Cr3＋和Si4＋共掺对LiGa5O8近红外长余辉材料发光性能的影响

高温固相法合成了共掺Si⁴⁺的LiGa₅O ₈:Cr³⁺长余辉材料,采用X射线衍射、荧光光谱、余辉发射光 谱、余辉衰减曲线和热释光对样品分别进行了表征,并分析了Si掺杂对LiGa₅O₈:Cr 3+发光性能的影响。结 果表明,所合成的LiGa₅O₈:Cr³⁺,Si⁴⁺材料能产生近红外长余辉发射,主 发射峰位于717nm,归属于Cr³⁺的²E→⁴A 2 跃迁,共掺Si⁴⁺能显著提高余辉性能。掺杂浓度为0.25时,样 品的初始发光强度提高了3倍,余辉性能最佳, 余辉持续时间超过30 h。热释光曲线表明,共掺Si⁴⁺ 离子可增加有效陷阱数量,从而改善材料的余辉发光性能。     

可记忆电阻器及其应用展望综述

可记忆电阻器,本文简称为忆阻器,能够不需要功率源而储存信息,是一种纳米尺寸的器件,它于1971年被Leon Chua作为一种"丢失的电路元件"提出,2008年被惠普实验室研究人员Williams R S等证明的确存在,成为电路理论里电阻器、电容器和电感器以外的第四个基本电路元件,极有可能引领电子学的一次重要变革。本文回顾了忆阻器的概念和数学定义,重点介绍了惠普实验室的Pt/TiO2/Pt三明治结构的忆阻器薄膜器件模型和忆阻器元件某些值得关注的特性,如滞回曲线特性,最后探讨了可记忆元件在纳米级器件领域的应用前景和研究方向。     

Preparation and Luminescent Properties of BAM Blue Phosphor forPDP and CCFL

The Bax-0.05MgAl10O16 x :Eu0.05^2 (0.88≤ x≤ 1.02) phosphors with different Ba^2 content and the Ba0.85MgAl10O16.94:Eu0.05^2 phosphors with different fluxes (BaF2, MgF2, AlF3, BaCl2, MgCl2, AlCl3, H3BO3)were prepared by high temperature solid-state reaction method and their luminescence characteristics were studied under 254 nm excitation and vacuum ultraviolet (VUV) excitation. With the increase of the Ba^2 content, there is an increase in the emission intensity, and when x = 0.94, it reaches a maximum. Then, as the Ba^2 content increases, the emission intensity slowly falls. The fluorides have better flux-effects than chlorides and H3BO3. The possible mechanism in the process of particle growth was discussed when fluorides were used as fluxes. The effect of the activator concentration on this system was also investigated. The quenching concentration is 0.13 mol in per mole host.     

不同V/Ⅲ束流比对GaAs(001)面重构相的影响

GaAs表面在不同的V/Ⅲ束流比下会呈现不同的表面重构相.本文通过改变As4 BEP和Ga BEP的束流强度,获得不同As4 BEP和Ga BEP束流比下GaAs(001)从富As β2(2×4)重构相转变成富镓β2(4×2)重构相的RHEED衍射图样,然后利用球棒模型对衍射图样进行解释.     

功率VDMOS器件的研究与发展

简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史.针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题.对不同器件结构的优缺点进行了比较分析.对一些新型衍生结构...     

一种白光LED用绿色荧光粉Ba_3Si_6O_(12)N_2:Eu~(2+)的制备及研究

采用传统高温固相反应法,合成了Ba3-x Si6O12N2:xEu2+系列荧光粉。X射线衍射(XRD)图谱分析表明,所有的样品均生成了Ba3Si6O12N2纯相。激发光谱表明,样品在紫外到蓝光(250~470nm)范围内都可以被有效激发,当激发波长为358nm时,发射光谱是Eu2+典型的宽带发射,发射峰在495nm附近,属于4 f7→4 f65 d1能级之间的跃迁,半峰宽覆盖青绿光范围(480~557nm)。研究了Eu2+掺杂浓度对发光性能的影响。结果表明,随着Eu2+掺杂量的逐渐增加,发光强度逐渐增大,当x=0.15时,发射强度达到最大,所对应的发射光谱波峰的波长最小(492nm);当Eu2+的掺杂量继续增加时,发光强度开始减弱,这是由于Eu2+间距逐渐减小,非辐射跃迁几率增加而发生浓度猝灭现象;不同浓度的样品的发光强度与波长呈相反变化趋势,这与斯托克斯(Stokes)定律是相符合的。研究结果表明,所合成的Ba3Si6O12N2:Eu2+新型绿色荧光粉适合在白光LED中应用。     

黄色荧光粉CaBi_2Ta_2O_9:Dy~(3+)的制备及发光性能

采用高温固相反应法制备了Dy3+掺杂铋层结构铁电氧化物CaBi2Ta2O9(CBTO)荧光粉。分别对样品进行了X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)测试和荧光光谱(PL)的测定。研究表明:荧光粉CBTO:Dy3+的最强激发峰为450 nm,与商用蓝光LED的发射光波长相匹配,发射带峰值位于574 nm,对应于Dy3+的电偶极跃迁4F9/2→6H13/2。分析了Dy3+摩尔分数对样品发光强度的影响,其最佳摩尔分数为7%,根据Dexter理论分析其浓度猝灭机理为电偶极-电偶极相互作用。分别研究了电荷补偿剂Li+、Na+和K+对CBTO:Dy3+发射光谱的影响,结果显示不同的电荷补偿剂均能不同程度地提高样品的发光强度。     

B／P共掺杂呋喃树脂炭用作锂离子电池负极材料的研究

以添加8wt％磷酸的呋喃树脂为前驱体,经固化后混入不同含量的硼酸,升温至8500C炭化制得B／P共掺杂树脂裂解炭。采用热重分析考察固化后树脂的热失重,采用XRD和氮气物理吸附分别考察物相、微晶结构变化以及比表面积和孔结构的变化,同时采用恒流充放电技术对其充放电性能进行了研究。结果表明,B／P共掺杂使裂解炭的比表面积明显下降,孔洞数量减少,且随着B／P的增加,裂解炭中BPO4的含量增加;当B：P（at％：at％）=1．0时,树脂裂解炭的电化学性能得到了有效改善,首次可逆容量高达378．2mAh／g,较磷掺杂树脂裂解炭提高～30mAh／g,且循环50次后可逆容量保持率为86．8％。     

共掺杂LiGa5O8∶Cr3+长余辉材料的制备及发光特性

采用高温固相反应法制备了Si4+、Ge4+和Sn4+离子掺杂的LiGa5O8∶Cr3+长余辉材料,系统研究了掺杂对LiGa5O8∶Cr3+光致发光和长余辉性能的影响。实验结果表明,所制备的系列材料能产生650800nm的近红外余辉发射,主发射峰位于717nm,来源于Cr3+离子的2E→4A2特征跃迁,与未进行掺杂的样品相比,掺杂Si 4+、Ge4+和Sn4+离子的LiGa5O8∶Cr3+余辉发光强度均得到增强,余辉性能显著改善。热释光测试结果表明,Si 4+、Ge4+和Sn4+离子掺入主要提高了LiGa5O8∶Cr3+的陷阱浓度,且使得有效陷阱的数量增加,从而改善了LiGa5O8∶Cr3+的余辉性能。     

BaO-MgO二元系相图优化计算研究

在对BaO-MgO二元系热力学数据评估的基础上,采用Thermo-Calc软件对该体系相图进行优化计算.采用规则溶液模型,获得了较完整的BaO-MgO二元系相图和该体系较完整的热力学数据.还对该二元系的混合焓及组元活度进行了讨论.通过与实验数据进行比较,在富BaO端与实验结果基本吻合;在富MgO端,采用了最新的MgO熔点温度,获得了更加合理的液相线.