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| 非晶态硅薄膜的制备及其肖特基势垒的研究 | |
| 引用本文： | 陈坤基,何宇亮,杜家方.非晶态硅薄膜的制备及其肖特基势垒的研究[J].半导体学报,1980,1(3):179-186. |
| 作者姓名： | 陈坤基 何宇亮 杜家方 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 (陈坤基，何宇亮)，南京大学物理系(杜家方) |
| 摘 要： | 利用r.f.辉光放电、由硅烷(SiH_4)分解,在常规的 CVD系统中获得了非晶态硅(a-Si)薄膜.由电子衍射图象及x-光衍射谱证实获得的硅薄膜是无定形结构.由薄膜的红外吸收光谱指出,制得的a-Si 薄膜中含有特征的Si-H键结构. 选用金属铝、铂与未掺杂的a-Si薄膜形成肖特基势垒(M-a-Si),测其I-V特性,展示了接近理想二极管的行为.并求得它们的势垒高度分别为φ_BAl～0.60eV和中φ_BPt～0.78eV. |
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