无定形硅氢靶摄象管

氢化非晶硅(a—Si∶H)因基隙态密度低,能实现可控掺杂,在可见光区具有高的光吸收系数。因此,在低成本太阳电池、薄膜晶体管及成象器件中有着良好的应用前景。本文报导采用辉光放电法(GD法)沉积a—Si∶H层作为光导层,用a—SiNx∶H及Sb_2S_3层作为阻挡层结构的摄象管。灵敏度达到0.5lx白光光照下O.15μA,分辨率为600TVL,暗电流为10nA,惰性还有待进一步改善。     

非晶态硅薄膜的制备及其肖特基势垒的研究

利用r.f.辉光放电、由硅烷(SiH_4)分解,在常规的 CVD系统中获得了非晶态硅(a-Si)薄膜.由电子衍射图象及x-光衍射谱证实获得的硅薄膜是无定形结构.由薄膜的红外吸收光谱指出,制得的a-Si 薄膜中含有特征的Si-H键结构. 选用金属铝、铂与未掺杂的a-Si薄膜形成肖特基势垒(M-a-Si),测其I-V特性,展示了接近理想二极管的行为.并求得它们的势垒高度分别为φ_BAl～0.60eV和中φ_BPt～0.78eV.     

准周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格

本文首次报道成功地实现了非晶态半导体准周期(无平移对称性)超晶格结构.利用辉光放电汽相淀积技术,由两种超薄的a-Si:H层和a-SiN_x:H层按Fibonacci序列程序淀积而构成一维准周期超晶格.其中两种一维周期格子的调制波长比为黄金分割τ=(1+5~(1/2))/2.剖面电子显微像和相应的电子衍射花样揭示出这类新型非晶态半导体超晶格的奇异性质.简单的理论计算给予实验衍射图像以明确的物理解释.     

α-Si-H TFT及有源矩阵选址平板液晶显示

本文报道了用于平板液晶显示(LCD)的氢化非晶硅薄膜晶体管(α-Si:H TFT)的研制结果,此晶体管开态电流约10~(-6)A,关态电流<10~(-11)A,开启电压～15V.用此α-Si:H TFT矩阵已封装出具有20×20个有效象素单元的液晶显示平板,并成功地实现了有源选址与动态显示功能.同时,对如何进一步提高TFT性能作了一些分析与讨论.     

非晶硅薄膜的钝化作用

用半绝缘性非晶硅做为硅器件的钝化保护膜经我们长期实验已取得显著效果。它能大大降低器件的反向漏电流,提高击穿电压并使特性稳定。这是由于非晶硅膜中含有氢,氢能直接填补硅器件界面上的缺陷及表面能级,降低表面态之故。已证实非晶硅对碱金属离子及水汽具有较强的掩蔽作用,以及它的工艺条件简便、淀积温度低都使它有利于用在工业生产上。     

无定型硅基钝化膜在硅器件中的应用

本文报道了无定型硅基钝化膜在功率晶体管中的应用情况。实验结果表明:采用此钝化膜有助于改善平面p-n结的电气性能和表面抗污染能力,提高了器件的可靠性和稳定性。对此钝化机理本文也作了相应的讨论。     

氢化非晶硅pin二极管型光寻址空间光调制器的研制

报道了用氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）ｐｉｎ二极管作光敏层，扭曲向列型液晶（ＴＮＬＣ）作电光调制层的光寻址空间光调制器（ＯＡＳＬＭ）的设计、制作与性能测试．结果表明制得的（ＯＡＳＬＭ）分辨率大于２０ｌｐ／ｍｍ；在３００ｌｕｘ白光写入时对比度高于２５：１；白光写入灵敏度约３ｌｕｘ。     

非晶半导体超晶格紫外-可见-红外光谱的研究

利用r.f.辉光放电方法,在单室生长系统内,由周期性地改变SiH_4和NH_3反应气氛成功地获得了Ls由10A到200A的a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格结构.由TEM和XPS实验结果证明超晶格结构具有平滑陡峭的界面.通过分析(Si-H)键拉伸振动模在波数2400cm~(-1)-1800cm~(-1)范围内的精细结构,揭示了a-Si:H/a-SiN_x:H界面中(Si-H)N振动模的形式.并证实有过量的H键合于界面层中.由紫外-可见吸收光谱的研究,证明当 L_s<60A,光学能隙E_R~(opt)的位移是超晶格结构中量子势阱限制效应的影响.其实验值和理论计算值符合得较好.