基于神经网络的GPS高程转换方法

本文介绍了用神经网络方法转换GPS高程为正常高 ,给出了一种BP神经网络的拓扑结构和算法 ,并与二次多项式曲面拟合方法作了比较分析。经实例验证 ,在较大范围内 ,用神经网络方法转换GPS高程优于二次曲面拟合方法 ,所获得的正常高可满足各种大比例尺测图的精度要求 ,具有一定的实用价值     

城市地下管线数据处理与数据库设计

文中结合城市地下管线数据采集方法与数据库管理模式，着重介绍了管线数据处理的方法和基于Visual Foxpro为平台的管理数据库结构设计方法，实现了管线数据库的科学管理。     

未采区段地质条件影响因素破坏指数统计预测

研究地质条件评价，必须确定其影响因素的破坏指数。文中根据矿山开采的历史资料，经过大量统计分析，揭开了工作面周围巷道揭露的信息与工作面内的实际信息之间的关系；建立了工作面断层、褶曲、薄煤带等破坏指数的预测模型。经实例验证，模型预测效果显著。     

新型相变材料Ti0.5Sb2Te3刻蚀工艺及其机理研究

采用CF4和Ar混合气体研究了新型相变材料Ti0.5Sb2Te3(TST)的刻蚀特性,重点优化和研究了刻蚀气体总流速、CF4/Ar的比例、压力和功率等工艺参数对刻蚀形貌的影响。结果表明,当气体总流量为50 sccm、CF4浓度为26%﹑刻蚀功率为400 W和刻蚀压力为13.3 Pa时,刻蚀速度达到126 nm/min,TST薄膜刻蚀图形侧壁平整而且垂直度好(接近90°)﹑刻蚀表面平整(RMS为0.82 nm)以及刻蚀的片内均匀性等都非常好。     

概率神经网络在ETM+影像分类中的应用

为了提高Landsat7卫星搭载的ETM+影像分类的精度,文中分析了ETM+传感器拍摄的江西局部区域的遥感影像。通过分析概率神经网络的结构和算法,运用MATLAB对图像进行了处理,得到分类后的图像像素属性数据,并对处理结果均匀取样本点进行了精度分析。结果表明:概率神经网络可以满足ETM+影像分类的要求,具有很好的应用前景。     

镶嵌在超薄SiO2层中的纳米硅的库仑阻塞现象

采用等离子体氧化和逐层(layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了SiO2/nc-Si/SiO2的双势垒纳米结构,从nc-Si薄膜的喇曼谱中观察到结晶峰,估算出该薄膜的晶化成分和平均晶粒尺寸分别约为65%和6nm.通过对该纳米结构的电容-电压(C-V)测量,研究了载流子的隧穿和库仑阻塞特性.在不同测试频率的C-V谱中观测到了由于载流子隧穿引起的最大电容值抬升现象.通过低温低频C-V谱,计算出该结构中nc-Si的库仑荷电能为57meV.     

模糊控制理论在煤矿生产中的应用

本文应用ＦＵＺＺＹ控制理论，建立了工作面单产的预测模型，并对不同地质条件，机械设备，人员素质的工作面单产进行了预测，得出了ＦＵＺＺＹ控制理论可以应用于煤矿的结论。     

用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能

为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.     

电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)

研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性。结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在 MOS 结构中。     

包含双层半导体和金属纳米晶MOS电容的存储特性

制备了包含双层半导体和金属纳米晶的MOS电容结构,研究了其在非挥发性存储器领域的应用。利用真空电子束蒸发技术,在二氧化硅介质中得到了半导体硅纳米晶和金属镍纳米晶。与包含单层纳米晶的MOS电容相比,这种包含双层异质纳米晶的MOS电容显示出更大的存储能力,且保留性能得到改善。说明顶层的金属纳米晶作为一层额外的电荷俘获层可以通过直接隧穿机制进一步延长保留时间和提高平带电压漂移量。