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1.
气氛对γ射线辐照聚碳硅烷陶瓷先驱丝的化学结构和 …   总被引:1,自引:1,他引:0  
将聚碳硅烷先驱丝分别在N2,He,NH3和限量空气条件下封装于石英管中,用γ射线辐照至特定剂量后,在高温条件下热解转化为SiC陶瓷材料,结果表明:除在大气条件下因Si-H的氧化,在波数为3400cm^-1处产生吸收峰以外,其它氛中辐照产物的红外吸收光谱并无明显差异。用热重-红外光谱(TGA-FTIR)联用技术和气相色谱法检测到热解过程中有CH4和大量的H2析出。当吸收剂量达到13.8MGy时,辐照  相似文献   
2.
单细胞凝胶电泳技术用于生物体系辐射损伤评价   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用单细胞凝胶电泳技术(single cell gel electrophoresis, SCGE),又称彗星电泳,表征不同剂量α, γ射线照射诱导健康人体外周血淋巴细胞DNA和小鼠活体与离体外周血淋巴细胞DNA瞬时损伤的剂量效应关系,建立了α, γ射线辐照剂量刻度曲线,并对活体小鼠的辐射损伤进行了吸收剂量估算,对辐射危害进行了评价.结果表明,单细胞凝胶电泳技术能够精确表征射线所致生物体损伤的生物学效应,而且能够对辐照后生物体的吸收剂量、尤其是辐射事故后的生物体进行剂量离线评测,建立生物体辐射损伤事后评测机制.  相似文献   
3.
观察到溴化丁基胶(BIIR)在加速器产生的电子束辐照下可发生交联反应,测得其凝胶化剂量为12 kGy。在剂量较低时辐照产物的凝胶含量与交联密度均随剂量增加而提高,但在80 kGy后则随剂量增加而呈下降趋势。试验了5种多乙烯基单体以敏化BIIR的交联反应,从而避免高剂量下的降解现象。结果表明TMPT(三甲基丙烯酸三羟甲基丙烷酯)是有效的敏化剂,配有TMPT的BIIR交联产物其拉伸强度随TMPT用量增大而明显提高。  相似文献   
4.
氮吸附法表征多孔材料的孔结构   总被引:15,自引:0,他引:15  
采用低温氮吸附法表征了具有不同孔结构的碳纳米管、碳分子筛、活性炭、分子筛和石墨化炭黑等多孔材料的孔径分布。氮吸附一脱附等温线利用康塔公司NOVA3000在相对压力0.001-1范围内测定。五种材料的比表面积在100-1000m2/g之间。低压下的吸附等温线和高压下的脱附等温线分别用HK方法和BJH方法解析,结果表明:五种多孔材料既含有发达的微孔,又含有一定数量的中孔。孔径大小及其分布的细微信息在色谱采样中能够预测吸附剂的吸附性能,也是新型多孔材料开发的关键。  相似文献   
5.
用多官能团单体敏化氯化丁基橡胶的辐射交联反应   总被引:3,自引:0,他引:3  
观察到丁基橡胶这一典型辐射降解型高聚物的氯化产物在电子束辐照下能发生交联反应,测得其凝胶化剂量为3.8kGy。考究了6种多官能团单体对CIIR的敏化效应,以期在低剂量下达到较高的交联程度;发现三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯能够有癣地提高CIIR的凝胶含量和交联密度。添加TMPT的CIIR经辐照后其拉伸强度几乎随TMPT含量成正比地线性提高。  相似文献   
6.
辐射交联有机先驱体转化法合成先进陶瓷材料   总被引:1,自引:0,他引:1  
许云书 《材料导报》1997,11(2):65-68
有机先驱体热解转化法是合成先进陶瓷材料的一种重要途径。先驱体的不融化处理则是保证陶瓷性能的关键因素。介绍了辐颓丧我联不融化处理技术的研究进展,并与热氧化交联法和过氧化物引发交联法作了比较,表明用辐射交联法能实现产和的高纯度,有利于提高陶瓷材料的耐热限和强度。  相似文献   
7.
纤维增强型辐射交联热缩片材的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
将高度拉伸的辐射交联聚烯烃单丝与玻纤编织成的网状材料复合在两层黑色电缆护套料片材之间,并进行辐照处理,所得复合材料具有优异的力学性能、抗环境性能以及热收缩能力,其综合性能超过通常的热缩材料。  相似文献   
8.
利用加速器产生的电子束(EB)在空气中辐照聚碳硅烷(PCS),以使之形成交联结构,然后经高温热解转化成SiC陶瓷。结果表明:在辐照产物中形成了SiCSi以及SiOSi等交联结构,热解温度以及热解陶瓷产率都随辐射吸收剂量增加而明显提高。通过TGIR联用分析技术,在热解产物中检测到了低分子量PCS以及CH4等小分子化合物,在吸收剂量高于2.3MGy时,PCS主要通过析出CH4而热解成SiC。  相似文献   
9.
二元乙丙共聚物的强化辐射交联   总被引:7,自引:3,他引:4  
  相似文献   
10.
利用γ射线在空气中辐照处理聚碳硅烷(PCS)先驱丝,采用凝胶含量、红外光谱、核磁共振、凝胶渗透色谱及理论计算等手段研究了PCS先驱丝在空气中的辐照增重特性。结果表明:吸收剂量为4 MGy时,PCS先驱丝的辐照增重为25.4%,Si-H键的反应程度为86.9%;Si-H键的反应程度与辐照增重呈很好的线性关系,R2=0.9972;在γ辐照作用下,空气中的氧通过与PCS反应形成了Si-OH、Si-O-Si、Si-O-C和C=O结构而造成PCS先驱丝显著增重。理论计算表明,Si-CH3上的C-H键与空气中的氧发生反应生成C=O是增重的主要来源。  相似文献   
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