深亚微米HCI模型参数多目标全域提取方法

研究了一种建立在退化栅电流物理解析模型基础上的深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injection)退化模型. 提出了一种基于L-M (Levenberg-Marquardt）算法的多目标响应全域优化提取策略，并对可靠性模型参数进行优化提取. 分析了优化过程中由于参数灵敏度过低产生的问题并提出采用递归算法求解不同时刻栅电流注入电荷量的加速计算方法. 最后，给出了最优化参数提取的结果，并且将测量值与理论值进行了比较,得到很好的一致性.     

基于关键面积的冗余集成电路成品率分析

利用关键面积的思想分析了冗余电路的成品率,并给出了其计算模型.实例模拟表明,与传统的成品率分析方法相比,该模型预测IC成品率具有更高的精度.     

硅片缺陷粒径分布参数的提取方法

利用电学测量方法,给出了在集成电路制造过程中,影响光刻工艺的各种颗粒尘埃(缺陷)的粒径分布参数提取方法.首先基于双桥微电子测试结构,通过具体制造工艺得到数据,然后处理得到故障的粒径分布.再利用缺陷与故障之间的关系,进一步推导出缺陷粒径分布的参数.结果表明该方法适合于不同的缺陷粒径分布模型,而且得到的参数可以用于集成电路成品率预测.     

器件模型参数的相关性分析与建模

本文基于主成份分析和因子分析,提出了集成电路（ＩＣ）器件模型参数的主成份因子统计模型,并给出了主成份因子分析的方法及其模型的建立过程。最后,以电路实例验证了该方法的可行性和有效性,该统计模型可用于ＩＣ性能分析和统计优化设计。     

集成电路分档成品率的效益优化模型及求解

基于对集成电路分层成品率综合效益的考虑,提出了一种新型的效益优化模型．该模型根据客户对产品性能的要求构造了一个综合性能指标函数,把电路的可设计参数、产品分几档、如何分档作为设计参数来建立模型．针对此模型设计了一种算法,这种算法结合有效的抽样技术,在可设计域内均匀抽样,以获得最佳设计值．实验结果表明,通过适当的分档和定价会使集成电路分层成品率效益获得最大．