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以高性能的金属诱导单一方向横向晶化多晶硅薄膜晶体管(MIUC poly-Si TFT)为基础,研制出性能能满足AM-LCD和AM-OLED要求、版图和象素尺寸适配、制备工艺和象素电路兼容的多晶硅TFT行扫描和列驱动电路.该行扫描电路工作电压为3.5-10V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,下降沿约为150ns,上升沿约为205ns,最高工作频率在1MHz以上;列驱动电路工作电压为3.5-8V;当工作电压为5V、负载电容为22pf时,上升沿约为200ns,信号衰减率为15%(64μs扫描周期),最高工作频率达到4MHz.将该MIUC poly-Si TFT多晶硅行扫描、列驱动电路和有源选址电路集成到同一基板上,制备出象素数为80×RGB×60、动态显示效果良好的全集成型LCD屏样品. 相似文献
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本文测量了电池表观禁带宽度E_g~(app)与缓冲层厚度的关系,研究表明,缓冲层能改善V_(oc)的原因是加宽了电池的表观带隙,降低反向饱和电流。它还能增强PI界面电场强度,减小该区及Ⅰ层内的复合。但碳的引入又会降低电池稳定性,为此需要兼顾电池性能与稳定性而优化选择缓冲层的厚度。 相似文献
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本文全面介绍了我们在a-SiTFT-ALMLC“八五”科技攻关研究中的TFT矩阵模拟与优化设计,性能改善,提高矩阵板一致性和完整性,液晶封屏以及视频显示设计与实现等方面所做的工作。 相似文献
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对采用金属诱导单一方向横向晶化(metal induced unilaterally crystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础. 相似文献
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Based on the technology of low temperature poly silicon thin film transistors (poly-Si-TFTs), a novel p-type TFT AMOLED panel with self-scanned driving circuit is introduced in this paper. A shift register formed with novel p-type TFTs is pro- posed to realize the gate driver. A flip-latch cooperated with the shift register is designed to conduct the data writing. In order to verify the validity of the proposed design, the circuits are simulated with SILVACO TCAD tools, using the MODEL in which the paramete... 相似文献
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选取碱、Mg2+和Zn2+复合改性的沸石、石灰石和硅藻土为骨料,参照植生型多孔混凝土制作方法,制作了七种不同骨料体积比的模块化人工湿地基质。通过静态吸附实验对其脱氮除磷性能进行比较。筛选出三种模块化基质进行等温吸附实验和动力学吸附实验,对其脱氮除磷机制进行研究。结果表明:以单一改性沸石为骨料的模块化基质脱NH4+-N效果最好,其理论最大吸附量为45.79 mg/g;以三种改性基质按体积比1∶1∶1配比为骨料制作的模块化基质除PO43--P效果最好,其理论最大吸附量为11.52 mg/g;准二级吸附动力学模型能更好地拟合三种基质脱氮除磷的吸附动力学过程,三种基质对NH4+-N和PO43--P的吸附速率均受化学吸附速率控制。 相似文献