动态偏置频率对X射线总剂量效应的影响

辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关.本文采用10 keV X射线对MOSFET在不同频率的动态偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOSFET辐照前后的阈值电压的漂移量和辐射感生电荷对阈值电压的影响.实验结果表明,动态偏置频率越高,辐射对MOSFET电特性的影响越小,产生的辐射感生电荷越少.     

CMOS数字电路抗热载流子研究

介绍了热载流子效应与电路拓扑结构及器件参数之间的关系,并在此基础上提出了基本逻辑门的一些搞热载流子加固方法。通过可靠性模拟软件验证这些方法,为CMOS数字电路提高抗热载流子能力提供了参考。     

一种新的辐射试验技术--低能X射线辐照

首先分析了辐照条件下MOSFET氧化层及Si／SiO2界面陷阱电荷和界面态电荷产生的机理,随后介绍了一种低能X射线辐射系统,最后讨论了X射线辐照后nMOSFET阈值电压的变化。结果表明采用X射线辐照对nMOSFET的阈值电压的影响与^60Co辐照影响的规律一致。     

活性粉末混凝土组成材料及制备方式研究综述

从骨料、矿物掺合料、纤维等组成材料以及制备方式等对活性粉末混凝土(RPC)性能的影响进行了分析研究。针对RPC目前存在的主要问题,提出了制备性价比优良的RPC原材料选择方面的建议和今后的主要研究及应用方向;研究认为,合理选择价格低廉的原材料甚至固体废弃物、简化制备方式可以制备出性能优良的RPC,提高RPC的性价比有利于促进其推广应用。     

FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究

分析了影响FLOTOX EEPROM可靠性的主要因素，包括可编程窗口的退化，电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等．FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关．隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX EEPROM性能退化的主要原因．实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOX EEPROM性能的退化起主要作用．     

温度和利用率对CPU性能的影响研究

随着高性能计算机处理器(CPU)功率密度的增大,温度对CPU计算性能的影响愈发突出。为了解决温度与CPU计算性能之间缺乏定量分析的问题,研究了CPU利用率对温度的影响以及温度对CPU评测分值的影响。采用SPEC CPU2006作为评测基准程序集,结合环境温度试验进行测评,对利用率、温度进行了监测采集。利用试验数据建立了温度和评测分值的对应模型,给出了更精确的评测分值。该结果能使CPU工作于合适的评测温度范围,减少温度对CPU评测分值的影响。     

复合射孔器检测容器探讨

近年来复合射孔器取得了突飞猛进的技术进步,但是至今还没有一套有效的地面检测装置,致使复合射孔器的质量难以有效控制,造成施工效果不好或对管柱、井筒造成损坏,影响了该技术的进一步发展.提出了一种复合射孔器地面检测容器设计建议.针对试验容器模拟不同的套管内径、实验对象和测量仪表,容器内介质为空气或水等不同情况,计算了炸药和推进剂在容器中可能产生的峰值压力,以及筒体设计的安全性.基于计算结果认为该检测容器方案可行.     

集成电路芯片安全隐患检测技术

现代信息产业的基础是集成电路,集成电路的安全性决定了信息产业的安全,在集成电路芯片设计过程中考虑不周全或恶意植入不受使用方控制的程序或电路,是对现代信息产业安全的重大挑战.通过对集成电路芯片中安全漏洞的分析,提出了三种检测芯片安全隐患的方法:物理检测、电学检测和协议检测,认为采用物理检测和电学检测相结合的方式可以比较有效地检测出芯片的安全隐患,并对基于电流变化的电学检测技术进行了详细地论述.     

ESD应力下的NMOSFET模型

随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述。     

基于Verigy 93000的GMH 92 LV 18全参数测试技术

以GMH 92 LV 18为研究对象,研究了其功能与全参数测试方法,重点研究并形成了与该器件相关的功能测试方法、异步信号处理技术、信号的稳定生成技术、程控动态负载测试技术和时间参数测试技术,并给出了在Verigy 93000测试系统上的实测波形图。对Verigy 93000测试系统上的器件测试、LVDS器件测试及高速信号测试均具有借鉴意义。