nMOSFET低能X射线辐照特性研究

讨论了MOSFET的辐照损伤机理,通过低能（10keV）X射线辐照试验,分析了不同X射线辐照总剂量、不同剂量率对nMOSFET单管的转移特性以及阈值电压的影响。结果表明X射线辐照对nMOSFET的阈值电压变化的影响与^60Co辐照影响的规律基本一致。     

偏置条件对NMOS器件X射线总剂量效应的影响

采用10 keV X射线,对NMOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐射,分析了辐照前后辐射感生的氧化物陷阱电荷与界面态电荷对MOS器件阈值电压的影响以及辐射导致漏电现象.实验结果表明,对于NMOSFET,On偏置条件是最劣偏置条件,Off偏置条件是最优偏置条件.     

一种地震属性图像配色阈值选取算法

针对传统的地震属性图像可视化过程中存在的缺点,论文提出一种基于直方图技术的地震属性图像配色阈值选取算法,该算法利用直方图统计的结果,首先进行阈值预选,然后在区间内进行阈值调整,最后根据所确定的阈值对地震属性图像进行重新配色,很好地解决了传统地震属性图像视觉上的杂乱以及区域性差的缺点。经过对大庆油田多个区块地震属性图像的分析,该算法可有效解决地震图像可视化中的不足,提高了地震解释工作的效率。     

基于低频电噪声的光电耦合器可靠性筛选方法研究

低频电噪声是表征电子器件质量和可靠性的敏感参数,通过测试低频噪声,可以快速、无损地实现光耦器件的可靠性评估。通过开展可靠性老化对光电耦合器低频噪声特性影响的试验研究,提出基于低频段宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法,并将可靠性筛选结果与点频噪声筛选方法结果进行对比分析。结果表明,与点频噪声参数等现有方法相比,宽频带噪声参数可以更灵敏和准确地表征器件可靠性,同时计算简便,基于宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法可以实现更为准确合理的可靠性分类筛选。     

nMOSFET X射线辐射影响研究

介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有利于提高ggnMOS的抗ESD能力,而表征其抗ESD能力的参数(二次击穿电流I2)开始随辐射总剂量的增加而减少,到达一定剂量后将随总剂量的增加而增加。     

KGD质量和可靠性保障技术

通过裸芯片可靠性保障技术研究,在国内形成了一部完整的已知良好芯片(KGD)质量与司靠性保证程序,建立了从裸芯片到KGD的质量与可靠性保证系统,确立了裸芯片测试、老化和评价技术,实现了工作温度为-55～ 125℃的裸芯片静态、动态工作频率小于100MHz的测试和工作频率小于3MHz的1 25℃动态老化筛选,可保障裸芯片在技术指标和可靠性指标上达到封装成品的等级要求.     

SiC颗粒增强铝基复合材料的制备技术及性能研究进展

SiC颗粒增强铝基复合材料具有高的比强度、高的比模量、高的耐磨性以及优异的抗腐蚀性能,在机械结构轻量化设计方面是替换传统钢铁的最佳选择材料之一,在汽车、机械、航空及电子封装等领域具有广阔的应用前景。因此,备受各界科研工作者的关注。对SiC颗粒增强铝基复合材料的制备方法、性能、强韧化机制进行了归纳总结,分析并探讨了SiC/Al复合材料的制备技术难点及改进方法,最后对SiC/Al复合材料的研究及应用进行了总结与展望。     

彩色压型钢板及门窗在湛江地区的应用

对目前常用于钢铁厂厂房的彩色压型钢板进行分析,根据风压高度变化系数、风振系数、基本风压、风荷载体型系数等得出不同受力状态下的檩距,供设计参考.最后,给出了湛江地区钢铁厂厂房屋面板、墙面板及门窗的构造做法.     

硬件木马综述

集成电路在设计或制造过程中会受到硬件木马的攻击,使芯片与硬件的安全性受到威胁。硬件木马技术逐渐受到重视,已成为当今一个新的研究热点。文章介绍了硬件木马的概念,对三种主要的硬件木马分类方法进行了分析;着重探讨了硬件木马的检测方法。对检测方法存在的问题与面临的挑战进行了分析,指出基于旁路信号分析的硬件木马检测方法是当前最主要的一种检测方法。