镶嵌在超薄SiO_2层中的纳米硅的库仑阻塞现象

采用等离子体氧化和逐层 (layer by layer)生长技术在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中原位制备了 Si O2 /nc- Si/Si O2 的双势垒纳米结构 ,从 nc- Si薄膜的喇曼谱中观察到结晶峰 ,估算出该薄膜的晶化成分和平均晶粒尺寸分别约为 6 5 %和 6 nm.通过对该纳米结构的电容 -电压 (C- V)测量 ,研究了载流子的隧穿和库仑阻塞特性 .在不同测试频率的 C- V谱中观测到了由于载流子隧穿引起的最大电容值抬升现象 .通过低温低频 C- V谱 ,计算出该结构中 nc- Si的库仑荷电能为 5 7me V.     

(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管

采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.     

(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管

采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.     

(p)nc-Si∶H/(n)c-Si异质结变容二极管

采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管——Au/Cr合金（电极）/multi-layer(p)nc-Si∶H/(n)c-Si/（电极）Au/Ge合金结构．I-V，C-V，C-f以及DLTS的测试结果表明：其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数，正向导电机制符合隧穿辅助辐射复合模型，这是nc-Si∶H层中nc-Si晶粒的量子效应所致；反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定，且反向漏电流小，反向击穿电压高，表现出较好的整流特性．     

a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理

采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系.     

a-Si:H/SiO2多层膜晶化过程中的发光机理

采用在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中淀积a-Si:H薄膜结合原位等离子体氧化的技术,制备了一系列不同a-Si:H子层厚度的a-Si:H/SiO2多层膜.通过对其进行三步热处理:脱氢、快速热退火及准静态退火,使a-Si:H/SiO2多层膜中a-Si:H层发生非晶态到晶态的相变,获得尺寸可控的纳米硅nc-Si/SiO2多层膜.结合Raman谱,FTIR谱和TEM测试,对退火过程中多层膜的光致发光性质进行跟踪研究,分析了a-Si:H/SiO2多层膜在各个热处理阶段发光机理的演变,讨论了a-Si:H/SiO2多层膜晶化为nc-Si/SiO2多层膜过程中,发光机制与微结构之间的相互联系.     

室温下nc-Si/SiO2多层膜结构中的共振隧穿现象

采用等离子体淀积和原位氧化技术,并结合后续的热退火处理制备了nc-Si/SiO2 多层膜结构。通过电流电压特性对室温下器件中的载流子输运过程进行了表征。在正向和反向偏压下的电流电压特性曲线中都表现出了由于共振隧穿引起的负微分电导。共振隧穿产生的峰值电流对应的电压值与器件结构中的势垒层厚度相关,势垒层越厚,发生隧穿的峰值电压越高。文中通过器件的能带结构简图和等效电路图对正向、反向偏压下的共振隧穿峰值电压差异进行了细致的分析。     

自组装Si量子点阵中室温共振隧穿及微分负阻特性

报道了自组装Si量子点（Si-QDs）阵列在室温下的共振隧穿及其微分负阻特性. 在等离子增强化学气相沉淀系统中,采用layer-by-layer的淀积技术和原位等离子体氧化方法制备了Al/SiO2/Si-QDs/SiO2/Substrate双势垒结构. 通过原子力显微镜和透射电子显微镜检测,证实所获得的Si-QDs阵列中Si量子点平均尺寸为6nm,并具有较好的尺寸均匀性（小于10%). 在对样品的室温I-V和C-V特性的测量中,直接观测到由于Si量子点中分立能级而引起的共振隧穿和充电效应：I-V特性表现出显著的“微分负阻特性(NDR)" ;而C-V特性中也同样观测到位置相对应、结构相似的峰结构,从而证实了I-V和C-V特性中的峰结构都同样来源于电子与Si量子点阵列中分离能级之间的共振隧穿和充电过程. 进一步研究发现,Si量子点阵列中共振隧穿和NDR特性所特有“扫描方向”和“速率”依赖性及其机制,与量子阱的情况有所不同. 通过所建立的主方程数值模型,成功地解释并重复了Si量子点阵中共振隧穿所特有的输运特性.     

自组装Si量子点阵中室温共振隧穿及微分负阻特性

报道了自组装Si量子点(Si-QDs)阵列在室温下的共振隧穿及其微分负阻特性.在等离子增强化学气相沉淀系统中,采用layer-by-layer的淀积技术和原位等离子体氧化方法制备了Al/SiO2/Si-QDs/SiO2/Substrate双势垒结构.通过原子力显微镜和透射电子显微镜检测,证实所获得的Si-QDs阵列中Si量子点平均尺寸为6nm,并具有较好的尺寸均匀性(小于10%).在对样品的室温I-V和C-V特性的测量中,直接观测到由于Si量子点中分立能级而引起的共振隧穿和充电效应:I-V特性表现出显著的"微分负阻特性(NDR)";而CV特性中也同样观测到位置相对应、结构相似的峰结构,从而证实了I-V和C-V特性中的峰结构都同样来源于电子与Si量子点阵列中分离能级之间的共振隧穿和充电过程.进一步研究发现,Si量子点阵列中共振隧穿和NDR特性所特有"扫描方向"和"速率"依赖性及其机制,与量子阱的情况有所不同.通过所建立的主方程数值模型,成功地解释并重复了Si量子点阵中共振隧穿所特有的输运特性.     

自组装Si量子点阵中室温共振隧穿及微分负阻特性

报道了自组装Si量子点(Si-QDs)阵列在室温下的共振隧穿及其微分负阻特性.在等离子增强化学气相沉淀系统中,采用layer-by-layer的淀积技术和原位等离子体氧化方法制备了Al/SiO2/Si-QDs/SiO2/Substrate双势垒结构.通过原子力显微镜和透射电子显微镜检测,证实所获得的Si-QDs阵列中Si量子点平均尺寸为6nm,并具有较好的尺寸均匀性(小于10%).在对样品的室温I-V和C-V特性的测量中,直接观测到由于Si量子点中分立能级而引起的共振隧穿和充电效应:I-V特性表现出显著的"微分负阻特性(NDR)";而CV特性中也同样观测到位置相对应、结构相似的峰结构,从而证实了I-V和C-V特性中的峰结构都同样来源于电子与Si量子点阵列中分离能级之间的共振隧穿和充电过程.进一步研究发现,Si量子点阵列中共振隧穿和NDR特性所特有"扫描方向"和"速率"依赖性及其机制,与量子阱的情况有所不同.通过所建立的主方程数值模型,成功地解释并重复了Si量子点阵中共振隧穿所特有的输运特性.     

Advances in millimeter-wave subsystems in Japan

The authors describe the development trends and results of millimeter-wave systems in Japan in such fields as communication, radar, and measurement systems. The applications included are the W-40G waveguide transmission communication system, an automobile traffic control system using the 60-GHz band, a collision avoidance radar system for an automobile, a plasma electron density measuring system, and satellite communication. The authors describe the development of devices such as high-power FET amplifiers, traveling wave tube amplifiers (TWTAs), IMPATT amplifiers, low-noise amplifiers, and monolithic microwave integrated circuit (MMIC) devices used in constructing the millimeter-wave systems     

智能通信在楼宇自控系统中的应用

随着计算机技术、控制技术、通信技术及信息技术的飞速发展,人们对生活、办公环境安全性、舒适性的要求日渐增长,智能建筑应运而生。楼宇自动化控制系统是智能建筑的一个重要组成部分。通过结合具体的智能楼宇控制工程项目,在介绍系统概况的基础上,给出了系统的总体设计方案及子系统的监控方案,具有一定的实用价值。     

Progress in electrophotography in Western Europe

A review is given of the progress in electrophotographic science and technology in Western Europe during the years 1967 to early 1971. University research work is mainly directed towards two areas: 1) the electrical and physical properties of photoconductors, such as selenium, chalcogenides, oxides, and organic materials; and 2) the sensitization of these photoconductors. Industrial research teams report on the preparation of electrophotographic layers on development and on image evaluation. A bibliography including scientific papers and patents published on this subject during said period completes this review.     

IT安全化安全IT化--信息安全产业发展问题与思考

信息安全在IT业中的角色演变 在当今信息时代,信息技术日新月异,信息产业已经成为拉动GDP增长的第一支柱产业,并以每年20%—30％的速度迅猛发展。其发展过程也经历了从传统IT向新型IT的转变,其中一个重要的转变因素便是信息安全。 1.传统IT与信息安全的关系。传统IT涵盖了五大类:通信、网络、计算机、软件、电子材料及元器件。这五类IT行业本身的发展一度呈现结构失衡:一方面过度投资到“信息高速公     

Telecommunications' role in national development in Ghana

Ghana has recognized the need for efficient and reliable telecommunication services. The widespread availability of these services will promote the nation's economic advancement and the decentralization of the government's activities. To achieve the objective of bringing telecommunications to all the people of Ghana, private sector participation is considered essential as a source of management skills, technology, and financing that will be required for the provision of services. In order to attract such participation, Ghana is putting in place the necessary policy, institutional, and regulatory frameworks to create an enabling environment for private sector investment in the telecommunication sector     

Switching conduction in ion-irradiated layers in GaAs

Experiments have been performed to investigate whether switching phenomena are observable in ion-irradiated GaAs. It is found that the V/I characteristics of H2+-and N+-irradiated layers show both negative resistance and switching from a high resistance to a low resistance state. Ion irradiation may thus be a useful method of fabricating switching devices.     

Electricity in China-generation in the People's Republic

Before the establishment of the People's Republic, China was a semi-colonial, semi-feudal society plagued by foreign interventions and internal power struggles. It was against this background that the electrical industry went through its infancy. Today, the People's Republic of China is facing an acute energy shortage, posing a problem which must be quickly overcome if the country's rapid industrialisation is to continue as planned. The author presents a brief history of power generation in China from 1949 to 1983 and examines possibilities for the future     

移动产业2011年五大趋势:Google苹果双头垄断

新年伊始,移动产业的各种预测层出不穷,《今日美国报》专栏作家凯文·马尼(Kevin Maney)撰文,列举了2011年移动行业的五大趋势。以下为文章全文:2011年的移动行业有一些显而易见的趋势:Verizon可能会出售与其网络兼容的iPhone,苹果可能会发布新iPad,而用户则仍然有可能浪费大量时间玩《水果忍者》(Fruit Ninja)这样的游戏。