| 串联MEMS开关的瞬态电磁场分析 |
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| 引用本文： | 顾洪明,吕苗,单福琪,高葆新,梁春广.串联MEMS开关的瞬态电磁场分析[J].微纳电子技术,2003,40(7):84-86. |
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| 作者姓名： | 顾洪明 吕苗 单福琪 高葆新 梁春广 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学电子工程系,北京,100084
2. 河北半导体研究所,河北,石家庄,050002 |
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| 摘 要： | 提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型，并且应用该模型，对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关，采用全波分析方法，进行了瞬态电磁场分析。由于开关尺寸为微米量级，而驱动电压高达40～60V，这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响。理论仿真结果显示，开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在。实验结果同样显示，耦舍到信号路的信号可以输入信号产生最大值为60％的失真。
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| 关 键 词： | MEMS开关 瞬态电磁场 耦合模型 全波分析法 |
| 文章编号： | 1671-4776(2003)07/08-0084-03 |
| 修稿时间： | 2003年5月15日 |
Transient field analysis for series MEMS switch |
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