不同衬底温度下生长的Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7.0薄膜的XPS研究

采用固相反应法合成具有焦绿石立方结构的Bi1.5Zn1.0Nb1.5 O7(BZN)陶瓷靶材,采用脉冲激光沉积法在Pt/TiO2/SiO2/Si(100)基片制备立方BZN薄膜,衬底温度在500～ 700℃范围内变化.X射线衍射测量结果表明:当在500℃沉积BZN薄膜时,薄膜呈现出无定形态结构.随着衬底温度增加到550℃,薄膜开始晶化,并且显示出立方焦绿石结构.X射线光电子能谱也被用来研究BZN薄膜的结构状态和元素价态.测试得到的全谱表明:在BZN薄膜中,除了用于定标的C元素之外,只有Bi、Zn、Nb、O元素的特征峰,此外有Ti2p特征峰出现,可能来自底电极的TiO2缓冲层.各元素的窄谱扫描表明:Bi,Zn,Nb,O四种元素的化学价态分别是+3,+2,+5,-2.BZN薄膜在550℃结晶,随着衬底温度升高到600℃,金属阳离子的结合能的峰位向高能方向移动,然而O1s的特征峰位也向高能方向移动,这归因于薄膜中存在的氧空位.     

用MWECR CVD系统制备具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜研究

用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)系统制备了具有非晶/微晶两相结构的硅薄膜,研究了沉积温度和沉积压力等对制备微晶硅薄膜的结构和电学特性的影响.结果表明:较低的反应压和较高的衬底温度有利于获得非晶/微晶两相结构的硅薄膜,当反应压为0.7 Pa、衬底温度为170℃时,得到非晶/微晶两相结构的硅薄膜晶相体积比约为30%;具有这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜,μτ乘积值约为10-5量级左右,比不含微晶成分的氢化非晶硅样品的μτ乘积值大约2个量级,同时这种晶相体积比的非晶/微晶两相结构的硅薄膜的光敏性在103～104左右,其兼具很好的光电导稳定性和优良的光电特性,是制备非晶硅太阳电池的器件级本征层材料.     

电沉积法制备ZnO纳米棒/管阵列及其机理研究

采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构.通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响.结果表明,电沉积体系中通入氧气对阴极还原反应起到了加速作用,而电沉积体系中的HMT通过水解作用对电沉积反应起到了稳定剂作用.在氧气和HMT的协同作用下可使ZnO更加充分地成核生长,得到结构清晰分明的六方棱柱ZnO晶种,进而形成规则均一的ZnO薄膜.     

几种电子陶瓷材料的研究进展与应用前景

电子科学,信息技术发展日新月异,高速奔向集成化和微型化.在电子产品中,元器件是其重要的组件之一.所以对核心元件提出更高的标准:必须具有高速,微型,轻薄,高可靠性等特点.电子元器件的核心技术就是如何利用功能陶瓷材料的电、磁、声、光、力、热等特性.元器件的发展趋势是小型化、片式化、多层化、模块化、集成化和多功能化,以及高性能低花费,方便使用.本文综合介绍了微波介电,铁电压电,磁性以及热释电等新型功能陶瓷材料,同时也介绍了最新的研究进展及可能的应用前景.     

在石墨基体上制备耐磨的SiC镀层研究

在工业冶炼碳化硅(SiC)过程中,在石墨基体上制备具有耐磨特性的SiC镀层。讨论了SiC镀层的形成过程,采用X射线衍射仪(XRD)分析了SiC镀层的物相结构,采用隧道扫描电镜(SEM)分析了镀层的表面形貌。并分析了SiC镀层的硬度和耐磨特性。结果表明:镀层为高温稳定型α-SiC,同时伴有Fe3Si和SiO2杂相出现,SiC镀层的表面硬度达到了1120HV,磨损机制为颗粒磨损,具有较好耐磨性能。     

固态体积式真三维显示器高速投影镜头设计

介绍了固态体积式真三维立体显示的原理及组成部分,主要部分包括高速投影镜头和多平面光学元件。分析了其中高速投影镜头所需达到的参数要求,即过投影镜头中心光线的最大张角不超过14.5°。采用与照相物镜类似的方法设计该镜头,选用具有较大相对孔径的双高斯物镜作为基本类型,确定半部系统的参数,根据对称关系得到全系统。最后采用ZEMAX软件设计出适合项目要求的高速投影镜头。像差分析表明,全视场内最大垂轴像差为63.5μm,最大横向色差小于2μm,最大畸变为2.4%。全视场范围内调制传递函数大于0.2的截止频率超过50lp/mm,能满足1024×768的分辨率要求。     

分段恒电位电化学沉积法制备CuInSe2吸收层

采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2 (CIS)薄膜.通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜.结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比.而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比.     

溅射功率对ZnO:Ga薄膜的结构和光电性能的影响

采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO:Ga薄膜,并使用XRD、SEM、UV-VIS和霍尔测试仪等测试手段分析研究了不同功率对ZnO:Ga薄膜的结构以及光学和电学性能的影响。实验结果表明:制备的ZnO:Ga薄膜为六角纤锌矿结构,且具有明显的C轴择优取向;随着溅射功率逐渐从100W增加到175W,玻璃衬底上薄膜的结晶程度越来越高,当溅射功率超过175W时,结晶强度减弱;在可见光范围内,薄膜样品的透过率均达到84%以上,具有良好的透光性能;同时我们发现实验制得的薄膜导电率随着溅射功率的增加而加强。     

BaTiO_3基Y5V型多层陶瓷电容器的介电与储能特性分析

多层陶瓷电容器(MLCC)是电子信息技术的基础元件,在电子工业中被广泛应用。其中Ba Ti O_3基Y5V型MLCC拥有高的介电性能,好的温度稳定特性,市场需求较大,备受关注。本文以其为研究对象,分析单层厚度超薄的Y5V型Ba Ti O_3基MLCC的介电特性与储能特性,借助于介电频谱和温谱分析其介电极化对外场的响应特点。研究结果表明:Y5V型MLCC的介电常数被直流偏压所抑制,谐振频率随偏压的增加向高频方向移动,其静电储能密度达到了1.76 J/cm~3,储能效率随外电场的增加逐渐降低。