UV固化工艺及设备

本文介绍了划片后UV膜的固化处理工艺,以及通过UV工艺提高划片质量和提高生产效率、提高划片刀的寿命。文中着重讨论了如何实现UV固化以及设备的制作和调整,对UV固化工艺和设备开发有很好的参考价值。     

集成电路封装线系统性静电防护

文中分析了静电产生的原因、电路静电损伤机理及失效机制。制定了集成电路封装线系统性静电防护措施。其涉及到封装厂房环境静电防护、封装生产设备静电防护、工艺操作静电防护、电路包装和运输过程中的静电防护以及静电防护检测等多个环节。对这些环节的全面控制有利于消除静电对集成电路的损伤。     

镀金引线低温玻璃密封失效分析及其改进措施

气密性封装产品的气密性和气密可靠性对产品的长期使用寿命和可靠性是至关重要的.主要分析了镀金引线低温玻璃密封失效的原因,并针对分析中发现的引线与玻璃之间存在微裂纹现象进行了结构优化和验证,解决了产品密封的一致性和可靠性问题,并为相同结构封装的密封可靠性水平的提高提供了一定的参考.     

VLSI平行缝焊工艺技术

一、引言如图工，平行缝焊是利用脉冲大电流在电极和盖板。焊框接触处的高阻点产生的热量，使接触处盖板和下面焊框小区熔融、凝固后即形成一个焊点。电极不断向前滚动，通过调节脉冲电流（电压）大小、时间以及极运行速度，使一连串焊点适当交迭起来，从而形成气密焊缝。因采用一对锥形电极，形成平行的两条焊缝，故称平行缝焊。X、Y方向各焊一次即完成气密封帽。目前，国内用于大腔体集成电路的平行缝焊工艺，气密封帽成品率一直较低，包括引进设备。成品率一般在80％左右（101×10－7Pa·cm3／see，He）。旧设备、老工艺、国产管壳质量…     

倒装再分布技术及应用

随着半导体技术的发展,封装工艺与圆片工艺的联系越来越密切,特别是倒装技术的发展及广泛应用。由CSP到WL-CSP,再到TSV技术,封装技术的发展越来越迅速。倒装技术是发展的关键技术,它包括再分布技术、凸点底层金属（UBM）技术、凸点制备技术、倒扣焊接技术和底部填充技术等。文章介绍了传统芯片通过再分布设计及工艺解决实现倒装工艺,为倒装技术以及新技术的开发和应用提供了良好的途径和广阔的空间。     

陶瓷封装腔体内气体含量分析与控制

气密性封装技术应用广泛,内部水汽的含量能很好地控制在5 000×10-6以下。但在气密性封装器件的失效分析中发现,失效器件的某些失效与其内部除水汽之外的其他气氛含量异常有关,如锡基焊料焊接芯片长期贮存后抗剪/抗拉强度下降,与内部氧气含量高有关;银玻璃烧结的,长期贮存后抗剪/抗拉强度下降,与内部二氧化碳含量异常相关;内部...     

陶瓷封装电路恒定加速度试验失效仿真分析

0.50 mm节距CQFP256封装电路在20 000 g恒定加速度试验中出现瓷体开裂失效。利用Ansys Workbench仿真平台,对试验过程进行模拟仿真。结合电路失效照片和夹具实测数值,分析仿真结果,排除了封装设计和加工质量问题。而夹具的加工缺陷是导致电路瓷体开裂的主要原因。改进试验条件重新进行试验,电路100%通过20 000 g试验。     

Ni-Co合金+Au镀覆陶瓷外壳的引线键合可靠性研究

为了提高陶瓷外壳镀层耐高温变色、耐腐蚀以及长期贮存的能力,带金属零件的陶瓷外壳需采用Co含量在20%~40%的Ni-Co+Au镀覆结构,镀层经退火处理。研究分析了Ni+Au镀覆和NiCo+Au镀覆结构对铝丝楔焊和金丝球焊可靠性的影响,通过常温、300℃高温贮存1 h、300℃高温贮存24 h后引线键合强度变化、键合面的元素面分布进行量化比较。试验表明Ni+Au和Ni-Co+Au镀覆结构对引线键合强度和可靠性无明显影响;两种镀覆结构的外壳在键合时,键合工艺参数也不需要进行较大的调整;铝丝在Ni-Co+Au镀覆结构与Ni+Au镀覆结构上键合,在键合界面均会生成金铝金属间化合物,但只要金层厚度受控,均不会产生"Kirkendall"失效,相对来讲Ni-Co+Au镀覆结构的缺陷密度较低,生成金铝金属间化合物进程会慢些。     

硅基密封气密性及结构强度研究

探讨了硅基气密性封装的可行性,将电镀镍-金镀层的柯伐盖板、密封区金属化的硅基板用金锡焊料片通过熔封形成密封。硅是一种脆性材料,在硅基气密性密封结构中,需要研究气密性封装腔体大小对结构强度的影响(规律),以及可承受的压力。试验结果表明,腔体小于11 mm×27 mm时(腔体高度不限),350μm厚度的硅基板可直接与柯伐盖板密封,密封结构中的硅基板不会碎裂且可承受至少0.1 MPa的压力。