快速热处理中退火温度对Sol-gel法制备PZT铁电薄膜性能的影响

利用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上用快速热处理(Rapid Thermal Processing,RTP)退火工艺制备出了致密的PZT铁电薄膜,主要研究了在退火时间为500s时退火温度对薄膜的结晶结构、表面形貌和铁电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和铁电测试仪对制备的薄膜进行了性能表征。研究结果表明,当退火温度为6000C时,PZT薄膜具有(111)择优取向,表面致密无裂纹,且具有较好的铁电性能(其饱和极化值约为30 C/cm2,剩余极化约为20 C/cm2,矫顽场约为150KV/cm)。在100KV/cm电场下,电流密度J在10-1A/cm2数量级,表明所制的PZT纳米薄膜质量较好,能承受较高的场强以达到饱和极化状态而不被击穿。     

复合陶瓷BaTiO_3/Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_2O_4的常温巨介电特性研究

采用传统的固相反应法和氧化物陶瓷工艺制备了无铅磁电复合陶瓷(1–x)BaTiO3/x Ni0.5Zn0.5Fe2O4(质量配比,x=0,0.2,0.5,0.8)(BTO/NZF),研究了NZF含量对复合陶瓷的物相组成、微观形貌、致密度和介电性能的影响。结果表明:当NZF含量较低(x=0,0.2,0.5)时,NZF对复合陶瓷有介电稀释效应;当NZF含量较高(x=0.8)时,复合陶瓷晶粒尺寸、致密度及两相间接触面积增大,其NZF含量达到复合陶瓷渗流阈值,产生Maxwell-Wagner(M-W)表面极化效应,使得复合陶瓷在低频(f=40 Hz)下具有高的巨介电常数(ε′=312 238)和较低的介电损耗(tanθ=0.40)。     

一种白光LED用绿色荧光粉Ba3Si6O12N2:Eu2+的制备及研究

采用传统高温固相反应法,合成了Ba3－xSi 6O₁₂N₂:xEu²⁺系列荧光粉。X射线衍射(XRD)图谱 分析表明,所有的样品均生成了 Ba₃Si₆O₁₂N₂纯相。激发光谱表明,样品在紫外到蓝光(250～470nm)范围内都可以被有效激发,当激发波长为358nm 时,发射 光谱是Eu²⁺典型的宽带发射,发射峰在495nm附近,属于^4f₇→^4f₆^5d₁能级之间的跃迁,半峰宽覆盖青绿光范围(480～557nm)。 研究了Eu²⁺掺杂浓度对发光性能的影响。结果表明,随着Eu²⁺掺杂量的逐渐增 加 ,发光强度逐渐增大,当x=0.15时,发射 强度达到最大,所对应的发射光谱波峰的波长最小(492nm);当Eu ²⁺的掺杂量继续增加时,发光强度开始减弱,这是由于Eu²⁺间距逐渐减小,非 辐射跃迁几率增加而发生浓度猝灭现象;不同浓度的样品的发光强度 与波长呈相反变化趋势,这与斯托 克斯(Stokes)定律是相符合的。研究结果表明,所合成的Ba₃Si₆O₁₂N 2:Eu²⁺新型绿色荧光粉适合在白光LED中应用。     

还原气氛对Sr_(1.94-x)Ba_xMgSi_2O_7:Eu_(0.01)~(2+),Dy_(0.05)~(3+)长余辉材料发光性能的影响

用高温固相反应法,分别在H2和CO还原气氛中制备了Sr1.94-x Bax MgSi2O7:Eu2+0.01,Dy3+0.05长余辉材料;研究了不同还原气氛对该系列荧光粉发光及余辉性能的影响。研究结果表明,随着Ba2+浓度的增加,荧光粉的晶体结构发生了改变,从而导致发射光谱和余辉光谱的峰位也发生了变化;CO还原气氛下所制备荧光粉的纯度要高于H2还原气氛下制备的样品,CO还原气氛下所制备荧光粉的余辉的初始亮度和衰减都明显优于H2还原条件下所制备的样品,说明CO还原条件下更容易形成具有合适浓度和深度陷阱的纯相荧光粉,有助于提高样品的余辉性能。     

衬底温度对Ta2O5薄膜结构和光学性质的影响

采用直流磁控溅射法在不同衬底温度下(27、150、300、450和750℃)制备Ta2O5薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见光分光光度计对薄膜的结构、表面形貌和光学性质进行分析研究。实验结果表明,当衬底温度450℃时,薄膜开始结晶。低于450℃,薄膜为无定形态,光学透过率随着衬底温度的升高而升高,在可见光区域最大透过率为85%。薄膜结晶生成晶粒,会对通过的光束产生散射,降低透过率,光学性能下降。这些结果说明衬底温度和薄膜材料的结构、结晶转变温度及光学性质密切相关。     

Eu2+掺杂Sr5(PO4)2SiO4磷灰石荧光粉的发光性能研究

采用高温固相法制备了Sr5－x (PO₄)₂SiO₄:xEu²⁺(x =0.010,0.015,0.020,0.025,0.050, 0.100)荧光粉,研究掺杂 浓度和测试温度对荧光粉发光性能的影响。随着Eu²⁺掺杂浓度的增加,发射强度呈现 先增大后减小的变化 趋势,并在x=0.015时达到最大值。Eu 2+掺杂浓度较低时(x≤0.025),Eu²⁺取代不同格位的 Sr²⁺,使得发射 光谱具有双发射峰;当x＞0.025时,由于 存在Eu 1到Eu 2的能量传递使发射光谱中Eu 1的峰位消失,只存 在Eu 2的峰位。发射光谱随Eu²⁺浓度增大出现了红移现象,这是由于半径较小的Eu 2+(0.109nm)取代较 大的Sr²⁺(0.113nm)使得晶胞收缩,晶场强度增大,从而导 致Eu²⁺的5d能级劈裂程度增大,电子跃迁释 放能量降低。此外,测试温度增加时,发射光谱出现与Varshini方程不相符的蓝移现象,这 是晶格结构稳定性和声子辅助隧穿效应共同作用使较小波长的Eu 1的发射居于主导地位的结 果。     

Study on Effect of Flux on CeMgAl11O19：Tb^3＋ Phosphor

High calcination temperature is an important factor in the preparation process of CeMgAl11O19:Tb^3 . To decrease the temperature, different fluxes (H3BO3, MgF2 and AlF3) were tested in order to compare their influence on the luminescence property and particle size distribution of CeMgAl11O19: Tb^3 . The result shows that when the content of MgF2 is 0.1 mol/mol, the intensity of luminescence can attain a maximum. Furthermore, MgF2 can improve the particle size quality of the phosphor. So MgF2 can take the place of the conventional flux H3BO3 to prepare high quality CeMgAl11O19:Tb^3 phosphor. In addition, the relation between phosphor property and content of AlF3 was also studied. The crystal structure of the phosphor was analyzed by XRD method. The phase composition analysis shows that the reason of decrease of the brightness of CeMgAl11O19:Tb^3 phosphor is the emergence of TbAlO3 and α-Al2O3 during the preparation process.     

Preparation and Luminescence Properties of the New Long Phosphorescent Phosphors Ba_(1-x)Ca_xAl_2O_4∶Eu ~(2 ), Dy~(3 )

Inrecentyears ,SrAl2 O4 ∶Eu2 ,Dy3 ,CaAl2 O4 ∶Eu2 ,Nd3 [1～ 8] andBaAl2 O4 ∶Eu2 ,Dy3 [9]havebeenconsideredasusefulblueandgreenphos phorsbytheirlongdurationphosphorescence .Howev er ,toourknowledge ,thephosphorBa1-xCaxAl2 O4 ∶Eu2 ,Dy3 hasnotbeeninvestigated .TheluminescenceofEu2 isverystronglydepen dentonthehostlattice ,whichcanoccurfromtheul traviolettotheredregionoftheelectromagneticspec trum .Itiswellknownthatthepersistentluminescenceisduetothetrappingofenergyinthed…     

两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术(英文)

超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水(H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀;另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀。通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2。     

超导MgB_2掺杂及薄膜制备研究进展

综述了MgB2超导体近期的研究成果,介绍了MgB2的电子结构和超导性质以及化学掺杂对MgB2超导性质的影响,认为通过掺杂可以提高MgB2超导材料在高场下的Jc,少量的SiC掺杂可以得到目前最优异的Jc。讨论了制备MgB2超导薄膜的各种方法,发现HPCVD法制备MgB2超导薄膜有巨大的发展空间,并展望了MgB2超导体的应用前景。