纳米硅薄膜结构分析

在常用的PECVD电容式耦合沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气氛,在r.f.+DC双重功率源激励下制备出具有纳米相结构的硅薄膜.使用HREM,Raman光散射,X射线衍射以及红外和紫外光谱分析手段广泛地检测了其结构特征.指出,纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于具有一系列新的结构特征使它脱颖于熟知的 a-Si:H及 μc-Si:H范畴,从而显示出它自己的独特性能.     

对氢化非晶硅薄膜Raman谱TA模的观测

对a-Si:H及μC-Si:H膜的Raman散射谱的观测中,出现了类TA 模强度高于类TO模的情况.在非晶硅薄膜晶化过程中,类TA模同样呈现出规则性的变化,并可同C-Si一级声子谱的TA模精细结构对应起来.说明通过分析类TA模精细结构的变化,同样可用来分析研究a-Si:H膜中结构变化及其晶化过程的规律.     

微晶硅硼薄膜结构的喇曼研究

单晶,多晶,微晶及非晶硅是固态硅材料中几种重要的组建结构.随着非晶硅晶化研究的深入,定量的研究其微观尺度的变化(键角变化△θ,微晶晶粒尺度△d)已日趋必要,而光散射手段为此提供了可能.非晶硅喇曼谱中类TO模的峰位变化(△ω_R)为微晶硅晶粒尺度提供了数据△d～2π(B/△ω_R)~(1/2)(B是材料的结构参数),类TO模峰陡边的半高峰宽,又为每个键的平均畸变能U=3K(r_(b*)△θ)~2提供了一定的信息.文中对与之相关的物理过程亦做了相应的讨论.     

Raman Study of Defects in SI－GaAs and Se－doped Epitaxial Layer Irradiated by 10 MeV Electrons

ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｆＤｅｆｅｃｔｓｉｎＳＩ－ＧａＡｓａｎｄＳｅ－ｄｏｐｅｄＥｐｉｔａｘｉａｌＬａｙｅｒＩｒｒａｄｉａｔｅｄｂｙ１０ＭｅＶＥｌｅｃｔｒｏｎｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ，ＬｉＨａｉｆｅｎｇ，ＣｈｅｎＷｕｍｉｎｇ，ＣｈｅｎｇＧｕｎｇｘｕａｎｄＨ...     

制备非晶硅合金薄膜的新技术—等离子体化学传输淀积法(PCTD)

等离子化学传输淀积[PCTD]法是我们设计的一种用来制备非晶态硅合金膜的新法。利用从气体源产生的等离子体中的活性元素,在腐蚀区腐蚀多晶硅或多晶硅加掺杂料。腐蚀后的产物由于气流和电场的作用,传输到淀积区与衬底表面起反应淀积出非品硅合金膜。用此法也能淀积出非晶态砷化镓薄膜。     

非晶半导体多层调制结构的喇曼研究

本文报道了用喇曼背散射对非晶半导体调制结构材料的研究.从TO峰的展宽和位移可得到相应材料的键角偏移及微晶晶粒尺度的计算,并着重研究了调制结构的喇曼谱,得到了一些明确的、有意义的结论,为进一步研究这类材料的结构提供了信息.     

非晶半导体超晶格喇曼谱中类光学模的研究

在非晶半导体超晶格喇曼谱中,从类光学模(TO-Like mode)的半高峰(陡边)宽(HWHM )及峰位置可得到有关微结构的一系列参量:如键角的变化、靠近界面附近处每个键的平均畸变能、层间界面处的张力等物理量、将两组不同调制参数的超晶格情况对比,可更清楚地理解其结构,使人们对非晶硅超晶格的微结构有进一步的了解.