半导体蓝光

叙述了当前以ＧａＮ为代表的第三代半导体材料的崛起。ＧａＮ因其优良的特性而被用于制造蓝色发光二极管和激光二极管，引起了世界蓝光热。它的研究不仅是高技术的前沿课题，而且是具有巨大市场前景的技术经济竞争领域。蓝色发光二极管和激光器在全色动态显示、固体照明光源、交通信号灯、汽车尾灯、光盘信息贮存以及深海通信等领域都有广阔应用前景。     

超高亮度LED的进展

较为详细地叙述了超高亮度发光二极管的进展。从１９９０年日本东芝公司和美国ＨＰ研制成ＩｎＧａＡｌＰ６２０ｎｍ橙色超高亮度ＬＥＤ起，到１９９４年日本日亚公司研制ＧａＮ４５０ｎｍ蓝色超高亮度ＬＥＤ，目前主要是降低成本，实现产业化。     

硅基SiO_2光波导

在硅基上通过氢氧焰淀积的 Si O2 ,厚度达到了 2 0 μm;通过掺 Ge增加芯层的折射率 ,折射率比小于 1% ,并可调 ;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀 ,刻蚀深度为 6 μm,刻蚀深宽比大于 10 ;波导传输损耗小于0 .6 d B/ cm(λ=1.5 5 μm) ,并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究 .另外 ,为实现光纤与波导的耦合 ,结合微电子机械系统技术 ,在波导基片上制作了光纤对准 V形槽     

一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET

采用Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET(垂直双扩散金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管).给出了该器件的电离辐射效应及瞬态大剂量辐射的实验数据,与常规VDMOSFET相比获得了良好的抗辐射性能.对研制的200V VDMNOSFET,在栅偏压+10V,γ总剂量为1Mrad(Si)时,其阈值电压仅漂移了-0.5V,跨导下降了10%.在γ瞬态剂量率达1×1012rad(Si)/s时,器件未发生烧毁失效.实验结果证明Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区显著地改善了功率MOS器件的抗电离辐射及抗辐射烧毁能力.     

CLEO′90和IQEC′90学术会议简介

<正> 激光器与电光学(CLEO′90)和国际量子电子学(IQEC′90)会议于1990年5月21日至25日在美国加州Anaheim会议中心同时举行。除了两个会议各自有专题领域外,还有联合专题会议。两个会议的特邀报告和口头报告约1050篇,张贴报告约300篇,内容涉及面很广。其中CLEO′90共15个专题: 1)气体和自由电子激光器; 2)固体和液体激光器; 3)半导体激光器; 4)非线性光学和激光谱的应用; 5)相变和光折射器件;     

可见光LED的进展——发展趋势及蓝色LED(一)

较为详细地叙述了可见光ＬＥＤ的进展，包括发展趋势、蓝色ＬＥＤ、超高亮度ＬＥＤ的研制及应用领域的拓宽     

可见光LED的进展——超高亮度LED及应用(二)

可见光ＬＥＤ的进展——超高亮度ＬＥＤ及应用（二）张万生梁春广（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）４超高亮度发光管的发展［９～１４］４．１ＩｎＧａＡｌＰＤＨＬＥＤ发光强度达到坎德拉级发光管的高亮度化一直是半导体材料和器件的前沿课题之一，超高...