多晶硅还原加压工艺研究

为了降低多晶硅生产成本，对多晶硅生产中的重要环节——三氯氢硅（SiHCl，）还原生成多晶硅工艺进行了改进，将还原炉操作压力由常压提高至0．6MPa，比较了加压工艺与常压工艺在多晶硅的沉积速度、沉积时间、还原反应耗电量以及多晶硅产品质量等指标上的区别。结果表明，还原炉压力由常压（0．1MPa）提高至0．6MPa、H2和SiHCl，的量之比降低至3．5—5／1、SiHCl，和H2混合气的最大流量增加至2000kg／h、平均供气量约为980kg／h时，多晶硅的沉积时间由200h缩短至100h：沉积速度由7～8kg／h提高到20kg／h，提高了150％以上；反应所需的单位耗电量也从135kWh／kgSi降到75kWh／kgSi，降幅达44％，从而大幅降低了多晶硅的生产成本；同时，产品质量也得到极大的提升。     

Effects of Al2O3 on Thermal Stability and Electrical Reliability of HfO2 Film on Strained SiGe

研究了阻挡层Al2O3对应变SiGe上HfO2 薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在700 °C温度下退火后仍然是非晶的。散能X射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了Si原子在HfO2薄膜中的扩散。X射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处HfSiO和GeOx的生长。电学测试分析说明,带有阻挡层的MIS电容的电学性能得到提高,包括60Co γ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移。     

完善重庆市排污权交易的制度设计——以三峡库区重点移民区县为例

2010年6月.市委三届七次全会作出<关于做好当前民生工作的决定>,提出了我市创建国家环境保护模范城市的工作.主要污染物总量减排是创建国家环境保护模范城市的"一票否决"指标.而排污权交易则是主要污染物总量减排的一个重要途径.     

a-Si：H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响

对OLED两管a-Si: H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值.     

Study on Effect of Flux on CeMgAl11O19：Tb^3＋ Phosphor

High calcination temperature is an important factor in the preparation process of CeMgAl11O19:Tb^3 . To decrease the temperature, different fluxes (H3BO3, MgF2 and AlF3) were tested in order to compare their influence on the luminescence property and particle size distribution of CeMgAl11O19: Tb^3 . The result shows that when the content of MgF2 is 0.1 mol/mol, the intensity of luminescence can attain a maximum. Furthermore, MgF2 can improve the particle size quality of the phosphor. So MgF2 can take the place of the conventional flux H3BO3 to prepare high quality CeMgAl11O19:Tb^3 phosphor. In addition, the relation between phosphor property and content of AlF3 was also studied. The crystal structure of the phosphor was analyzed by XRD method. The phase composition analysis shows that the reason of decrease of the brightness of CeMgAl11O19:Tb^3 phosphor is the emergence of TbAlO3 and α-Al2O3 during the preparation process.     

南海北京大陆架典型凹陷内的封存箱及油气纵向分布

引用“封存箱”概念,研究了南海北部大陆架典型富油气凹陷的地层超压特征。根据封存箱的超压强度及顶面埋深特征,将研究区内的封存箱划分为5类。各典型凹陷的封存箱类型对油气藏的纵向分布起着重要的控制作用。封存箱类型研究有助于从压力条件方面预测油气藏勘探的有利层系及有利地区。     

含油气盆地成藏动力学系统模拟评价方法

在总结分析国内外盆地模拟技术发展现状的基础上,指出盆地模拟技术的发展方向是以成藏动力学系统模拟为核心的地质家综合评价应用平台。成藏动力学系统模拟方法的突破点是以三维岩体模拟和三维构造模拟为基础的三维运聚模拟;地质家综合评价应用平台的优势主要体现在系统的规模(适用于各种地质单元体的多维综合模拟评价)和系统的适用性(人机联作的图形编辑及三维可视化界面、人机联作的参数设置界面、开放式信息管理系统)。在分析含油气盆地成藏动力学系统模拟的概念、思路、技术关键以及系统结构的基础上,对突破点的核心模型(三维岩体模拟、三维构造模拟、三维运聚模拟)进行了没计,并提出了预期的目标。     

Preparation and Luminescence Properties of the New Long Phosphorescent Phosphors Ba_(1-x)Ca_xAl_2O_4∶Eu ~(2 ), Dy~(3 )

Inrecentyears ,SrAl2 O4 ∶Eu2 ,Dy3 ,CaAl2 O4 ∶Eu2 ,Nd3 [1～ 8] andBaAl2 O4 ∶Eu2 ,Dy3 [9]havebeenconsideredasusefulblueandgreenphos phorsbytheirlongdurationphosphorescence .Howev er ,toourknowledge ,thephosphorBa1-xCaxAl2 O4 ∶Eu2 ,Dy3 hasnotbeeninvestigated .TheluminescenceofEu2 isverystronglydepen dentonthehostlattice ,whichcanoccurfromtheul traviolettotheredregionoftheelectromagneticspec trum .Itiswellknownthatthepersistentluminescenceisduetothetrappingofenergyinthed…     

Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响

研究了阻挡层Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响.高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在700℃温度下退火后仍然是非晶的.散能X射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了Si原子在HfO2薄膜中的扩散.X射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处HfSiO和GeO的x生长.电学测试分析说明,带有阻挡层的MIS电容的电学性能得到提高,包括60Coγ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移.