微晶硅硼薄膜结构的喇曼研究

单晶,多晶,微晶及非晶硅是固态硅材料中几种重要的组建结构.随着非晶硅晶化研究的深入,定量的研究其微观尺度的变化(键角变化△θ,微晶晶粒尺度△d)已日趋必要,而光散射手段为此提供了可能.非晶硅喇曼谱中类TO模的峰位变化(△ω_R)为微晶硅晶粒尺度提供了数据△d～2π(B/△ω_R)~(1/2)(B是材料的结构参数),类TO模峰陡边的半高峰宽,又为每个键的平均畸变能U=3K(r_(b*)△θ)~2提供了一定的信息.文中对与之相关的物理过程亦做了相应的讨论.     

YAG:Nd~(3+)再生式脉冲调Q激光器

应用激光技术进行测量、精密加工及科学研究工作时,往往要求激光输出功率稳定。但是,通常电光调Q的脉冲激光重复性较差,峰值功率偏差在10％以上。本文介绍应用简单的“再生式”方法,可以使电光调Q激光的峰功率稳定在3％以内。     

光双折射象研究四方晶系SBN晶体中的缺陷

用光双折射象法、化学浸蚀法研究SBN(Sr_(1-x)Ba_xNb_2O_5)晶体中的缺陷如位错、亚晶界、核心等。测定了单个刃位错的b矢量为[100]、[110],以及由这二类b矢量位错所组成的不对称倾侧晶界,结果和描述晶界结构的基本公式Frank公式的预示相一致。另外发现不同b矢量的刃位错其浸蚀斑形态是不同的。这可能与晶体结构的各向异性有关。此外,还讨论了核心等缺陷的形成机制。     

LiNbO_3晶体中电畴对光学均匀性和电光效应的影响

电光调制晶体由于其电光效应而在激光技术中有很广泛的应用,为了提高晶体的质量和改善器件的性能,研究电畴对光学均匀性和电光性能的影响是有一定的意义的。 对调制晶体,衡量其光学均匀性的参数是消光比。因此本文首先讨论了动、静态的消光比问题,然后讨论电畴对光学均匀性和一次电光效应的影响。     

非晶半导体多层调制结构的喇曼研究

本文报道了用喇曼背散射对非晶半导体调制结构材料的研究.从TO峰的展宽和位移可得到相应材料的键角偏移及微晶晶粒尺度的计算,并着重研究了调制结构的喇曼谱,得到了一些明确的、有意义的结论,为进一步研究这类材料的结构提供了信息.     

非晶半导体超晶格喇曼谱中类光学模的研究

在非晶半导体超晶格喇曼谱中,从类光学模(TO-Like mode)的半高峰(陡边)宽(HWHM )及峰位置可得到有关微结构的一系列参量:如键角的变化、靠近界面附近处每个键的平均畸变能、层间界面处的张力等物理量、将两组不同调制参数的超晶格情况对比,可更清楚地理解其结构,使人们对非晶硅超晶格的微结构有进一步的了解.