接受线圈的互感系数变化,致使电动汽车充电不稳定.为实现恒功率充电,提出了一种基于模型预测控制(MPC)的动态无线电能传输系统(DWPT)恒功率输出的控制方法.通过对系统建立数学模型,对输出功率进行模型预测,建立最小化目标函数来获得期望输出功率所对应的最优占空比,使输出功率恒定.进行了模型预测控制的动态无线电能传输系统Simulink仿真,通过对比不同线圈互感系数下的输出功率,验证了该方法的可行性,并且通过搭建实物测得的数据也证实了该方法的可行性. 相似文献
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针对图像拼接存在色差过渡不均匀、图像倾斜扭曲及拼接效率低的现象,提出一种基于拼接缝自适应消除和全景图矫直的快速图像拼接算法。首先,用尺度不变特征变换(SIFT)提取图像指定区域特征点并用双向K近邻(KNN)算法进行图像配准,有效提高算法效率;其次,利用动态规划思想提出自适应公式找到最优拼接缝并用图像融合算法对其自适应消除,解决拼接缝色差过渡不均匀问题;最后,针对累积拼接误差形成全景图倾斜的现象,利用边缘检测算法提出自适应拟合四边形矫直模型,把原始全景图矫直为一个全新的全景图。所提算法与分块图像拼接和二叉树图像拼接算法相比,图像质量提升了5.84%~7.83%,拼接时间仅为原来的50%~70%。实验结果表明,该算法不仅通过自适应更新机制减少不同图像背景下拼接缝色差过渡不均匀的现象,从而提高了图像质量;而且提高了拼接效率,降低了全景图倾斜扭曲程度。 相似文献
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