基于圆顶锥壳阵列的超宽带太阳能吸收器研究

提出了一种顶锥壳阵列超宽带全向超材料吸收器,研究了圆顶锥壳的几何参数、顶部的几何形状以及不同密排方式对宽带吸收的影响.研究了包覆金属薄膜的圆顶锥壳阵列在太阳辐射能谱区的超宽带吸收特性,结果显示在250～2 500 nm范围内的平均吸收率达到95.39％.在0°～65°的大角度入射下,对于TE和TM偏振的平均吸收率分别为92.7％和94.59％,表明所提出的结构具有偏振无关和入射角不敏感性.空气质量1.5加权平均吸收率为95.24％,证明能够有效地吸收地球上的太阳辐射.通过结合胶体球光刻技术和表面镀膜成功制备了所提出的吸收器,初步测试结果表明,其吸收性能存在提升空间.     

单层氧化锌有序孔膜的制备与性质

采用电化学沉积方法,结合胶体晶体模板,通过循环伏安方法对体系的电化学特性进行研究,获得一种良好的低沉积速度的制备工艺,即通过合适的电位恒电势法,最终获得了单层二维的氧化锌有序孔膜结构.对应于不同的沉积厚度,所得有序孔的形貌也会有所不同.通过扫描电子显微镜对该氧化锌有序多孔膜结构进行了表征,并研究了相应的光致激发特性,二维氧化锌有序多孔膜在384 nm表现出明显光致激发峰,激发峰的位置没有因单层有序孔阵列结构存在而有明显改变.     

Luminescence property of Eu-doped fluorochlorozirconate glass-ceramics

A series of Eu2+-doped fluorochlorozireonate glass-ceramics were prepared by solid state reaction method. X-ray diffraction, pho-toluminescence, photo-stimulated luminescence (PSL) and the turbidity of fluorozirconate glass containing BaCl2 nano- and micro-crystals were measured for the samples annealed at 290 ℃ for 10 min. The PSL was attributed to the characteristic emission of Eu2+ in nano-crystallites of BaCl2, which formed in the glass upon annealing. The PSL efficiency of the glass ceramic was increased by increasing the concentration of BaCl2, which, however, resulted in the decreasing in the transparency of the sample. The sample turned to a semi-transparent glass ceramic or even an opaque and milky white one from a near-transparent glass. The trade-off between optical trans-parency and PSL intensity over different concentrations of BaCl2 for X-ray imaging plate applications was briefly discussed.     

多晶硅还原加压工艺研究

为了降低多晶硅生产成本,对多晶硅生产中的重要环节———三氯氢硅(SiHCl3)还原生成多晶硅工艺进行了改进,将还原炉操作压力由常压提高至0.6 MPa,比较了加压工艺与常压工艺在多晶硅的沉积速度、沉积时间、还原反应耗电量以及多晶硅产品质量等指标上的区别。结果表明,还原炉压力由常压(0.1MPa)提高至0.6 MPa、H2和SiHCl3的量之比降低至3.5～5/1、SiHCl3和H2混合气的最大流量增加至2 000 kg/h、平均供气量约为980 kg/h时,多晶硅的沉积时间由200 h缩短至100 h;沉积速度由7～8 kg/h提高到20 kg/h,提高了150%以上;反应所需的单位耗电量也从135 kWh/kgSi降到75 kWh/kgSi,降幅达44%,从而大幅降低了多晶硅的生产成本;同时,产品质量也得到极大的提升。     

SiGe上NbAlO栅介质薄膜微结构和电学性能分析

本文针对SiGe上Al2O3/NbAlO/Al2O3三明治结构介质栈的热稳定性和电学性能进行了研究.高分辨透射电镜(HRTEM)测试表明退火后薄膜是结晶的,同步辐射X射线反射率(XRR)和X射线衍射(XRD)分析表明在薄膜中存在超晶格结构,有0.5nm的界面层存在,X射线光电子谱(XPS)表明界面层主要成分是SiOx,...     

InAlAs/InGaAs PHEMTs的设计及其110GHz全频段小信号建模

90-nm T-shaped gate InP-based In_0.52Al_0.48As/In_0.6Ga_0.4As pseudomorphic high electron mobility transistors were designed and fabricated with a gate-width of 2×30 μm,a source-drain space of 2.5 μm,and a source-gate space of 0.75 μm.DC,RF and small-signal model characterizations were demonstrated.The maximum saturation current density was measured to be 755 mA/mm biased at V_gs=0.6 V and V_ds=1.5 V.The maximum extrinsic transconductance was measured to be 1006 mS/mm biased at V_ds=—0.1V and V_ds=1.5 V.The extrapolated current gain cutoff frequency and maximum oscillation frequency based on S-parameters measured from 0.5 to 110 GHz were 180 and 264 GHz,respectively.The inflection point（the stability factor k=1）where the slope from-10 dB/decade（MSG） to-20 dB/decade（MAG） was measured to be 83 GHz.The smallsignal model of this device was also established,and the S-parameters of the model are consistent with those measured from 0.5-110 GHz.     

M2WO3MoO4(M=Li,Na):Eu3+的发光特性

针对目前商用白光二极管普遍缺少红光部分辐射的问题,研究了M2WO3MoO4(M=Li,Na):Eu3 样品的结构和发光特性.M2WO3MoO4(M=Li,Na):Eu3 体系在长波紫外(400nm)附近有较强的吸收峰;在394nm光波长的激发下,594,617nm附近都有很强的发光峰.在电偶极子的作用下,617nm处的发光峰最强.由于阳离子半径大小的缘故,Li2(MoO4)比Na2(MoO4)发光要强;虽然W6 的离子半径比Mo6 的大,W含量的增加使Eu3 和O2-之间的距离增加,减少了离子互换的可能性,但W-O化学键对浓度淬灭的影响也随之增加并占主导作用,因此,Li2WO3MoO4比Li2(MoO4)的发光要强.     

勘探项目评价模式

依据勘探区的勘探程度建立了三种勘探项目评价模式.三种模式的评价对象和评价内容各不相同,但都以盆地评价—含油气系统分析一区带评价一目标评价为研究思路,以资源量(或储量)计算、地质风险分析、经济评价为研究重点,并强调了勘探项目的经济效益.     

基于SCR的SOI ESD保护器件研究

本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性,利用软件Sentaurus对埋氧层3μm,顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真,仿真结果达到了4.5kV的抗静电能力,符合目前人体模型的标准2KV.研究发现,注入剂量(9*13 -8*14cm-2)增加会引起触发电压减小,维持电压升高...     

大有前途的液晶显示器

平板显示器中起重要作用的液晶显示器的发展始终受到人们的关注,而且将进一步成为引人注目的对象。目前,多路输出的STN 和有源矩阵 TFTLCD 已普及,利用它们自身的性质已经派生出多种产品。为进一步完善、发展这两种器件,以得到较快的响应速度、较好的对比度和较低成本的大屏幕显示器,正在进行一些技术方面的改进。