| 微晶硅硼薄膜结构的喇曼研究 |
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| 引用本文： | 程光煦,陈坤基,朱育平,夏华,张杏奎,戚建邦,王聪和.微晶硅硼薄膜结构的喇曼研究[J].半导体学报,1991,12(1):18-22. |
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| 作者姓名： | 程光煦 陈坤基 朱育平 夏华 张杏奎 戚建邦 王聪和 |
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| 作者单位： | 南京大学现代分析中心，南京大学固体微结构实验室，南京大学现代分析中心，南京大学固体微结构实验室，南京大学固体微结构实验室，香港中文大学物理系，香港中文大学物理系 固体微结构实验室，南京210008，南京210008，南京210008，南京210008，南京210008 |
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| 摘 要： | 单晶,多晶,微晶及非晶硅是固态硅材料中几种重要的组建结构.随着非晶硅晶化研究的深入,定量的研究其微观尺度的变化(键角变化△θ,微晶晶粒尺度△d)已日趋必要,而光散射手段为此提供了可能.非晶硅喇曼谱中类TO模的峰位变化(△ω_R)为微晶硅晶粒尺度提供了数据△d～2π(B/△ω_R)~(1/2)(B是材料的结构参数),类TO模峰陡边的半高峰宽,又为每个键的平均畸变能U=3K(r_(b*)△θ)~2提供了一定的信息.文中对与之相关的物理过程亦做了相应的讨论.
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| 关 键 词： | 微晶硅 喇曼谱 |
Raman Studies of Microstructures in Crystallite Silicon Doped with Boron |
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| Abstract: | The microsize of silicon material, e.g. the average distortion energy U per bond, rmsbong-angle deviation have been quantitatively studied. Some of the microstructure inform-ation of doping boron complex in amorphous silicon have been provided by the change of theTO-like mode relative to the single crystal in Raman spectra.The reliable data and parame-ters for crystallite silicon can be offered during the process of the crystallization. |
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| Keywords: | Crystallite Raman spectra |
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