| 镶嵌在超薄SiO2层中的纳米硅的库仑阻塞现象 |
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| 引用本文： | 石建军,吴良才,鲍云,刘嘉瑜,马忠元,戴敏,黄信凡,李伟,徐骏,陈坤基.镶嵌在超薄SiO2层中的纳米硅的库仑阻塞现象[J].半导体学报,2003,24(1). |
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| 作者姓名： | 石建军 吴良才 鲍云 刘嘉瑜 马忠元 戴敏 黄信凡 李伟 徐骏 陈坤基 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)，江苏省高科技项目 |
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| 摘 要： | 采用等离子体氧化和逐层(layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了SiO2/nc-Si/SiO2的双势垒纳米结构,从nc-Si薄膜的喇曼谱中观察到结晶峰,估算出该薄膜的晶化成分和平均晶粒尺寸分别约为65%和6nm.通过对该纳米结构的电容-电压(C-V)测量,研究了载流子的隧穿和库仑阻塞特性.在不同测试频率的C-V谱中观测到了由于载流子隧穿引起的最大电容值抬升现象.通过低温低频C-V谱,计算出该结构中nc-Si的库仑荷电能为57meV.
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| 关 键 词： | 纳米硅 C-V 超薄氧化层 隧穿 |
Coulomb Blockade Effect of Carriers in nc-Si Embedded in Ultrathin SiO2 Films |
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