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本文通过在低温下烧结靶材,利用电子束蒸发方法制备了Ge/Sb/Se/Fe比例可控的Fe3 离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜.用XRD和PHS-9V型酸度计研究薄膜的结构和性能.研究表明薄膜的Fe3 离子敏感性能为(50.375±4.125) mV/十倍浓度,线性响应Fe3 浓度范围(10-2~10-6) mol/L. 相似文献
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采用真空热蒸发与PECVD方法,在经特殊设计的"单反应室双沉积"设备中沉积了Al/a-Si∶H复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究.结果表明,Al/a-Si∶H复合薄膜在不高于250℃的退火条件下即开始出现硅的晶体相.退火温度越高,Al层越厚,形成多晶硅的量越多.Al/a-Si∶H复合薄膜的电导率受Al原子在a-Si∶H中掺杂效应的影响,比纯a-Si∶H薄膜的大.随着硅晶体相在复合薄膜中的生成,复合薄膜的电导率受晶相比控制,晶相比增加,电导率增大. 相似文献
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热压烧结羟基磷灰石生物陶瓷 总被引:4,自引:0,他引:4
采取湿化学法制取羟基磷灰石(HAP)粉末,热压法烧结陶瓷。瓷体呈半透明。抗压强度可达687MPa,断裂韧性为0.98MPam^1/2,比常压烧结分别提高了三倍和一倍。并测定了开口孔率、吸水率和体密度,以及X-光衍射,电镜观察。 相似文献
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溶胶-凝胶法制备LiNbO3薄膜的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
对近年来有关溶液-凝胶法制备LiNbO3薄膜的研究进行了较详细的论述,分析讨论了在溶胶-凝胶法制备了LiNbO3薄膜过程中,各主要因素对LiNbO3薄膜制备的影响,简要地介绍了LiNbO3薄膜的一些性能。研究结果表明,目前可以用溶胶-凝胶法在蓝宝石及LiTaO3等基板(基板的晶格参数与LiNbO3的晶格参数失配较小)上制备出有光学应用的LiNbO3薄膜,制膜的热处理温度通常在500℃左右,讨论了溶胶-凝胶法制备LiNbO3薄膜过程中存在的主要问题、发展前景有今后的研究方向。 相似文献
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不同A位元素(La、Y、Ca)的ACu3Ti4O12陶瓷介电性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用传统陶瓷烧结方法,成功制备了巨介电常数陶瓷CaCu3Ti4O12以及Ca被Y或La取代后的Y2/3Cu3Ti4O12和La2/3Cu3Ti4O12体系.利用X射线衍射仪,测定了材料的物相结构,利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗.研究结果表明,3种材料结构相似,都具有相同的类钙钛矿结构,但Y2/3Cu3Ti4O12 、La2/3Cu3Ti4O12系统中具有较多的缺陷,这些缺陷是由Y和La取代Ca产生的,会对材料的介电常数产生很大的影响.体系满足极化模型,极化粒子的松弛活化过程直接与所需克服的势垒相关,而不同体系中存在的不同缺陷改变了ACu3Ti4O12体系的松弛激活能,在Y和La取代Ca后的体系中松弛激活能要远大于取代前的CaCu3Ti4O12体系. 相似文献
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用溶胶-凝胶法制备了(Pbx,Sr1-x)0.85Bi0.1TiO3薄膜,对其晶相结构、微观形貌和介电可调性进行了研究.结果表明,该薄膜以钙钛矿形式存在.快速热处理过程可分解得到高活性离子,直接形成比相应温度平衡状态析晶时更多的晶相量.这种晶相在一定条件下有分解和再结晶的趋势.随着Pb^2+离子增加和Sr^2+离子减少,钙钛矿相的四方相与立方相间的转变温度升高.薄膜处在铁电相和顺电相转变点附近时,可以获得较大的可调性. 相似文献
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溶胶直接自蔓燃法制备NiZn铁氧体粉末研究 总被引:5,自引:1,他引:5
以柠檬酸铁或硝酸铁、硝酸锌、硝酸镍和柠檬酸为原料,利用溶胶直接自蔓延燃烧反应成功制备了尖晶石结构的NiZn铁氧体粉末.研究结果表明,溶胶直接自蔓延燃烧法形成的NiZn铁氧体粉末的颗粒尺寸总体较小,在含柠檬酸铁体系中晶粒平均尺寸仅为16~23nm,当柠檬酸量与金属盐总量的摩尔比为2时,形成的NiZn铁氧体粉末晶粒尺寸达最大.溶胶直接自蔓延燃烧法得到的NiZn铁氧体粉末的饱和磁化强度相对较小,约为10.54emu/g,矫顽力较大,约为412.5Oe . 相似文献
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基于实现在线镀膜的目的,研究了以TiCl4为钛源,用AP-CVD法在玻璃基板上制备TiO2薄膜的工艺.利用扫描电子显微(SEM)技术和X射线衍射(XRD)技术,研究了不同基板反应温度下薄膜的表面形貌和晶体结构,分析了表面形貌和结构对亲水性的影响.结果表明通过改变反应温度可以控制锐钛矿和金红石的相对量,薄膜的亲水性和表面形貌、粗糙度有密切的关系. 相似文献
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