发射场UPS谐波危害及防护研究

本文介绍了UPS谐波产生的原因以及造成的危害,针对发射场区部分UPS谐波测试情况,进行分析,并提出一些减少UPS谐波危害的防护和治理措施,以期提高场区电网的运行质量和运行安全。     

投影仪屏幕自动控制系统的设计与实现

该文主要阐述了一个基于89s51的控制系统,详细说明了系统的硬件和软件结构,写出了设计思想,并给出了电路设计图。此控制系统经过实验证明是能实现的。     

等孔径射孔弹技术研究

射孔孔眼大小对水力压裂效果有很大影响。为克服因套管内壁和枪管外壁间的距离变化带来的套管孔径大小不一致问题,以M A Cook提出的射流侵彻靶板孔眼直径计算方法为指导,通过数值仿真分析等孔径射孔弹作用机理,设计一种锥曲线变壁厚组合式药型罩结构,开发出89、102、127型3种相应的等孔径射孔弹。3种射孔弹在模拟试验中的套管上孔径相对标准偏差分别为3.98%、4.19%、3.01%,实现了套管孔径大小基本一致的设计目标。     

直接数字式频率合成器辐射效应敏感性分析

从直接数字式频率合成器(DDS)的结构出发,对DDS器件的时钟产生单元、相位累加与相位幅度转换器和数模转换器进行了总剂量效应、单粒子效应的敏感性分析。分析认为:辐照前后DDS输出的无杂散动态范围,以及关断功耗是总剂量相对较为敏感的参数;单粒子效应对DDS输出波形的影响为频率改变、相位改变和幅度改变,以及造成输出信号出现毛刺现象,进而影响器件在系统中的功能。     

基于频谱仪和矢网的混频器变频损耗测量技术

在各种可靠性试验后,混频器的变频损耗参数是衡量器件性能的一个重要指标,在基于频谱仪法和矢量网络分析仪法两种测试变频损耗方法的基础上,分析了变频损耗三种误差的主要来源,通过两种测试方法的实测数据分析了这三种误差对两种测试方法的影响和相应的误差消除技术,得出了结论：频谱仪法仪器成本低,操作简单,误差来源多且测试不稳定,矢量网络分析仪法测试稳定,可靠性高,在整个测试频段内测试数据稳定精确。     

电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究

采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应.实验结果显示,在整个辐射剂量范围内,前栅特性保持良好;而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应.分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅(BOX/SOI)界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因.基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.     

铜键合线的发展与面临的挑战

介绍了当今微电子封装中重点关注的铜键合引线,指出了铜键合线的优缺点.铜线键合是一种代替金和铝键合的键合技术,人们关注它不仅因为它的价格成本优势,更由于铜线特有的机械和电学等方面的优良性能,当然,铜线键合技术还存在不少问题和挑战,针对这些存在的问题,进行了简要的介绍并提出相应的解决办法.     

SOI MOSFET 抗辐射加固的常用方法与新结构

SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计.对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进行了对比较分析,指出了各自的优劣势,给出了研究方向.并对FLEXFET和G4-FET三维SOI器件抗辐射加固新结构进行了阐述,分析了其优越性.     

ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性

随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用.对ESD应力下扩散电阻的四个区域:线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析.通过TLP实验对大电流作用下的电阻特性进行验证研究,试验分析了扩散电阻的ESD保护特性;着重讨论了二次击穿区,即热击穿区,的电阻特性,得出电阻的热击穿最先发生在阳极n -n结,继续加大电压会使阳极一阴极间完全热烧毁的结论.