公路下采煤引起的路基变形规律有限元模拟

对魏家地煤矿109工作面的开采以及103工作面和上部小煤窑煤炭开采的叠加综合作用对唐红公路路基变形的影响进行了有限元分析.分析表明,109工作面引起的开采沉陷对公路安全运营虽有一定影响,但影响不大,可以进行公路和村庄下采煤,109工作面的开采可以保证公路的正常运营及村庄建筑物的安全使用.但是由于其他采空区的叠加作用,为安全起见,建议设置地表变形监测系统,加强监测,分析地表变形规律,应对紧急情况的发生.     

微腔中nc-Si/SiN超晶格的光致发光

研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,从Raman谱和透射电子显微镜分析得到其尺寸约为3～4 nm.从光致发光谱上观察到明显的选模作用、明显变窄的发光峰以及约两个量级的发光强度的增强.微腔对硅量子点阵列发光的调制主要表现在两个方面:共振模式的增强和非共振模式的抑制.硅量子点中位于腔共振模式的辐射跃迁被增强,非共振模式的辐射跃迁被抑制,因此位于腔共振频率处的跃迁通道成为硅量子点中唯一的辐射跃迁通道,导致光致发光谱的窄化和强度的增强.因此,在提高硅材料发光效率方面,光子晶体微腔具有非常大的应用前景.     

东昆仑造山带都兰地区花岗岩类锆石U-Pb定年和地球化学特征

地处东昆仑东段重要构造-岩浆带上的都兰地区,近年来发现了一系列斑岩型金属矿床,但由于自然环境条件限制,成矿与地质研究程度尚较低。东昆仑东段都兰地区矿区成矿母岩主要为花岗岩类,本文对主要围岩进行了LA-ICP-MS锆石U-Pb测年和地球化学研究,表明都兰地区花岗岩带岩石类型为高钾钙碱性过铝质;10个花岗岩样品的地球化学分析结果显示,Si O2与Al2O3、Fe2O、Mg O、Ca O、P2O5和Ti O2具有相似的线性递减趋势,样品主量、微量和稀土元素结果反映具有同源性。样品中锆石呈自形-半自形,发育典型的岩浆锆石震荡生长环带,TH/U值较高,为岩浆锆石。测得3个锆石样U-Pb加权平均年龄分别为(246.0±1.1)Ma、(243.4±2.8)Ma和(242.1±7.9)Ma,代表印支期岩体年龄,符合东昆仑地区印支期发生较大规模的岩浆活动事件。     

微腔中nc-Si/SiN超晶格的光致发光

研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,从Raman谱和透射电子显微镜分析得到其尺寸约为3～4 nm.从光致发光谱上观察到明显的选模作用、明显变窄的发光峰以及约两个量级的发光强度的增强.微腔对硅量子点阵列发光的调制主要表现在两个方面:共振模式的增强和非共振模式的抑制.硅量子点中位于腔共振模式的辐射跃迁被增强,非共振模式的辐射跃迁被抑制,因此位于腔共振频率处的跃迁通道成为硅量子点中唯一的辐射跃迁通道,导致光致发光谱的窄化和强度的增强.因此,在提高硅材料发光效率方面,光子晶体微腔具有非常大的应用前景.     

镶嵌在超薄SiO2层中的纳米硅的库仑阻塞现象

采用等离子体氧化和逐层(layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了SiO2/nc-Si/SiO2的双势垒纳米结构,从nc-Si薄膜的喇曼谱中观察到结晶峰,估算出该薄膜的晶化成分和平均晶粒尺寸分别约为65%和6nm.通过对该纳米结构的电容-电压(C-V)测量,研究了载流子的隧穿和库仑阻塞特性.在不同测试频率的C-V谱中观测到了由于载流子隧穿引起的最大电容值抬升现象.通过低温低频C-V谱,计算出该结构中nc-Si的库仑荷电能为57meV.     

等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射

报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析     

不同尺寸CdTe纳米晶体的共振能量迁移过程的荧光光谱

用两种不同尺寸的CdTe纳米晶体与明胶溶液生长出均匀稳定的CdTe纳米晶体-明胶复合薄膜.研究了这种复合体系中两种尺寸的CdTe纳米晶体之间的共振能量迁移过程.荧光光谱显示:当复合薄膜中两种尺寸的纳米晶体之间的距离逐渐靠近时,较小尺寸的CdTe纳米晶体荧光峰强度逐步减弱,而较大尺寸的纳米晶体的荧光峰强度逐渐加强.荧光光谱的变化来源于大小尺寸纳米晶体之间的荧光共振能量迁移.小尺寸的纳米晶体作为施主,它的荧光光谱与大尺寸的纳米晶体(作为受主)的光吸收谱完全重叠,因而当施主和受主距离逐渐靠近时(明胶浓度逐渐降低时),施主将会把吸收光子得到的能量直接地共振传输给受主.从光谱分析可以得到荧光淬灭效率随颗粒间距的变化关系图,这种关系图可以被用来快速简捷地估计发光纳米晶体之间的距离,从而为它们在化学和生物领域的应用提供了广阔的前景.     

a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理

采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系.     

硫系相变材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜相变速度及电学输运性质研究

利用磁控溅射方法制备了Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5两种相变存贮材料的薄膜.原位X射线衍射(XRD)的结果表明,随着退火温度的升高,Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜都逐步晶化,材料结构发生了从非晶态到面心立方结构、再到六角密堆结构的转变.由衍射峰的半宽高可以看出,在达到第一次相变温度后,Ge2Sb2T...     

等离子体氧化制备超薄SiO_2层的性质

利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于 10 nm的超薄 Si O2 层 .通过傅里叶红外光谱 (FTIR)、X射线光电子谱 (XPS)、透射电子显微镜 (TEM)、椭圆偏振法和电流电压 (I- V)、电容电压 (C- V)测量对生成的超薄氧化层性质进行研究