VLSI平行缝焊工艺技术

一、引言如图工，平行缝焊是利用脉冲大电流在电极和盖板。焊框接触处的高阻点产生的热量，使接触处盖板和下面焊框小区熔融、凝固后即形成一个焊点。电极不断向前滚动，通过调节脉冲电流（电压）大小、时间以及极运行速度，使一连串焊点适当交迭起来，从而形成气密焊缝。因采用一对锥形电极，形成平行的两条焊缝，故称平行缝焊。X、Y方向各焊一次即完成气密封帽。目前，国内用于大腔体集成电路的平行缝焊工艺，气密封帽成品率一直较低，包括引进设备。成品率一般在80％左右（101×10－7Pa·cm3／see，He）。旧设备、老工艺、国产管壳质量…     

UV固化工艺及设备

本文介绍了划片后UV膜的固化处理工艺,以及通过UV工艺提高划片质量和提高生产效率、提高划片刀的寿命。文中着重讨论了如何实现UV固化以及设备的制作和调整,对UV固化工艺和设备开发有很好的参考价值。     

倒装再分布技术及应用

随着半导体技术的发展,封装工艺与圆片工艺的联系越来越密切,特别是倒装技术的发展及广泛应用。由CSP到WL-CSP,再到TSV技术,封装技术的发展越来越迅速。倒装技术是发展的关键技术,它包括再分布技术、凸点底层金属（UBM）技术、凸点制备技术、倒扣焊接技术和底部填充技术等。文章介绍了传统芯片通过再分布设计及工艺解决实现倒装工艺,为倒装技术以及新技术的开发和应用提供了良好的途径和广阔的空间。     

镀金引线低温玻璃密封失效分析及其改进措施

气密性封装产品的气密性和气密可靠性对产品的长期使用寿命和可靠性是至关重要的.主要分析了镀金引线低温玻璃密封失效的原因,并针对分析中发现的引线与玻璃之间存在微裂纹现象进行了结构优化和验证,解决了产品密封的一致性和可靠性问题,并为相同结构封装的密封可靠性水平的提高提供了一定的参考.     

集成电路封装线系统性静电防护

文中分析了静电产生的原因、电路静电损伤机理及失效机制。制定了集成电路封装线系统性静电防护措施。其涉及到封装厂房环境静电防护、封装生产设备静电防护、工艺操作静电防护、电路包装和运输过程中的静电防护以及静电防护检测等多个环节。对这些环节的全面控制有利于消除静电对集成电路的损伤。     

芯片粘接失效模式及粘接强度提高途径

芯片粘接质量是电路封装质量的一个关键方面,它直接影响电路的质量和寿命。文章从芯片粘接强度的失效模式出发,分析了芯片粘接失效的几种类型,并从失效原因出发对如何在芯片粘接过程中提高其粘接强度提出了四种解决途径和方法,对提高芯片粘接强度和粘接可靠性具有参考价值。文章还指出了芯片粘接强度测试过程中的一些不当或注意点及其影响,并对不当的测试方法给出了改进方法,能有效地避免测试方法不当带来的误判。     

CBGA植球在线质量检测与控制技术

文章主要阐述了CBGA（陶瓷焊球阵列封装）植球过程中焊球、锡膏的选择,基板上焊盘镀金层厚度的控制,植球网板与印刷网板的制作,回流工艺的设定,焊球与陶瓷基板黏附质量的无损检测和破坏性检测方法。介绍了CBGA产品植球过程中的在线质量检测与控制,对提高CBGA产品的植球质量、成品率、一致性以及剔除焊球互连中的缺陷,提高产品的可靠性有帮助。     

铜丝球键合工艺及可靠性机理

文章针对铜丝键合工艺在高密度及大电流集成电路封装应用中出现的一系列可靠性问题,对该领域目前相关的理论和研究成果进行了综述,介绍了铜丝球键合工艺、键合点组织结构及力学性能、IMC生长情况、可靠性机理及失效模式。针对铜丝球键合工艺中易氧化、硬度高等难点,对特定工艺进行了阐述,同时也从金属间化合物形成机理的角度重点阐述了铜丝球键合点可靠性优于金丝球键合点的原因。并对铜丝球键合及铜丝楔键合工艺前景进行了展望。     

圆片清洗过程中静电控制

随着半导体技术的不断发展,对集成电路封装过程中的静电控制要求也越来越高。传统清洗机清洗圆片时,通常会产生大量的静电电压,可能引起芯片失效、损伤造成漏电流增大从而导致电路的损坏。如何降低清洗机清洗圆片时产生的静电电压,对减少封装过程中因ESD引起的芯片失效有着比较重要的意义。为此我们利用高压喷雾旋转清洗机针对圆片清洗这个步骤进行了一系列的试验。文中涉及控制清洗液的电阻率,并尝试改变清洗过程中的相关清洗条件,最终达到封装过程中要求的±200V的静电控制要求。