无定形硅氢靶摄象管

氢化非晶硅(a—Si∶H)因基隙态密度低,能实现可控掺杂,在可见光区具有高的光吸收系数。因此,在低成本太阳电池、薄膜晶体管及成象器件中有着良好的应用前景。本文报导采用辉光放电法(GD法)沉积a—Si∶H层作为光导层,用a—SiNx∶H及Sb_2S_3层作为阻挡层结构的摄象管。灵敏度达到0.5lx白光光照下O.15μA,分辨率为600TVL,暗电流为10nA,惰性还有待进一步改善。