串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型，并且应用该模型，对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关，采用全波分析方法，进行了瞬态电磁场分析。由于开关尺寸为微米量级，而驱动电压高达40～60V，这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响。理论仿真结果显示，开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在。实验结果同样显示，耦舍到信号路的信号可以输入信号产生最大值为60％的失真。     

串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型,并且应用该模型,对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关,采用全波分析方法,进行了瞬态电磁场分析.由于开关尺寸为微米量级,而驱动电压高达40～60V,这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响.理论仿真结果显示,开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在.实验结果同样显示,耦合到信号路的信号可以输入信号产生最大值为60%的失真.     

用于天线设计的分形结构系统化生成法

提出一种分形结构的系统化生成方法,通过此方法可以系统化产生大量分形结构。这些分形结构可以用于分形天线/分形天线阵列的设计或其它分形结构的应用中。文中给出了以正方形为初始图形构造的多种分形几何图形,并给出了一些采用这些分形结构制成的分形贴片天线的实验结果。     

串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型 ,并且应用该模型 ,对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关 ,采用全波分析方法 ,进行了瞬态电磁场分析。由于开关尺寸为微米量级 ,而驱动电压高达 4 0～ 6 0V ,这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响。理论仿真结果显示 ,开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在。实验结果同样显示 ,耦合到信号路的信号可以输入信号产生最大值为 6 0 %的失真