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准周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格
引用本文:毛国民,陈坤基,冯端,李志锋,严勇,陈泓,杜家方.准周期a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格[J].半导体学报,1988,9(1):100-102.
作者姓名:毛国民  陈坤基  冯端  李志锋  严勇  陈泓  杜家方
作者单位:南京大学物理系固体物理所 南京 (毛国民,陈坤基,冯端,李志锋,严勇,陈泓),南京大学物理系固体物理所 南京(杜家方)
摘    要:本文首次报道成功地实现了非晶态半导体准周期(无平移对称性)超晶格结构.利用辉光放电汽相淀积技术,由两种超薄的a-Si:H层和a-SiN_x:H层按Fibonacci序列程序淀积而构成一维准周期超晶格.其中两种一维周期格子的调制波长比为黄金分割τ=(1+5~(1/2))/2.剖面电子显微像和相应的电子衍射花样揭示出这类新型非晶态半导体超晶格的奇异性质.简单的理论计算给予实验衍射图像以明确的物理解释.

关 键 词:准周期超晶格  Fibonacci规则  a-Si:H/a-SiN_x:H  电子显微像  电子衍射图样

Quasiperiodic a-Si:H/a-SiN_x:H Superlattices
Abstract:
Keywords:Quasiperiodic superlattice  Fibonacci rule  a-Si:H/a-SiN_(?):H_(?) TEM micrograph  Electron diffraction pattern
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