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硼掺杂对非晶硅薄膜微结构和光电性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相应反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出轻掺硼非昌氢硅薄膜,X射线衍射,原子力显微镜和光,暗电导测试表明,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率,降低了非晶氢硅薄膜的光,暗电导比,并促进了非晶氢硅薄膜中硅微晶粒的生长,红外吸为研究预示了大量的硼原子与硅,氢原子之间能形成某些形式的复合体,仅有少量硼元素对P型掺杂有贡献。 相似文献
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97年10月,省建委对全省建设工程质量检测机构进行了年检。年检发现有半数以上的单位对建筑钢材中(?)6.5盘条的质检存在着许多问题。 相似文献
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液晶光阀用ZnSSe薄膜的光电特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求. 相似文献
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描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光阀的结构和工作原理 ,并从器件的电学模型出发 ,着重讨论了整体器件对ZnSxSe1-x光敏层的特殊要求。采用分子束外延技术在ITO导电玻璃上制备了具有 (111)面定向生长结构的ZnSxSe1-x多晶薄膜 ,通过控制反应时的生长参数 ,制备出了符合器件设计要求的光敏层薄膜。室温下 ,该薄膜的紫外 /可见光响应对比度大于10 3 ;响应波长截止边可通过控制薄膜中的Se组分 ,在 (36 0~ 4 10 )nm范围内连续可调 ;薄膜的暗电阻率在 (4 32× 10 9~ 2 0 3×10 11)Ω·m之间 ,并随着晶粒的增大而减小 ;在液晶光阀工作的低频段 (<2 0 0Hz) ,其光 /暗阻抗比在 0 2 2~ 0 36之间。 相似文献
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耿一娲 《军民两用技术与产品》2016,(22)
通过对现今世界环境下重大核事故进行简要分析,对目前中国核电站的安全保障技术和科学化管理进行阶段性阐明,得出中国核电的稳步发展和其采取的安全技术保障为中国经济的快速发展和环境保护做出巨大的贡献.进而论述我国应长期关注核能动向、保障安全、加强管控.推进我国核能长效健康发展. 相似文献
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