薄膜太阳电池系列讲座(24) 染料敏化电池(中)

(4)传导到TCO的电子流向外电路。(5)该电子最终经由外电路回到对电极(Counter Electrode)。(6)处于氧化态S+的染料分子从电解质(氧化还原电对I/I3)的I离子中得到电子回到基态S,而电解质的I失去电子被氧化成I3:S++e→S(3)I2e→I3(4)(7)处于氧化态的氧化还原电对I/I3中的I3扩散到对电极处,从对电极获得电子而被还原成I离子:     

薄膜太阳电池系列讲座(16) 硅基薄膜太阳电池(八)

调制材料的光电性能对于吸收层更为重要。CO2浓度比与缺陷态密度及带隙宽度的关系见图38a[35]。带隙宽度最大可达到2.02eV,而缺陷态从1016cm3增加到2.5×1017cm3左右,增加了一个多数量级(缺陷态的测量通过CPM测量得到)。可见,O的加入在加宽带隙的同时,将带来更多的悬挂键缺陷态。鉴于O为二配位,而Si是四配位,配位数的差异造成悬挂键的增加不难理解。     

氢等离子体辅助固相晶化多晶硅薄膜的初步研究

提出一种氢等离子辅助固相晶化(hydrogen plasma assisted solid phase crystallization,H-SPC)多晶硅的新颖技术。这一晶化技术能够明显缩短晶化时间,同时有效钝化多晶硅薄膜的缺陷态。首先对氢等离子辅助SPC技术与传统SPC技术进行比较分析,进而研究了晶化过程中各种工艺条件对多晶硅晶化质量的影响并进行了物理机制的初步分析。     

VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池

采用VHF-PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明：制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内．低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要．采用VHFPECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0.45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0.253cm2．     

TFT LCD数模混合适配器

利用常见芯片加以改造设计制造了一个ＴＦＴ ＬＣＤ计算机显示适配器，其控制器用数字电路，而驱动器是模拟方式的，并在现有芯片基础上实现了多灰度级，还编制了较为完善的软件系统。实验取得了良好的显示效果。     

YAG激光晶化多晶硅

报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果,其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜(如非晶硅和微晶硅)为晶化前驱物,以及对激光能量的利用等问题进行了分析研究.实验发现,晶化需要基本的阈值能量流密度,而晶化硅基前驱物材料的结构,是决定此阈值的关键.延迟降温速率对激光晶化是一种较为有效的手段,并对所得的初步结果进行了讨论.     

聚合物发光器件中输运特性的模拟分析

对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和"迟滞回线”状场致漂移的伏安特性.模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因.缺陷态的存在及其电荷填充的变化,是导致I-V特性曲线随偏压扫描方向变化的主要原因.而低场下的接触性能决定着发光二级管载流子的输运性质:若为非欧姆接触,则I-V曲线可用F-N隧穿模型来描述;若为欧姆接触,则应用陷阱电荷限制电流(TCL)模型来描述.     

玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路

以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUC poly-Si TFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品.     

无定型Si_(1-x)Ge_x∶H合金与迭层太阳电池

一、引言 无定型硅氢合金(a-Si:H)太阳电池,最近几年发展十分迅速。但是,由于a-Si:H的少子扩散长度比较小,n型材料的空穴迁移率不足1cm~2/V·s,相应的扩散长度仅为十分之几微米,这就限制了电池的收集效率。要解决这一矛盾,提高电池效率,主要途径有两个:一是改善材料的性质,增加少子的扩散长度,然而非晶半导体材料有其本身的局限性;二是从器     

玻璃/ITO/pin a-Si电池研究

本文对玻璃/ITO/pin a-Si太阳电池进行了分析,研究了辉光放电等离子体对ITO的轰击作用,并讨论了制备工艺对电池特性的影响。实验发现,ITO/p~+ a-Si接触特性除上述作用的影响外,环境沾污也有重要影响。